361677

Номер патента: 609774

Опубликовано: 05.06.1978

Авторы: Гохберг, Оганезов, Сигуа

МПК: C22B 1/00

Метки: законченности, конвейерных, машинах, места, положения, процесса, спекания

...ность самого процесса спекания и мо ты средняя высота зоны 2 сырой шихты жет служить достоверным параметром оп-уменьшается, образуются зоны 3 переределения его законченности. увлажненной шихты, зона 4 расплаваСущность способа поясняется чертежом, и зона 5 спека. Средняя высота зон 4на котором представлена блок-схема оп, переувлажненной шихты и расплава в ределения законченности процесса спека- Э процессе спекания существенно не изния, где 1 - аглолента, 2 - зона сыройменяется, а средняя высота зойы 5 спе шихты, 3 - зона переувлажнения шихты, . непрерывно увеличивается. Появление- зона расплава, 5 - зона спека, , зон 3 переувлажнения шихты и зоны 4 6-9 - контролируемые вакуум-камеры,расплава обусловливает уменьшение за 10-13 - блоки...

Номер патента: 841861

Опубликовано: 30.06.1981

Авторы: Добровольский, Кислицын, Мусин, Павлюк, Утробин, Федосеев, Шамыгин

МПК: B23K 11/24

Метки: процессом, тепловойобработки

...изменения знака производной может быть выделен: из общего сигнала и использован для регулирования тока нагрева (напряженияисточника тока нагрева) .Уровни сигнала при измерениипрямого падения напряжения на полупроводниковом кристалле составляютдесятки и сотни миллнвольт (на тричетыре порядка больше, чем в аналогах), Такой сигнал легче выделить,а это повышает помехоустойчивость "схемы и надежность регулирования,процесса, упрощается регистрирующееоборудование,На фиг, 1 представлена блок-схема, реализующая предлагаемый способуправления процессом электроконтактной пайки полупроводниковых диодов;на фиг 2, - эпюры напряжений в контрольных точках,Нагреваемая сборка (полупроводниковый кристалл с припаиваемыми металлическими выводами)...

Номер патента: 526631

Опубликовано: 30.08.1976

Авторы: Ларионов, Матюхина, Покровский

МПК: C08J 9/06

Метки: вспененного, композиция, полиолефина

...системы, состоящей из окиси цинка, стеарата цинка и стеариновой кислоты, взятых в весовом соотношении соответственно 1: 3: 1 - 1; 3: 2, достигается максималь ный эффект снижения температуры разложения азодикарбонамида; при этом скорость его разложения остается постоянной в температурном интервале 150 в 1 С, что способствует более гомогенному распределению и 40 растворению выделившегося газа и согласованию процессов разложения азодикарбонамида п процесса сшивания полимера,Использование указанной каталитическойсистемы позволяет применять различные ме тоды переработки полполефиновой композиции.Изобретение иллюстрируется следующимипримерами.П р и м е р 1. Получение пенополиэтилено вых блоков толщиной 45 мм.А. Состав...

Номер патента: 546626

Опубликовано: 15.02.1977

Авторы: Григорьева, Райгородский, Савин, Фортунатов

МПК: C08G 63/08

Метки: полигликолида

...обратным холодильником с хлоркальце вой трубкой и вводом аргона помещают 5 г гликолида с т. пл. 84,5 С, 50 мл сухого хлороформа и 0,1 вес. % (СНз)з%1 ч(С 2 Нз)з. Смесь нагревают в течение 1 ч при 70 С, через П р и м е р 2. Аналогично примеру 1, 5 г гликолида в 50 мл бензола в присутствии 0,1 вес. % триметилсилплдцэтиламиносилана нагревают в течение 1 ч. Полимер выпадает через 15 - 20 мин после нагревания.Выход полигликолида 95%, т. пл. 195 - 198 С. Вязкость расплава 400 П.Пример 3. Из 1 г гликолида с т. пл.84,5 С в 5 мл сульфолана и в присутствии 0,002 вес. % (СНз) з 81 К(С,Нз), при нагревании в течение 8 ч при 140 С получают реакционную смесь, которую последовательно отмывают сухим ацетоном, гептаном от сульфолана. Выход...

Номер патента: 645030

Опубликовано: 30.01.1979

Авторы: Закатов, Залкин, Машбиц

МПК: G01F 17/00

Метки: вещества, количества

...вещества.На чертеже приведена схема устройства для осуществления предлагаемого способа.Резервуар 1 имеет выходной патрубок 2, на котором установлены запорные вентили 3, 4 и 5, 6. Между вентилями 3 и 4 размещена сорбционная колонка 7, а между вентилями 5 и 6 - сорбционная колонка 8. Колонки 7 и 8 заполнены сорбентом, поглощающим компонент-спутник. Выходные линии вентилей 4 и 6 соединены с приемником 9 вещества.Способ реализуется следующим образом.Резервуар заполняют известным количеством Я вещества, в который добавляют заданное количество т компонента-спутника, причем Ят. Содержимое резервуара, например гелия, перемешивают до получения смеси с равномерным распределением в нем компонента-спутника, например метана, и открывают...