Способ полученияn, n, 3 –

Номер патента: 373550

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Валдаев, Дедков, Керножицкий

МПК: G01K 7/38

Метки: минусовых, немагнитных, сосудах, среды, температур

...схеме о.Работа устройства основана на эффекте изменения магнитных свойств антиферромагнетиков с изменением минусовых температур. Известно, что магнитная восприимчивость антиферромагнетиков изменяется с изменением температуры выше антиферромагнитной точки Кюри, а при приближении к ней достигает экстремального значения.По мере охлаждения или нагрева термоприемника 1 жидкостью или газом, находящимся в сосуде 2, изменяется магнитная восприимчи373550 Составитель И, Дубсои Техред Т. Курилко Корректор А. Даесооа Редактор С. Хейфиц Заказ 2508 Изд. ЛЪ 1284 Тираж 755 Подписное Ц 11 ИИПИ Коиа гета цо делая иобремниа и открытий н 1 и Созете Мжис 1 ров СССР Меекв, гК, Рауш(хая наб., д, 4/5Обл. Тци. Коетроцекоео 1 ореолеин иадйтельт"Ов, полищрафии...

Номер патента: 235771

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Бова, Кемельман, Козлоц

МПК: F22B 35/10

Метки: котле, прял10точнол1, среды, температуры

...им. И. И. Ползунова ПОСОБ РЕГУЛИРОВАНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ СРЕД В ПРЯМОТОЧНОМ КОТЛЕй удельного обьрядиоиитерфсОыл разраоотяи ия при докрити Дгя рсг 11 страсма может оыгРСИЦИОН 11 ЫИ МСдля измерениячсском давлсни ЦГп ИЗМСНЕН 1 ь 1 Спо,1 ьзова год, который пяросодержа 1 Реда изооретения ры среды в ски.; пара- параметров целью обесия темпера- в качестве удельного радиоинтер. рсгмлир ИО.КО 1 о имжль личоОи возможно зоне фаз использ измерясз иным датИзвестны способы регулирования темпера. туры среды в примоточиык котлак свсрккритически.; параметров с использованием импу 1 ься От изз 1 сисии 51 пяряз 1 стров среды, В 1.ачествс которого обь 1 ьно используют температуру перегретого пара. При тако регулировании нз контроля выпадает наиболсс важная...

Номер патента: 496474

Опубликовано: 25.12.1975

Автор: Керножицкий

МПК: G01K 7/38

Метки: минусовых, немагнитных, сосудах, среды, температур

...постоянныймагнит, а между полюсами магнита и стенкали сосуда размещены магнитореэисторы,включенные в измерительную схему. 20На чертеже дана схема устройства.Оно содержит якорь термоприемника 1иэ антиферромагнитного материала, помещенный в контролируемую среду 2, посто. -янный магнит 3, магниторезисторы 4 5 и 2 в измерительную схему 6. Понит 3, магниторезисторы 4, 57 и термоприемник 1 явл пронизывающего магниторезисторы, вызы вает изменение их сопротивления, которое .регистрируется измерительной схел 1 ой.Так, например, с уменьшением температуры контролируемой среды увеличиваетсямагнитная проницаемость материала тер.моприемника, что приводит к увеличениюиндукции магнитного поля й увелйчениюсопротивления магниторезисторов.о498474...

Номер патента: 678332

Опубликовано: 05.08.1979

Авторы: Власов, Зотов, Панков, Пономарев, Трофимов, Федоров, Чуриков, Шаталов

МПК: G01K 3/02

Метки: значения, среднеинтегрального, среды, температуры

...ерморезисторов изменяется пропорионально среднеинтегральному значеию температуры образца. Измеряя. суммарное изменение оммического сопотивления последовательно включаных терморезисторов с помощью любой змерительной схемы или прибора, полУ- чают информацию об изменении средне-. нтегрального значения температуры образца.Непосредственное измерение среднеинтегрального значения температуры беспечивается тем, что каждый терорезистор выполнен с определенным начальным сопротивлением. Повышение точности достигается тем, что при непосредственном измерении средне- интегрального значения температуры образца отпадает необходимость в применении сложных счетно-решающих устройств, вносящих дополнительную погрешность. Исключение счетно-ре" ающих...

Номер патента: 699359

Опубликовано: 25.11.1979

Авторы: Вахидов, Гаппаров, Каипов, Тавшунский

МПК: G01K 11/20, G01K 11/30

Метки: среды, температуры

...среде, то в этом случае температурное местоположение первого максимума будет являться верхней границей температуры измеряемой среды, а последнего исчезнувшего максимума нижней, Наличие у кристаллов широкого температурного интервала термического высвечивания и значительного количества максимумов (у кристаллов ВаГ - ТКГз, например, от 4 К до 800 К) позволяет проводить измерение температуры предложенным способом с использованием этого кристалла в этом же широком интервале.Способ осуществля от следующим образом. Серию термолюмРкссцРручоших кристаллов, идентичных по внутренней структуре, например, изготовленных из одного моно;, лсталга, обл" ают ядерным излучением при минимально возможных температурах, например, температуре жидкого азота 77...