Способ определения быстродействия и живого сечения электропневмоклапана

Номер патента: 437952

Опубликовано: 30.07.1974

Авторы: Орловский, Паллей

МПК: G01N 25/02

Метки: качественных, нефтепродуктов, параметров

...путем их регистрациженин заданного значения.Однако известный способ не обеспечивает требуемого быстродействия и в связи с этим точности контроля, а также является ненадежным.Цель изобретения - повышение точности и надежности контроля.Достигается это тем, что регистрируют оощую для всех каналов кривую изменения параметра, например температуру продукта, создают импульсы, соответствующие различным каналам, и при достижении заданного состояния продукта, например потери подвижности, наносят их на кривую в виде кодированных меток, по месторасположению которых на ней определяют значение параметра, а по величине и направлению этих меток - номер канала кюветы.На чертеже показана схема реализации предлагаемого способа,На одноточечном самопишущем...

Номер патента: 515942

Опубликовано: 30.05.1976

Авторы: Гердов, Киселев, Чекрыгин, Шварц

МПК: G01D 1/00

Метки: параметров, регистрирующее

...представлена на чертеже,Устройство содержит эластичный шаровой разделитель 1, корпус 2, датчики 3 контролируемых параметров с самописцами 4, регистрирующее устройство 5, подпружиненные штоки 6 с самописцами, связанные посредством металлических лент 7 и секторов 8 с выходящими за пределы корпуса 2 сигнальными щупами 9, количество которых может быть равно или более двух, наконечники, выполненные, например, в виде трехлучевыхзвездочек 10. Аппаратура защищена от возможных ударов о стенки трубопровода 11 и5 вибраций, посредством манжеты 12,Устройство работает следующим образом.При движении нефтепродукта по трубопроводу 11 при наличии в нем подкладногокольца 13 (задвижки или специальной встав 10 ки) звездочки 10 при подходе к кольцу...

Номер патента: 938005

Опубликовано: 23.06.1982

Авторы: Муниц, Петров, Шендерович

МПК: G01B 11/06

Метки: параметров, пленки, прозрачной, тонкой

...системыдиэлектрических слоев на границепоследнего слоя и полного внутреннего отражения на грайице измеряемойпленки с воздухом.Способ эффективен,для измерения 30параметров особо тонких прозрачныхпленок.Схема, с помощью которой осуществляют способ, включает основание 1,систему диэлектрических четвертьвол- уновых слоев 2, последний слой 3 подложки, измеряемую пленку 4,. призму5, просвечивающее излучение 6.Зависимость Фазовой характеристики подложки от фазового сдвига в посвледнем слое имеет вид Ь =Х(9), гдед=й-йр, а и Ьр - фазовые сдвигидля Я и Р компонент отраженного света. четвертьволновых слоев с высоким и50 низким показателями преломления, расНа фиг. 3 приведена зависимость значений 1-К =Е(Ы) для системы ди-.электрических слоев от...

Номер патента: 1647614

Опубликовано: 07.05.1991

Авторы: Бродский, Котляревский, Уваров

МПК: G07C 5/08

Метки: параметров, регистрации, средства, транспортного, эксплуатации

...В этом случае по шине связиблока 2 и блока 3 передается сигналпо двум (трем и т,д.) каналам, которые через блок 3 записываются в двух(трех и т.д,) разрядах очередной выставленной для записи свободной ячей"ки памяти в блоке 4, После производства записи в блоке 4 по сигналам отблока 6, блок 7 и генератор 9 аналогично описанному выше для одного канала выставляется для записи очередная свободная ячейка памяти, а всеустройство вновь подготавливается кзаписи новой информации. Это значит,что транспортное средство может эксплуатироваться в условиях, когда величины двух (трех и т,д.) параметровпревышают заданное значение.Режим чтения информации задаетсявключением ключа 43 в состояние"Чтение". В этом случае сигнал атключа 43 блока 6 поступает...

Номер патента: 1062579

Опубликовано: 23.12.1983

Авторы: Григорьев, Евграфов, Кринари, Халитов

МПК: G01N 23/207

Метки: аксиальной, анализа, дифрактометрического, объектов, поликристаллических, рентгеновского, текстурой

...под Углом 2 8, а плоскость образца подсоответствующим ему углом сд к направлению прямого пучка и приводядетектор и держатель образца в совместное синхронное вращение такимобразом, что угловое положение образцаи детектора 6 в каждый моментудовтелворяет соотношению:5 о 9 о= ки6 асс со 5и 6 65)гоотры элементари прямой ресос -со 5 Со(со Во 5н у доопар амной ячейщетки; де где- число натурального ряда0; 1; 2 и т.д.После этого повторяют указанную операцию для всех значений 9 г и, регистрируя при этом интенсивность рассеянного излучения, устанавливают углы дифракционных максимумов для отражений общего положения,Б основу способа положены особенности дифракции.рентгеновских лучей на поликристаллических объектах с ярко выраженной аксиальной...