167926

Номер патента: 703238

Опубликовано: 15.12.1979

Авторы: Голобокова, Пантер, Поддубная, Продан, Элиасберг

МПК: B22F 9/00

Метки: гамма-окиси, железа, магнитного, основе, порошка

...температуре 350 - 500 С и давлении 30 - 200 атм.Применение высокого давления в .процессе термообработки повышает диффузионную активность ионов кобальта, что способствует получению более совершенной структуры феррита, а также обеспечивает воз-"Ъбжность" уменьшения содержания кобальта в порошке при сохранении его высоких" " " магчитных характеристик по сравнению спорошком, полученным известным способом (без применения высокого давления).Применение давления в указанных пределах обусловлено тем, что при давлении менее 30 атм эффект совершенствования структуры не наблюдается, а выше 200 атмпроисходит разрушение игольчатой формы частиц феррита, что приводит к ухудшению магнитных свойств порошка. Наиболее оп =" "ТИЮЙьйым...

Номер патента: 828468

Опубликовано: 23.11.1983

Авторы: Астапов, Юдочкин

МПК: B01D 53/02

Метки: газов, окиси, основе, поглотителя, сернистых, соединений, цинка

...окиси цинка для очист 55 ки газов от сернистых соединений., включающего обработку окиси цинка химическим реагентом и углекислым газом, сушку образующихся основных углекислых со)ей цинка,прокалку и 60 формование, после обработки окиси цинка химическим реагентом и углекослым газом проводят непосредственно сушку основных углекислых солей .цинка, 65 В качестве химического реагента предпочтительно используют дистиллированную воду.Основной отличительный признак предлагаемого способа - определенная последовательность стадий - относится как к использованию известного реагента (аммиачной воды), так и к применению нового .реагента (дистил- . лированной воды) .Сущность изобретения заключается в том, что по предлагаемому способу обработку окиси...

Номер патента: 442827

Опубликовано: 15.09.1974

Авторы: Кузьмина, Лазаревская, Лобачев

МПК: B01J 17/04

Метки: выращивания, гидротермального, монокристаллов, окиси, цинка

...укрупнение мелкодисперсной окиси цинка и ооразуются мелкие кристаллики ХпО, в дальнейшем питающие раствор. Такая схема составления шихты позволяет избежать образования многочисленных нежелательных центров кристаллизации и одновременно значительно упрощает и ускоряет процесс насыщения раствора, позволяя исключить предварительную стадию и сразу создавать в автоклаве нужные условия для роста на затравку.Растворителем служат растворы едкого натрия, едкого калия концентрацией 10 - 15 М, содержащие 1 - 3 моль 1.ЮН, 0,1 - 0,4 моль ХН 4 ОН марок х. ч., ос. ч.,Для повышения удельного сопротивления получаемых монокристаллов в шихту вводят КС 10 з,КМп 04, АягОг и другие окислители.Затравками служат кристаллы окиси цинка, полученные в...

Номер патента: 85834

Опубликовано: 01.01.1950

Авторы: Голянд, Пителина

МПК: B01D 53/02

Метки: газоочистительной, массы, окиси, цинка

...Однако брпкстировапнье таблетки пз окиси цинка являются механически непрочными,Предлагаемый сгосоо получения газоочистительной массы из окиси цинка, употребляемой для очистки промьпплеиных газов от соединений серы, позволяет получать прочные таблетки окиси цинка, обладающие высокими пог 1 отптеаььт 1 и свойствами и легко го;аоинеся регенерации.Отличительная особенность способа заключается в том. что к окиси цинка ирибавлот фосфорную кислоту в котшчестве около 0,5%, что повышает мехаическую прочность массы.Для изготовления поглотительнои массы к 100 кг измельченной окиси цинка прп перемениванин прибавляют 20 л 2,5%-гого раствора фосфорной кислоты. После этого влажный иорогиок подвергают таблотированию под давлением 1500 - 2500 кг/см-,...

Номер патента: 166778

Опубликовано: 01.01.1964

Авторы: Джагинов, Рум

МПК: H01C 7/04

Метки: окиси, термосопротивлений, цинка

...величины омического сопротивления готового изделия в холодном состоянии. Так, например, при обжиге дисковой заготовки диаметром в 10 мм и толщиной 3 мм при температуре 1250 С получают термистор с начальным сопротивлео нием порядка 100 ком, а при термообработкетой же заготовки при температуре 1400 С - с начальным сопротивлением порядка 100 ом.После часовой выдержки при максимальной температуре обжига заготовки резко ох лаждают, сбрасываяих на холодную (+20 С)алундовую плиту. В результате термоудара происходит стабилизация параметров термосопротивлений.Торцовые контактные покрытия получают О графитированием торцов заготовок или металлизацией торцов. Металлизация может производиться вжиганием серебра или осаждением из газовой фазы...