Патенты с меткой «бистабильного»

Номер патента: 197025

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Котовщиков, Мичев

МПК: H01J 29/44, H01J 31/58

Метки: бистабильного, потенциального, рельефа, форл1ирования

...рельефаной проводимостью25 содержащей два пртоки электронов двлиапюпсийвя тем, чтмени сохранениясигнала, с помощьюЗО ка электронов подде тем, что с а электрооужденной , облученнергией, и и, равный х мишени,Известен способ записи двухградиционного потенциального рельефа с помощью двух потоков электронов различных энергий на мишени с возбужденной проводимостью электроннолучевой трубки (ЗЛТ).При облучении мишени потоком электронов, энергия которых не достаточна для возбуждения приводимости диэлектрической пленки, нанесенной на проводящую подложку мишени, на мпшени фиксируется потенциал коллектора, который выше потенциала сигнальной пластины мишени.Запись осуществляется при бомбардировках мишени фотоэлектронами, энергия которых достаточна...

Номер патента: 1069010

Опубликовано: 23.01.1984

Авторы: Великодный, Задерей, Ивкин, Яценко

МПК: H01B 13/00, H01F 1/032

Метки: бистабильного, магнитного, провода

...: Еьно, ТИ, Ст(1. ТаЕТ( я б) 1иОкет Гыгь пт тметт .Пр)1 БЕПИЧИНЕ ТОС(Л,)т "ЕЛ,Лчка н т;ат 1 т - ея с(.т:,;0С СЗОБ:топоКанна НаМа 11: -, -т.рз Б о г мо 1(е т быи ) 1 Б е 1 1 е -1 -ВО БГ(1 НИЗ КОЕ ;,Ст( Б СН зХ СВОЙСТВ Г(РОЯБЛЯЕНИТНОГО ПРОБОДа 11-(.=.Т;.С-.ЛИтп.злнительного скгч 1 а11)е делах- ( 0Б в(т -; ; ",гс.(1 о(:ти,. (с . являет -10 б 9010 1482/48 Тираж 687 Подписное Н РАПИ ка нт", г ли ал ППП соответствует состоянию, когда сердцевина и оболочка намагничены в одном направлении, В - скачкообразномуизменению направления намагниченностисердцевины (основной скачок намагни-.ченности), С - непрерывному изменению намагниченности оболочки, Эскачкообразному изменению направлениянамагниченности оболочки, дополнительный скачок...

Номер патента: 1638700

Опубликовано: 30.03.1991

Авторы: Лукашев, Рубцов

МПК: G02F 1/03

Метки: бистабильного, гибридного, режима, стабилизации, элемента

...одновременно увеличиваются выходные сигналы циАроаналогового преобразователя 14 и суммирующего усилителя 7. Вследствие этого,уровень остаточной интенсивностиувеличивается до зацанногоНапряжения на входах устройства 9 сравнения становятся равными, первый ключ10 закрывается и поступление импульсов на вход прямого счета реверсивного счетчика 13 прекращается. Содержимое счетчика 13 соответствует такому регулирующему напряжению, котороекомпенсирует воздействие дестабилизирующего Аактора,При изменении температуры модулятора, вызывающем увеличение пропускания модулятора, уровень остаточнойинтенсивности увеличивается, что вызывает увеличение сигнала на выходесхемы 6 вьщеления уровня остаточнойинтенсивности. Устройство 9 сравнения...

Номер патента: 548180

Опубликовано: 09.06.1995

Авторы: Воробьев, Елинсон, Колмогоров, Панфилов, Симаков, Степанов

МПК: G11C 11/34

Метки: бистабильного, запоминающего, элемента

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАПОМИНАЮЩЕГО БИСТАБИЛЬНОГО ЭЛЕМЕНТА, основанный на подаче напряжения в обратном направлении на электроды перехода диодной структуры, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности изготовления элемента с заданными свойствами, облучают переход диодной структуры и изменяют величину подаваемого напряжения в зависимости от расстояния между электродами диодной структуры.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что облучение проводят электронами, протонами и нейтронами с энергией 105 107 эВ и дозой облучения 1015 1018 эл/см2.