Способ получения кристаллического бора а ромбоэдрической модификации

Номер патента: 458510

Опубликовано: 30.01.1975

Авторы: Ганзенко, Соловьев, Угай

МПК: C01B 35/00

Метки: бора, кристаллического, модификации, ромбоэдрической

...60 мин, после чего охлаждают. Полученный продукт состоит из а-ромбоэдрической модификации с незначительным содержанием субокисла бора (В 1 ЗО 2). Изобретен нений бора. Известен го бора а-ро порошкообра уплотнения следующего 1100 - 1300 Сллическокации из путем его г/см, поации при кристаодифи бора- 600талли пособ получения мбоэдрической м зного аморфного под давлением 10 нагревания и кри П етениясталлического боификации путем ии аморфного бочающийся тем, бований .к качестпредварительно частичному окист изобр 1. Способ пра а-ромбоэдрнагревания ира при 1250 -О что, с цельюву исходногаморфный борлению.2. Способ п5 что окислениение 30 - 90 ми чающи ися 00 - 150 С в тем, течее касается производства соед Однако по известному способу необходимо...

Номер патента: 1718102

Опубликовано: 07.03.1992

Авторы: Вердина, Горынин, Назаров

МПК: G01N 27/48

Метки: аморфного, кристаллизации, металлического, сплава, степени

...илиотожженом состояниях.После катодной выдержки для удпассивной пленки с поверхности спобласти потенциалов (-800)-(+500)хлорсеребряному электроду, протельность выдержки 1 - 5 мин, ведуттку потенциала со скоростью 2 - 5анодную область до потенциалов+90затем сразу начинают развертку потла в обратном направлении с той жестью до значений анодного тока, рнулю,аления лава в мВ подолжи- развермВ/с вОмВ и енциа- скоро- авного ведена циклическая разв координатах величина е За - прямая развертка, ертка,Р, ограниченные коордивующей кривой, рассчи1718102 тывают методом планиметрии из графика, полученного на х-у рекордере (см, чертеж 1) или из значений зарядов, записанных .на кулонометре или иными способами, напримср запоминанием сигналов...

Номер патента: 1755147

Опубликовано: 15.08.1992

Авторы: Венгринович, Лапатнюк, Стасик

МПК: G01N 25/04

Метки: аморфного, бинарных, кристаллизации, основе, сплавов, теллура, температуры

...Экстраполируя лийейную зависимость Тх от состава на нулевое содержаниегаллия было найдено, что температура кристаллизации аморфного теллура составляет318 К.0 Формула изобретения1, Способ определения температурыкристаллизации аморфного теллура и бинарных сплавов на его основе, не поддающихся переводу в некристаллическое5 состояние, включающий измерение термических параметров, о т л и ч а ю щ и й с ятем, что, с целью повышения точности идостоверности определения, используют неменее трех образцов - сплавов на основе0 теллура, долускающйх перевод в аморфноесостояние, переводят сплавы в аморфноесостояние; определяют их температуру кристаллизации, строят зависимости температуры кристаллизации от состава,5 экстраполируякоторую на...

Номер патента: 1784886

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Еднерал, Костюкович, Скаков, Шелехов

МПК: G01N 23/20

Метки: аморфно, анализа, кристаллических, рентгеновского, фазового

...аморфно-кристаллического-сплава, где 1- ская фаза не имеет текстуры.интенсивность в произвольных единицах, 2 Использование предлагаемого. способа9- угол дифракции в градусах, "- интег- рентгеновского фазового анализа аморфноральнвя интенсивность линии кристалличе- кристаллических материалов по сравйениюГкой фазы, г - пиковая интенсивность 10 с существующими имеет то преимущество,аморфного гало под максимумомлийии,что по. диФракционной картине в области(ЙК ) - ййдексыййтерференции линйи;-углов едйнственной дифракциойной линииПредлагаемый способ рентгеновского (НКС) станоайтсявозможнымопределение.-фазового айалйза аморфно-кристалличе- среднйх объемных долей аморфной и криских материалов может быть реализован 15 сталлической...

Номер патента: 438205

Опубликовано: 30.07.1974

Авторы: Джвирблис, Петрузелла

МПК: G03G 5/08

Метки: пластина, электрофотографическая

...отношении диспергируется гексагональный селен в красной форме. Наиболее предпочтительным является соотношение, находящееся в пределах от 1: 4 до 1: 20, Суспензия пигмент - связующее - растворитель наносится на подложку и отверждается, причем толщина полученного слоя находится предпочтительно в пределах от 1 - 100 мк, наиболее оптимальная толщина 15 мк. Предпочтительным интервалом удельного электрического сопротивления органического связующего является интервал от 10" до 10 ом см в сыпучем состоянии.Для получения красной гексагональной модификации селенового пигмента производят кристаллизацию аморфного селена или получают сплавы аморфного селена с другими материалами, такими, как мышьяк или теллур, или вводят в аморфный селен в...