Способ измерения скорости испарения в вакууме

Номер патента: 204484

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Ивановский, Кузьмин, Мах, Назаров, Тибоков

МПК: F04B 37/06, H01J 19/70

Метки: вакууме, испарения, материалав, процесса

...тока эмиссии вблизи иапарителя располагают дополнительный электрод (анод), имеющий положительный потенциал относительно испарителя. Испари. тель будет служить источником электронов (катодом). Контроль тока эмиссии, начиная от нескольких микроампер и более, достаточно просг. Регулирование или автоматическое поддержание постоянной скорости испарения может быть осуществлено либо прямым регулированием, либо через мощью несложных сред на режим питания исп обратной связи для стаб тания испарителя и, сле испарения по току термо может служить одна из лизации, имеющая доста ность,Возможность контроля скорости испаренияпо току термоэлекгронной эмиссии основывается на известном факте, что механизм испускания электронов накаленным катодом...

Номер патента: 560006

Опубликовано: 30.05.1977

Автор: Гольфенштейн

МПК: C23C 13/00

Метки: вакууме, веществ, испарения, скорости

...что поток испаряющихся 1 астиц модулирустся псрсмснцым электрическим полем и измсрястся амплитудноезцачецие частотцо-модулироваццого тока цасышсция электродов эмиттироваццых поверх(остью испарения.Анализ Золы-ампсрцьх характеристик прииспарсции рассматриВПГмых 13 си 1 сст 13 показь 1- 3 ас, 110 Ок иГ 1 и(сци 51 эл(к роцо 3 цабл 10- ДаСТС 51 ПРИ ИИЗКИ.Ц;3 ЦР 1351 ГЦИ 51 Х (ПОР 51;1 К(1100-: 200 В),11 а 1 сп 1 Г)1(с пок 13 и; 30,)можиа 5) схс)1 рса 1) лизации прсдлагасмо: 0 способ(1."ОСт;ТОИОГ Ди ГО)1) 1 Г.,ИЯ т ГК( ИПСЬИ 1 ГЦИ 51гГктроцов.От истОПик); 0 ис 3 С(ки, ии) 1 сц 1 х и;1 П) 5 ЖГ 1 И, МГЖ ") 1 03 ГРХОС ЬО ИСЦ Ь 0(31 И и ИССТКО); И ПИК 11:1.3)ГСЯ а:т)5 ЖГИИГ С (1 СТО 01( а; рЯжс 111 Г р Ск 1 (1) . Э го 1 111) 51 жс560006...

Номер патента: 139176

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Богушевич, Губанов, Ежов, Морозов, Поволоцкий

МПК: C23C 14/54

Метки: вакууме, испарением, карусельный, многопозиционный, нанесения, покрытий, полуавтомат

...обезгаживание распыляемого материала под действием низкого напряжения, Затем экран 4 возвращается в исходное положение.При продолжении высоковакуумной откачки, рабочее напряжение подается на испарители 3 и при вращении изделия происходит распыление алюминия на его поверхность и нанесение защитного материала. По окончании процесса распыления затвор 12 закрывается. Затем открывается клапан для впуска воздуха. После смены изделия, прошедшего обработку, камеры загружаются очередной деталью и процесс работы повторяется.Предмет изобретения1. Многопозиционный карусельный полуавтомат для нанесения покрытий испарением в вакууме, состоящий из неподвижной часги и вращающейся карусели, с расположенными на ней вакуумными камерами, с испарительными...

Номер патента: 456053

Опубликовано: 05.01.1975

Авторы: Клебанов, Сумароков

МПК: C23C 13/12

Метки: вакууме, испарения, тигель

...нейтральных атомов 8. Крышка 9 устраняет испарение материала вверх, выполняет функции экрана. Боковые отверстия 10 служат для откачки виутренней полости тигля,мет изобретени Тигель для ис ме, отличающ вышения качеств электрбэнергиц п 25 противоположнох ля, стенки и дно капиллярными кИзобретение относится к области нанесенияпокрытий в вакууме и может быть использовано для получения покрытий методом термического испарения.Известен тигель для испарения материаловв вакууме. Для получения потока паров в направлении вне зоны видимости открытой поверхности испаряемого материала в тигле егооснащают экранами, нагреваемыми до высокой температуры, установленными над тиглем 10и направляющими поток нейтральных атомоввниз. Однако отмечается...

Номер патента: 555278

Опубликовано: 25.04.1977

Авторы: Александров, Голованова, Кацнельсон

МПК: G01B 11/06

Метки: вакууме, испарением, нанесения, оптического, пленок, покрытия, процессе, толщин

...ПЛОСКОСТЬ Г;ЦВНОГО СЕг 1 ЕНИЯРЕШСтКН; ПЕРПЕНДИКУЛЯРНЯЯ К СЕ 1 г 1 т 12 нкам, ОРИЕ 1 П 1.рована под углом 40 50 к падающему световомуПуЧКу ЛуЧЕй, ВХОдНОй ЛЮК ОГрапнг 1 ЕН КраяМИ Иэаб.раженвятела какалаисточника света, а вь 1 ходнойЛЮК ВЬгПОЛНЕН В ВИДЕ ДнафРаГМЫ СРаЗМЕРамн, НЕПрЕВЫШаЮщИМИ ВЕЛНгл 1 НЬ 1 уКаза ЕНОГО ИЗОбражЕНИяв мопохроматическом свете,На чертеже дана схема предлагаемого устройства.Оло содержит источник света 1 (источниксплошного спектра), формирующую оптику,СОСЬящу 1 О из объективов 2,3 и 4, вакуумноплотных фотометрических окон 5 и 6 и фильтра 7, Входе луча внутри формирующей оптики установпе.на диффакционная решетка 8. Плоскость главногосечения решетки, перпендикулярная к ее штрихам,на которых происходит дифракция,...