Способ лазерной обработки

Номер патента: 1018573

Опубликовано: 10.04.1995

Авторы: Григоров, Мартынович, Токарев

МПК: H01S 3/16

Метки: активных, затворов, лазерная, пассивных, среда, элементов

ЛАЗЕРНАЯ СРЕДА ДЛЯ АКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ И ПАССИВНЫХ ЗАТВОРОВ на основе монокристалла с центрами окраски, отличающаяся тем, что, с целью повышения устойчивости кристалла к действию оптического излучения и расширения спектрального диапазона, она выполнена на основе монокристалла окиси алюминия.

Номер патента: 1393290

Опубликовано: 27.02.1995

Авторы: Барышников, Мартынович, Щепина

МПК: H01S 3/16

Метки: активной, лазерной, лития, монокристалла, основе, среды, фторида, центрами

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ АКТИВНОЙ ЛАЗЕРНОЙ СРЕДЫ НА ОСНОВЕ МОНОКРИСТАЛЛА ФТОРИДА ЛИТИЯ С F*002-ЦЕНТРАМИ по авт. св. N 1322948, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности концентрации F2-центров, облучение электронами производят в течение интервала времени от 0,1 до , где t - время жизни анионной вакансии.

Номер патента: 1322948

Опубликовано: 27.02.1995

Авторы: Барышников, Григоров, Мартынович, Щепина

МПК: H01S 3/16

Метки: f2-центрами, активная, лазерная, лития, монокристалла, окраски, основе, среда, фторида

АКТИВНАЯ ЛАЗЕРНАЯ СРЕДА НА ОСНОВЕ МОНОКРИСТАЛЛА ФТОРИДА ЛИТИЯ С F*002-ЦЕНТРАМИ ОКРАСКИ И СПОСОБ ЕЕ ПОЛУЧЕНИЯ.1. Активная лазерная среда на основе монокристалла фторида лития с F2-центрами окраски, отличающаяся тем, что, с целью снижения порога накачки и повышения оптической устойчивости центров окраски, концентрация F2-центров соответствует коэффициенту их оптического поглощения в интервале 100 - 700 см-1.2. Способ получения активной лазерной среды на основе монокристалла фторида лития с F2-центрами , включающий облучение монокристалла ускоренными электродами, отличающийся тем, что, с целью снижения порога накачки и повышения оптической устойчивости центров окраски,...

Номер патента: 1447220

Опубликовано: 27.02.1995

Авторы: Барышников, Мартынович, Щепина

МПК: H01S 3/16

Метки: лазерной, окраски, приготовления, среды, центрами

СПОСОБ ПРИГОТОВЛЕНИЯ ЛАЗЕРНОЙ СРЕДЫ С F+3-ЦЕНТРАМИ ОКРАСКИ, включающий облучение монокристалла LiF потоком ускоренных частиц, отличающийся тем, что, с целью снижения порога генерации, облучение проводят в течение интервала времени от 1 10-8 до 6 с с плотностью потока не менее 2 1012 частиц/см2.

Номер патента: 568318

Опубликовано: 25.08.1978

Авторы: Дядюша, Зубаровский, Морейко, Пржонская, Сыч, Тихонов, Ходот

МПК: H01S 3/20

Метки: активная, лазерная, среда

...стоксовых сдвигов (до 2000- 2200 см) происходит, когда к атомам азота присоединяются гетероароматические заместители - пиридил или бензотиаэолил (красители Ко 5, 6 и 7). Напротив, введение гетероароматических заместителей в другие положения ядер ( Я ) (кра 40 ситель % 2) практически не влияет на величину стоксовых сдвигов. Таким образом, использование заместителей Й и Р, обладающих собственнойИ45 1 Г -электронной системой, позволяет увеае, личнть стоксов сдвиг от 600 до 2200 см за счет включейия Г -электронной системы этих заместителей в обшую Ж- электронную систему полиметиновой цепи ответственную за флуоресценцию из пер вого возбужденного синглетного состояния.Ароматические или гетероциклические заместители обладают собственной 7...