222077

Номер патента: 516855

Опубликовано: 05.06.1976

Авторы: Спирин, Тарасов, Червяков

МПК: F16H 1/28

Метки: корпусу, крепления, крышки, планетарного, редуктора, узел, эпицикла

.... присоединением заявки(46) Дата опубликоваш Изобретение относится к зубчатым передачам, в частности к конструкции крепления элементов к корпусу планетарного редуктора.Известен узел крепления эпицикла и крышки к корпусу редуктора, в котором все три элемента имеют фланцы, скрепляемые обшей. шпилькой 1,Недостатком такого узла; является его большой диаметральный размер. 10Наиболее близким к предлагаемому изобретению из известных является узел крепления эпицикла и крышки к корпусу редуктора, в котором эпицикл запрессован в корпус и по месту запрессовки установлены 15винты, крышка крепится к корпусу при помощи шпилек2.Недостатком укаэанного узла является также необходимость выполнения на корпусе фланца, к которому крепится крышка, что...

Номер патента: 1425396

Опубликовано: 23.09.1988

Авторы: Лукьянов, Третьяков

МПК: F16H 57/00

Метки: корпус, приборного, редуктора

...смежными с базовым. "ак, расстояния между отверстия- ЗО ии 11"Яр 11" Зр 11 ц и 11 2 равны сле дующим значениям 38 Зб, 32 и 30 мм соответственно.В корпусе (фиг. 3) введено допол,нительное отверстие 12 под подшипники, значение расстояния от которого до двух любых отверстий, расположен" ных друг от друга на расстоянии, лежащем в пределах Ж 8 - 2 АЗ, где Адзначеиие базового расстояния между 4 О отверстиями, принадлежит к тому же станд;.ртному ряду и в данном случае расстс яние между отверстиями 11-12 и 6-1", равны по 45 мм а АЗ = 34 ммПрк сборке редуктора на базе предлагаемого. корпуса приборного редуктора использование стандартизованных линейьых размеров позволяет унифици" ровать приспособления для изготовления и контроля корпусов....

Номер патента: 1167385

Опубликовано: 15.07.1985

Авторы: Казаков, Меркулов, Олейников, Пащенко, Харламов, Чичкан, Юргилевич

МПК: F16H 57/00

Метки: комбайна, корпус, поворотного, редуктора, угольного

...которые деформируют корпус, что, в свою очередь, приводит к изгибам и перекашиванию осей зубчатых передач, способствующих нарушению зубчатых зацеплений и изменению крутящих моментов. В результате таких деформаций в редукторе увеличивается износ зубчатых зацеплений, что приводит к снижению долговечности.Цель изобретения - повышение долговечности и расширение эксплуатационных возможностей корпуса поворотного редуктора угольного комбайна.Указанная цель достигается тем, что в корпусе поворотного редуктора угольного комбайна, поперечное сечение корпуса представляет собой двутавр.На фиг. 1 приведен комбайн, общий вид; на фиг. 2 - сечение А - А на фиг. 1.Поворотный редуктор угольного комбайна состоит из корпуса 1 с полками 2 и дополнительными...

Номер патента: 51482

Опубликовано: 01.01.1937

Автор: Феоктистов

МПК: G01N 23/04, G03B 17/28

Метки: кассета, образца, производства, различных, рентгеновских, ряда, слоев, снимков, срезов, целого

...стоять теньточки 9, на пленке 11 неподвижной ,будет тень 8 и, наконец, на пленке 12 ,неподвижной будет тень 7. Каждаяпленка заснимет таким образом теньэлементов только своего слоя, а элементы всех других слоев будут на нейразмазаны,Для осуществления этого одновременного с одинаковой скоростью движения трех (или большего числа) пленок, размещенных на определенныхрасстояниях друг от друга, предлагается нижеследующая конструкциякассеты, как одна из возможных.Кассета, предлагаемая для выше-указанной цели (фиг. 2, 3) представ-ляет сооою пустую коробку 13 раз-мером 4040 с.и и высотой от 10 до20 слс в зависимости от конструкциитомографа и той высоты, на которойнаходятся в организме снимаемые внем слои.В корооку последовательно кладут-ся...

Номер патента: 1736304

Опубликовано: 20.03.1998

Авторы: Валеев, Волк, Воротилов, Петровский

МПК: H01L 21/324

Метки: диэлектрического, изолирующего, интегральных, металлизации, многоуровневой, планаризации, слоя, схемах

Способ планаризации изолирующего диэлектрического слоя многоуровневой металлизации в интегральных схемах, включающий нанесение плазмохимическим методом на поверхность интегральной схемы с металлизацией первого слоя диоксида кремния, последующее нанесение пленкообразующего спиртового раствора тетраэтоксисилана, отжиг при 100-150oC при нагревании со стороны подложки с образованием планаризующего слоя диоксида кремния, плазмохимическое травление этого слоя, нанесение второго слоя диоксида кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения качества планаризации за счет устранения растрескивания и отслаивания слоев диоксида кремния, нанесение пленкообразующего раствора производят при температуре подложки 40-60oC, а отжиг...