Интерферометр, репесматриваемый по длине волны

.фь". 1" ф;ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ47 у 634 Союз Советских Союиалистическик Республик1) 1926750/26-2 рисоединением заявки-Государственный комитет Совета Министров СССР по делам изобретений, Е. Воробьев, И. В. Крутецкий и А. Е. Федорцев еверо-западный заочный политехнический институт 1) Заявител 4) ИНТЕРФЕРОМЕТР, ПЕРЕСТРАИВАЕМЫ ПО ДЛИНЕ ВОЛНЫэтои области показатель преломления полупроводника на рабочей длине волны интерферометра заметно отличается от показателя преломления кристаллической решетки в от сутствие подвижных носителей тока.На чертеже приведена, схема одного пз вариантов выполнения интерферометра, имеющего пластину с одним р - и переходом.Приняты следующие обозначения; перест О раиваемый элемент 1, источник 2 управляющего напряжения; зеркала 3,МЛодля и пгетипа Р Лд. я р-т; т" С 2 ел=в де и Изобретение может быть использовано в различных оптических системах, в частности в качестве перестраиваемого лазерного резонатора в инфракрасном диапазоне длин волн.Известны интерферометры, в которых перестройка по длине волны происходит за счет изменения расстояния между отражающими поверхностями (зеркала кои) . При механической перестройке трудно соблюсти строгую параллельность смещения зеркала. Вследствие этого добротность механически перестраиваемого резонатора невысока, особенно в диапазоне инфракрасного и видимого света, где возрастают требования к параллельности смещения. Осуществление механической перестройки со сверхвысокими частотами невозможно.Цель изобретения - увеличение добротности перестраиваемого резонатора и повышение максимальной скорости перестройки,Это достигается за счет электронной перестройки длины волны интерферометра, осуществляемой помещенной между отражающими поверхностями интерферометра плоско- параллельной полупроводниковой пластиной с р - и переходом, плоскость которого параллельна поверхности пластины. При этом хотя бы одна из областей пластины легируется донорной примесью до такой степени, что в Диэлектрическая проницаемость полупника в определяется по формулам; в . - высокочастотная диэлектрическая проницаемость полупроводника в отсутствие свободных носителей тока;е - заряд электрона;Р - концентрация свободных электронов в и-материале и дырок в р-материале;аказ 999,"1421ЦНИИПИ Изд Лв 8 осуда рственногого делам изоМосква, Ж-З 5,Тираж 833омитета Совета Минисетений и открытийаушская наб., д. 4/5 ПодписноеСССР Тип. Харьк. фил Патент(,о - длина волны инфракрасногосвета;иг" (и - эффективные массы электрои рнов и дырок;С - скорость света.В области объемного заряда р - п перехода диэлектрическая проницаемость равнав из-за отсутствия в этой области подвижных носителей тока. Показатель преломлениявещества равен .квадратному корню из диэлектрической проницаемости. Поэтому полупроводниковая пластина с р - п переходомможет быть представлена, с точки зрения оптики, в .виде трехслойной структуры с показателями преломления и=)(е в и-области,по,в,з=п(в. - в области объемного заРЯдаи пр -- 1( вр - в р-области,Длина оптического пути 1 излучения впластине будет равна: где йи йр - расстояния от плоскости металлургического р - п перехода до граней пластины в р- ип-областях, а1, и 1 р - толщины областей объемногозаряда в п- и р-областях.При изменении управляющего напряжения, являющегося напряжением смещенияр - и перехода, изменяетоя толщина областейобъемного заряда 1 и 1 р и, следовательно,длина оптического пути излучения в пластине 1. Тем тамым осуществляется перестройкарезонатора по длине волны,Величина Л изменения длины оптическогопути в пластине определяется по формуле: ь= - ) - (1/а;+ -1.ц- ,: - + - .,:- (4)1 1 1 О где гр - контактная разность потенциалов пи р областей. Для увеличения диапазона перестройки по длине волны между отражающими поверхностями интерферометра может быть помещено несколько перестраивающих пластин. В этом случае измененне олтичеокой длины пути излучения в интерферометре будет равно сумме величин Л в каждой пластине,20 Существенный выигрыш может быть получен в случае применения многослойной р - п структуры. 25 Предмет изобретения Интерферометр, пересвраиваемый по длине волны, содержащий две отражающие поверхности и источник управляющего напряже- ЗО ния, от,гичаюшийся тем, что, с целью увеличения скорости перестройки, в нем между отражающими поверхностями расположена полупроводниковая пластина с р - (г переходами, непараллельными оптической оси, соединен ными с источником управляющего напряжения.