Тавшунский

Номер патента: 1689810

Опубликовано: 07.11.1991

Авторы: Белогуров, Долгов, Пастушенко, Соколов, Тавшунский, Фирсов

МПК: G01N 21/59

Метки: материалах, оптических, потерь

...и коэффициенту гь определяющему вклад в поглощение нэ рабочей длине волны дефекта 1-го типа. В простейшем случае, если количество центров окраски не зависит от мощности светового пучка, выполняется закон БугерэЛамберта, коэффициент поглощения а не зависит от мощности светового пучка и определяется формулой где- длина образца;о - мощность светового пучка на входе в образец;11 - мощность светового пучка на выходе из образца.Однако, если центры окРаски хотя бы одного типа после поглощения могут длительное время находиться в возбужденном (непоглощаемом состоянии), количество центров окраски этого типа будет зависеть пт мощности светового пучка, что приведет к нарушению соотношения (2). В этом случае потерю мощности Л 1 можно представить...

Номер патента: 1357775

Опубликовано: 07.12.1987

Авторы: Белогуров, Берикашвили, Соколов, Тавшунский, Хабибуллаев

МПК: G01N 3/20

Метки: изгибе, кабелей, образцов, прочностных, свойств

...растягивающее усилие и определяют величину критического напряжения, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью упрощения способа при испытании оптоволоконных кабелей., растяжение образца осуществляют до разрушения сердечника кабеля на участке его изгиба, а радиус К оправки выбирают иэ соотношения 40 б б - Е - 1 г 3Кб -б сЕ - БсбК 45 где 6, -50 ВНИИПИ Заказ 5989/41 Тираж 776Подписное полигр цр-тие г Ужгород, ул, Прк,н, 4 где К - предел прочности световода,б " предел прочности оболочки;Е - модуль Юнга световода,Б - площадь поперечного сечения световода,г - радиус кабеля.Если радиус К оправки определяется из соотношения Е- БсбКто после изгиба образца не происходит его разрушения от изгибающей на- З 0 груэки, а при радиусе К оправки,...

Номер патента: 699359

Опубликовано: 25.11.1979

Авторы: Вахидов, Гаппаров, Каипов, Тавшунский

МПК: G01K 11/20, G01K 11/30

Метки: среды, температуры

...среде, то в этом случае температурное местоположение первого максимума будет являться верхней границей температуры измеряемой среды, а последнего исчезнувшего максимума нижней, Наличие у кристаллов широкого температурного интервала термического высвечивания и значительного количества максимумов (у кристаллов ВаГ - ТКГз, например, от 4 К до 800 К) позволяет проводить измерение температуры предложенным способом с использованием этого кристалла в этом же широком интервале.Способ осуществля от следующим образом. Серию термолюмРкссцРручоших кристаллов, идентичных по внутренней структуре, например, изготовленных из одного моно;, лсталга, обл" ают ядерным излучением при минимально возможных температурах, например, температуре жидкого азота 77...