Способ изготовления микросхемijcli; 5hj3iiftgt; amp; i
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 250235
Авторы: Институт, Костышин, Михайловска, Скуридин
Текст
О П И С А Н И Е 25023 бИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 12,11.1966 ( 1060753/26-9)с присоединением заявки1088938/26Приоритет Кл. 21 а 4, 75 К НОЯс комитет по делам изобретений и открыт при Совете Мииистро публиковано 12.Ч 111.1969, Бюллетеньата опубликования описания 9.1.1970 21.3.049,7088,8). т. Костышин, Е. В, Михайловская и В. П, Скуридин ернетики Академии наук Укр проводников Академии наук УЗаявители нститут киб полуинской ССР и Институкраинской ССР иБлиОтекА пос ГОтОВЛЕНИЯ М ОСХЕМ мет изобретения схем, основанна подложку х свои парароектировании росхемы, отлиовышения стана подложку игмент (Аз,Яз) ления произвосхемы, совмеия с нагревом я 1966 Известны способы изготовления микросхем, основанные на вакуумном напылении на подложку материалов, изменяющих свои параметры под действием света, и проектировании на подложку изображения микросхемы.Цель изобретения - повышение стабильности параметров схемы. Достигается это тем, что на подложку одновременно напыляют аурипигмент (Аз,Зз) и серебро (Ад), а после напыления закрепляют изображение схемы, совмещая проектирование изображения с нагревом подложки.В вакууме порядка 110 4 - 1 10 е мм рт, ст. при температуре 300 - 310 С одновременно напыляют аурипигмент со скоростью 1 - 2 насек и серебро со скоростью 0,1 - 0,5 нм(сек до получения общей толщины слоя порядка 100 в 100 нм.После напыления проектируют на полученный слой изображения элементов схемы, одновременно нагревая подложку для закрепления изображения.До экспонирования нанесенный на подложку слой имеет удельное сопротивление примерно 1000 ом/см, а после экспонирования 10 ом/см, Варьируя длительность экспозиции или интенсивность засветки получают промежуточные значения удельного сопротивления участков слоя. Повторяя описанные процессы напыления и экспонирования получают многослойные схемы. Способ изготовления микро ный на вакуумном напылении слоев материалов, изменяющ метры под действием света, и п на подложку изображения мик чающийся тем, что, с целью п бильности параметров схем, одновременно напыляют аурип и серебро (Ад), а после папы дят закрепление изображения щая проектирование изображен подложки.Приоритет исчислять с 8 июл
СмотретьЗаявка
1060753
М. Т. Костышин, Е. В. Михайловска П. Ф. Романенко, В. П. Скуридин, Институт кибернетики Академии наук Украинской ССР, Институт полупроводников Академии наук Украинской ССР
МПК / Метки
МПК: H05K 3/02
Метки: 5hj3iiftgt, микросхемijcli
Опубликовано: 01.01.1969
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-250235-sposob-izgotovleniya-mikroskhemijcli-5hj3iiftgt-amp-i.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления микросхемijcli; 5hj3iiftgt; amp; i</a>
Предыдущий патент: Устройство для крепления эластичного шнура к стенке кожуха
Следующий патент: Устройство для крепления печатной платы
Случайный патент: Способ возведения основания здания, сооружения