182721

Номер патента: 1268511

Опубликовано: 07.11.1986

Авторы: Валевский, Вечер, Масленко, Прокофьева, Скоропанов, Скумс

МПК: G01L 11/00

Метки: вещество, высоких, давлений, датчиков, реперное

...г селена для получения однородной смеси и засыпают в подготовленные кварцевые ампулы. Ампулы изготавливают следующим образом. Берут кварцевые трубки длиной 100 мм с внутренним диаметром 10 мм для селенида свинца и 6 мм для селенида германия и толщиной стенки по 2 мм, С помощью кислородно-газовой горелки запаивают один конец, а на .расстоянии -25 мм от незапаянного конца делают сужение для возможности последующей перепайки после засыпки смесей и создания вакуума внутри ампул. Кварцевые ампулы тщательно промывают "царской водкой" и дистиллированной водой и в течение 2 ч подвергают сушке при температуре 430 К,5 10 20 25 ЗО 35 45 После засыпки смесей свинца с селеном и германия с селеном ампулыподсоединяют к Форвакуумному насосу,откачивают...

Номер патента: 1791736

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Белозубов, Мокров

МПК: G01L 9/12

Метки: веществ, давления, трубопроводе

...электродов на гибком диэлектрике, закрепление д 1 э 35 40 бопроводом и исключения пожаровзрывоопасности и влияния наводок трубопровода на измерительные цепи. Закрепление на кольцевых прокладках втулки из токопрбводящего материала коаксиально электродам с зазором относительно них повыйает точность вследствие возможности создания минимальных межэлектродных зазоров и увеличения за счет этого величин емкостей рабочего и компенсационнго конденсаторов, а также повышает надежность вследствие уменьшения требуемой величины необходимых деформаций трубопровода для обеспечения необходимой модуляции межэлектродного зазора рабочего конден Кроме того, закрепление втулки на кольцевых прокладках повышает технологичность вследствие упрощения процесса...

Номер патента: 812333

Опубликовано: 15.03.1981

Авторы: Ададуров, Мессинев

МПК: B01J 3/08

Метки: веществ, давлением, дина-мическим

...импульсное давление созда ется путем тарможения продуктов детонации заряда взрывчатого вещества (ВВ), расположенного в контакте с ампулой, или ударом пластины, разогнанной до высокой скорости продуктами взрыва (13.Недостатком этого способа является то, что обработка импульсным давлением свыше 0,6 млн. агм. требует резкого увеличении габаритов заряда и блюмса, а также усложнения ускоряющих систем. Превышение указанного предела, давпенийпри контактном односторонйем воэдейсгвии вообще невозможно иза ограниченной мощности современных взрывчатых%веществ (ВВ).Цепь изобретения - повышение предела динамических давлений и снижение,материальных затрат на процесс обработки.Поставленная цель достигается тем,то что в способе, включающем обработку...

Номер патента: 1397070

Опубликовано: 23.05.1988

Авторы: Ададуров, Гольданский, Жаров, Казакевич, Нащекин

МПК: B01J 3/08

Метки: веществ, высоким, давлением, динамическим

...1 помещают обрабатываемое 35 вещество 2, после чего ее закрывают. На поверхности ампулы монтируют в виде спирали 3 взрывчатое вещество,Между витками спирали помещают инертное вещество 4. К концу спирали подсоеди-. 40 няют капсюль-детонатор 5, с помощьюкоторого осуществляют детонацию взрывчатого вещества, Затем ампулу вскрывают и извлекают продукт превращения.В результате детонации спиралевид ного слоя взрывчатого вещества в стенки ампулы и исследуемоевещество входит ударная волна, распространяющаяся сверху вниз и вращающаяся по спирали. При этом происходит увели чение времени взаимодействия высоких давлений по сравнению с известным и степени турбулизации потока вещества во время сжатия,Для увеличения давления в центре исследуемого...

Номер патента: 1334050

Опубликовано: 30.08.1987

Авторы: Горбов, Горшенев, Грохольский, Конев, Тарасенко

МПК: G01L 9/12

Метки: веществ, давления, трубопроводе

...Н При коррозии на поверхностях экранных и потенциальных элеКтродов преобразователя возникают диэлектрические пленки, которыми в первом случае вызывают уменьшение емкости, а установленным напротив него на изоляторах внутри общего экрана компенсационным кольцеобразным электродом,общим экраном и дополнительным экраном, коаксиально с зазором располо-женным между компенсационным электродом и трубопроводом,На чертеже дано устройство, общийвид.Устройство содержит экран 1, высокопотенциальный 2 и низкопотенциальный 3 электроды, образующие с трубой4 в в поперечном сечении рабочий конденсатор, изоляторы 5, высокопотенциальный электрод 6 компенсационногоконденсатора с дополнительным экраном7, Измерительный и...