251723
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 251723
Текст
2 И 723 ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 22,И 1,1968 ( 1258826/25-8) Кл. 211 т, 30/02 Комитет по делам изо 0 ретений и открыти при Совете Министров СССРМПК В 231 риоритет Опубликовано 10,1 Х,1969, Бюллетень Х Дата опубликования описания 19 11.197 К 621.9.047(088,8 СЕС(тВЗИАЯ ПАЕ 11 ТН 0- ГХ 111 чС 1;АД ь Иь.1 ИОТЕОАвторыизобретен И, Курченко и Н. Д. Черенко Заявител Я АНОДНО-МЕХАНИЧЕСКОЙ ОБРАБОТК ЕКТРОЛ поврежденного слоя плоскости реза до 0,2 - 0,3 мм/см; 1 т нового электролита на 13 руб. дешевле; уменьшается износ инструмента на 25%.Новый электролит обеспечивает образование необходимой равномерной анодной пленки в зоне резания, гарантирующей нормальное протекание процесса. Кроме того, исключается заклинивание диска и контактирование с ним отходов процесса в момент их эвакуации благодаря значительно меньшей вязкости электролита и, следовательно, обеспечивается равномерное удаление шлама. 3 - 95 4 - 6 1дмет изобретения Электролит для анодно-механичеботки, включающий воду, жидкоглицерии, отлпчпющийся тем, что,улучшения качества обрабатываемности и повышения производительнокомпоненты взяты в следующем со(в % по объему):вода 9жидкое стеклоглицерин 3 - 954 в с присоединением заявкиИзвестны различные электролиты для анод- но-механической обработки, в частности электролит из стекла, разбавленного водой (плотность 1,28 - 1,32 г/смз) .Недостатками известного электролита явля ются быстрое и прочное засыхание его на поверхности, а также изменение большого слоя структуры металла в плоскости разрезки,Предложенный электролит отличается тем, что компоненты взяты в следующем соотноше нии (в % по объему):вода 9жидкое стеклоглицерин Такой состав электролита устраняет налипание его на поверхности деталей, уменьшает слой измененной структуры металла в плоскости разрезки, а также повышает качество обработки и производительность. 20При использовании предложенного электролита производительность резки такая же, как при электролите из водного раствора жидкого стекла плотностью 1,28 - 1,32 г/смз; отсутствует налипание электролита на поверхности 2 деталей, оснасгки и станка; повышается на один класс чистота и уменьшается величина кои обрастекло и с це чью ой поверхсти труда, отношении
СмотретьЗаявка
1258826
МПК / Метки
МПК: B23H 5/12
Метки: 251723
Опубликовано: 01.01.1969
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-251723-251723.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">251723</a>
Способ обработки поверхности полупроводниковых структур
Номер патента: 780742
Опубликовано: 10.11.1999
Авторы: Золотухин, Криворотов, Марончук, Пинтус, Рудая
МПК: H01L 21/306
Метки: поверхности, полупроводниковых, структур
Способ обработки поверхности полупроводниковых структур, ширина запрещенной зоны которых меняется от максимального до минимального значения вдоль какой-либо координаты, включающий травление структур в электролите, отличающийся тем, что, с целью получения строго однородного молярного состава с заданной шириной запрещенной зоны по всей поверхности, и упрощения технологии, травление начинают с поверхности, имеющей минимальную ширину запрещенной зоны, и в процессе травления на поверхность структуры воздействуют электромагнитным излучением, максимальная энергия квантов которого лежит в интервале от минимального до максимального значения ширины запрещенной зоны исходной структуры.
Способ сухого травления структур с проводящим слоем на поверхности в двухкамерных установках
Номер патента: 1805788
Опубликовано: 27.04.1996
Авторы: Базыленко, Гулевич, Цыбулько
МПК: H01L 21/306
Метки: двухкамерных, поверхности, проводящим, слоем, структур, сухого, травления, установках
...между реакционными обьемами приводит к, невоспроизводимости в определении момента окончания травления. Во избежание этого возмОжны два варианта распределения времени между реакционными объемами: а) тй 11+гй 21 и б) тй 12+тй 22 где тй 1 и тй 2 - время обработки соответственно в первом и втором реакционном обьемах. При этом учтено время стабилизации разряда, в течение которого контроль невозможен. В варианте а) момент окончания травления определяют в первом реакционном обьеме, а в варианте б) - во втором, Максимальной производительности соответствует тот из двух названных вариантов, для которого разница времени обработки в обоих реакционных объемах меньше, т.е, для которого меньше (тй 1 - тй 2). исходя из этого. условие реализации варианта...
Способ сухого травления слоев на поверхности полупроводниковых структур
Номер патента: 1817617
Опубликовано: 20.09.1996
Авторы: Базыленко, Гулевич, Державская, Родин
МПК: H01L 21/306
Метки: поверхности, полупроводниковых, слоев, структур, сухого, травления
...(по абсолютной величине), соответствует моменту начала вскрытия поверхности, находящейся под слоем (нижележащей) структуры. При вскрытии всей немаскированной поверхности нижележащей структуры сигнал стабилизируется, что соответствует моменту окончания травления, Очевидно, отрезок времени между началом роста первой производной сигнала и моментом окончания травления слоя равен времени вскрытия поверхности нижележащей структуры. Это время может быть получено следующим образом. К моменту вскрытия поверхности нижележащей структуры в месте на пластине с максимальной скоростью травления в месте с минимальной скоростью травления толщина остатка слоя составляетЛЬ = (Ч.-Ч.) 1. (1) где Ч, Ч, - максимальная и минимальная скорости травления...
Способ обработки поверхности полупроводниковых структур арсенида галлия
Номер патента: 1542332
Опубликовано: 20.02.1996
Авторы: Авдеев, Колмакова, Матвеев, Мкртчан
МПК: H01L 21/306
Метки: арсенида, галлия, поверхности, полупроводниковых, структур
СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ, включающий обработку в травителе на основе перекиси водорода и удаление кислородсодержащих примесей с поверхности химической обработкой, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества полупроводниковых структур арсенида галлия за счет снижения уровня загрязнения поверхности углеродом и сохранения геометрических размеров структур, в качестве травителя на основе перекиси водорода используют концентрированный водный раствор перекиси водорода и обработку в нем проводят в течение 5 - 10 мин, затем промывают структуры деионизованной водой в течение 10 - 15 мин, а кислородсодержащие примеси удаляют химической обработкой в концентрированном водном растворе аммиака в...
Всасывающее устройство для устранения разбрызгивания электролита в станках анодно-механической заточки
Номер патента: 79390
Опубликовано: 01.01.1949
Автор: Ильинский
Метки: анодно-механической, всасывающее, заточки, разбрызгивания, станках, устранения, электролита
...заточной диск снабжается сквозными прорезями, выполненными по архимедовой спирали, и крыльчаткой вентилятора, укрепленной на его нерабочей поверхности.На фиг. 1 и 2 изображено всасывающее устройство в двух проекциях.Кожух 1 устройства охватывает заточкой диск 2, но обеспечивает доступ к его рабочей поверхности. Диск снабжен прорезямп, выполненными по архимедовой спирали. К диску приварена с его нерабочей стороны крыльчатка 3 вентилятора, Крыльчатка создает в зоне обработки изделия и в прорезях диска вакуум и отводит отработанный электролит в сливные трубки 4 и 5.Заточной диск надевается на съемную втулку б, укрепляемую на конце шпинделя станка, и закрепляется на нем винтом 7 с левой резьбой, предупреждающей его самоотвинчивание....