Способ определения чистоты молибдена и вольфрама
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
.ЧПК В 01 Г 1 риорцтстОпубликовано 02 Комитет оо дедамизобретений и открытиори Совете МинистровСССР УДЕ 669.274:669.284-1:620.18 (088,8) 1.1967. Бюллетень Ъо 24 Дата опубликования описания 22.1,196 авторыизобретения Яейнб В. Д. Бородич, Г. К, Зеленский Заявител ПОСОБ ОПРЕДЕЛЕН И ВО.) кон- учдст- гранццт глсродд, азотоликрцстяллцрсимущсствсн слородя, у ются в и С,15 ПОТСЯ 1 н.ОВЛСЦЦЫЙ ТДКИ кцй учасгок по 1 У ИСС:1 СДОВЯН монокристаллов прим ссных вк пения кц цен грцру кс и выд цдм зсрс Г 1 одгот талл цчсс фичсскох чистоте и форме 0 зеренсскох по по обрдз сргяю ликрис- ктогрдГС,1 ьоп ичеству янина 5 х пофрР 11 ВН 1о ко.по г судят п дючснци зоб е Известен способ определения чистоты поликристалличсских образцов молибдена путем фрактографического исследования.Отличием описываемого способа является то, что для определения фрактогряфцчсскцм исследованием относительной чистоты моно- кристаллов вольфрама и молибдена, участок исследуемого монокристаллического образца сначала переводят в поликристаллическое состояние, а затем нагревают совместно с прилегающими к нему участками монокристалля (длиной не менее длины поликристаллического участка каждый) до максимальной температуры, меньшей температуры плавления, и охлаждают в течение времени, необходимого для выделения примесей по границам зерен. По описываемому способу, поликристаллический участок создают путем расплавления части монокристалла в вакууме с последующим охлаждением или путем зонной плавки со скоростью перемещения зоны, большей скорости роста монокристалла.После создания поликристаллического участка, его нагревают вместе с прилегающими участками монокристалла такой же или большей длины до температуры, близкой к температуре плавления, а затем охлаждают.Б результате охлаждения примеси (соедиЧИСТОТЬ МОЛИБДЕНАФРАМА Предмет и р тснияСпособ определения шстоты молибдена цвольфрама путем фрактографцчсского иссле довдния полцкрцсталлцческцх образцов, от.гчаогг 1 пйсхг тем, что, с цельо определения Относительной чистоты хОцокрпсталлов, у 111- сток монокристаллического образца перед исследованием сначала переводят в поликрц сталлцчсскос состояние путем расплавленияв вакууме с последующим охлаждением или путем зонной плавки со скоростью перемещения зоны, большей скорости роста монокрцсталлд, а затем нагревают совместно с приле гающимц к нему участками монокрцсталла,длиной нс менее дл 1 ны поликристаллического участка каждыц, до максцмальной температуры, меньшей температуры плавления, и охлаждают в течение времени, необходимого 30 для выделения примесей по границам зерен.
СмотретьЗаявка
1020704
В. Д. Бородич, Г. К. Зеленский, Б. Н. Шейнберг
МПК / Метки
МПК: G01N 25/02
Метки: вольфрама, молибдена, чистоты
Опубликовано: 01.01.1967
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-205818-sposob-opredeleniya-chistoty-molibdena-i-volframa.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения чистоты молибдена и вольфрама</a>
Предыдущий патент: 205817
Следующий патент: 205820
Случайный патент: Способ изготовления стеклянных блоков с керамическими боковыми стенками