Способ определения точки кюри в сегнетополупроводниках

Номер патента: 714261

Опубликовано: 05.02.1980

Авторы: Земляков, Строкова, Сукиязов

МПК: G01N 27/22

Метки: кюри, сегнетополупроводниках, типа, точки

...1, должно быть таким,чтобы изменение емкости ьС при изменении давления было достаточным, чтобыего можно было зафиксировать.15 В качестве образцов взяты текстурированные сростки ббпр 3,Предлагаемый способ осуществляетсяследующим образом,Образец 2 помещают в приспособление20 1 для одноосного сжатия, вдоль сегнетоэлектрической оси прикладывают механиФческое напряжение Р и измеряют емкость.образца С с помощьк измерителя Э емкости. Затем к образцу прикладывают ме 25 ханическое напряжение Р вдоль того же2направления и измеряют емкость С 2,после чего определяют температуру фазо- .вого перехода (точку Кюри) по формуле:30 С к С-С ( 2 11 (1)2где- температура фазового перехода (точка Кюри);Т, - . комнатная температура;" - коэффициент сдвига гочки...

Номер патента: 518747

Опубликовано: 25.06.1976

Авторы: Лозинский, Обозовский, Чуев, Яремкевич

МПК: C01R 33/12

Метки: кюри, точки, ферромагнетиков

...тейнере 12 из нержавеющей немагнитной стао ли. Контейнер 12 служит для выравниваниятемпературы по объему образца 4,1 ВУстройство работает следующим образом.При проведении измерений контейнер 12с образцом 4 и темопарой 5 помещают вэлектропечь 1 так, чтобы середина образца4 находилась в плоскости измерительной катушки 3.Включают питание, при помощи автотрансформатора 10 устанавливают в нагревателе2 электропечи 1 ток, необходимый для нагрева образца 4 до температуры, превышающей температуру точки Кюри. Г 1 ри этом в измерительной катушке 3, как во вторичной обмотке воздушного трансформатора будет индуктироввться э.д.с., зависящая от тока в нагревателе 2 и магнитного состояния (магнитной проницаемости) образца 4.Напряжение на вторичной...

Номер патента: 1772816

Опубликовано: 30.10.1992

Авторы: Кульчицкая, Очеретяный, Ушаков

МПК: G09B 23/18

Метки: демонстрации, кюри, прибор, точки, ферромагнетиков

...взаимноперпендикулярных синфазных колебаний),2, Если вертикальный вход осциллографа на фиг, 1 подключить к точкам а и с, наэкране наблюдается отрезок горизонтальной прямой,3. При подключении контуров 1 и 2 кдвухлучевому осциллографу кривые сливаются в одну,После настройки прибора, в катушку Ьрабочего контура вводят нагретый испытываемый образец. Если температура образцаокажется вь 1 ше точки Кюри, изображение наэкране осциллографа не изменится, т, к. образец в п арама г нитном состоянии обладает малой магнитной проницаемостью, и поэтому индуктивность рабочего контура 1 остаетсяпрактически неизменной, По мере остывания образца его температура приближаетсяк точке Кюри, и с момента ее достиженияпроисходит быстрое увеличение...

Номер патента: 134937

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Белоусов, Ковалевич, Равкинд, Стукалов

МПК: F02B 9/04, F02M 21/04

Метки: в2-300, газожидкостному, газосмесительное, двухфазному, дизелей, дизельному, наддува, например, нормальному, процессу, работы, рабочему, типа, четырехтактных

...различного диаметра отверстия. Через эти отверстия из кольцевого окна о поступает газ, В патрубке 3 установлена дроссельная за Хо 134937слонкя , с 135)зянна рычаГЯ)и 7 ии т 51 Гои 9 с реГугятором )исг)я 00)- ротов 10.Трубя 2 имеет из вход флансц 11, к которому плотно примыкает фла)цц 12 с отверстием, равным проходному сечению впускного труб- провода. Отверстие фланца 12 может быть закрыто заслонкой э, при. жатой пружиной 11. При помощи пальца 15 и тяги 16 с рукояткой /, выведенной на пульт управления,(вигатсля, входное отверстие труоы с пом 011 ыо заслонки 1 с 1 .110)кт Оыть Открь)то пол ИОстьк), частично и.11 закрыто.При газовом процессе с искровым зажиганием входное отверсти трубы 2 закрывается (фиг. 2),Яз, поступающий в...

Номер патента: 621239

Опубликовано: 15.08.1979

Авторы: Милевский, Ткачева

МПК: H01L 21/02

Метки: диодного, кристалле, п-типа, перехода, полупроводниковом, р-п, транзисторного

...по делам изобретений и открытий 113035 Иосква ЖРа ская наб. . 4 5филиал ППП Патент, г, Ужгород, ул. Проектная, 4 тем самым более четкую, гранину между р-п"областями, увеличивая эффектвыпрямления и, следовательно, улучшая качество изделий,Примеры выполнения предлагаемого способа.П р и м е р 1. Изготовление полевого транзистора из монокристалла.кремния и-типа с исходным удельнымсопротивлением 100 Ом см, выращенного по методу Чохральского и содержащего ростовые дислокации10 смДеформацию осуществляют пуансонамииз ЯО при 900 С втечение, ЬО мйнс нагрузкой 1 кг/мм 2. Толщина исходной пластины кремния равна 0,1 мм.Для одновременности проведения дефор"мации и легирования перед началомдеформации на острия пуансонов наь 3носят каплю спиртового...