Квантрон моноимпульсного лазера
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Формула
КВАНТРОН МОНОИМПУЛЬСНОГО ЛАЗЕРА, содержащий цилиндрический отражатель и расположенные в нем активные элементы и по крайней мере одну лампу накачки, продольные оси которых параллельны, отличающийся тем, что, с целью повышения энергии излучения в моноимпульсном режиме работы, в отражателе дополнительно установлена по крайней мере одна перегородка из материала, поглощающего излучение на длинах волн генерации, причем перегородка установлена между активными элементами в плоскости, проходящей через продольную ось лампы накачки.
Описание
Цель - повышение энергии излучения в моноимпульсном режиме работы.
На фиг. 1 изображен квантрон с тремя активными элементами и одной лампой накачки; на фиг. 2 - вариант исполнения квантрона с двумя активными элементами и двумя лампами накачки.
Квантрон состоит из цилиндрического отражателя 1 и установленных в нем ламп 2 накачки и активных элементов 3. Перегородки 4 расположены между активными элементами 3 в плоскостях, проходящих через продольную ось лампы 2 накачки. Перегородки 4 выполнены из материала, поглощающего излучение на длинах волн генерации. Указанное расположение перегородок 4 позволяет наилучшим образом ослабить в квантроне с несколькими активными элементами 3 излучение усиленной люминесценции, распространяющееся внутри отражателя в направлениях, отличных от направления излучения генерации. При этом не происходит потерь излучения лампы 2 накачки в перегородках 4, так как эти перегородки не загораживают активные элементы 3 от излучения накачки. В варианте исполнения квантрона моноимпульсного лазера с двумя лампами 2 накачки и двумя активными элементами 3 использована одна перегородка 4.
Указанные особенности конструкции квантрона моноимпульсного лазера позволяют повысить энергию излучения в моноимпульсном режиме в 3,5 раза и в 1,7 раза по сравнению с прототипом для вариантов, изображенных на фиг. 1 и фиг. 2 соответственно.
Изобретение относится к квантовой электронике, а именно к конструкциям квантронов моноимпульсных лазеров. Цель - повышение энергии излучения в моноимпульсном режиме работы. Поставленная цель достигается тем, что в цилиндрический отражатель 1 квантрона моноимпульсного лазера, содержащий расположенные в нем активные элементы 3 и по крайней мере одну лампу 2 накачки, введены перегородки 4 из материала, поглощающего излучение на длинах волн генерации. Перегородки 4 ориентированы определенным образом относительно оси симметрии ламп 2 накачки и расположены между активными элементами 3. 2 ил.
Рисунки
Заявка
4176044/25, 07.01.1987
Артемьев Н. М, Батище С. А, Кузьмук А. А, Малевич Н. А, Мостовников В. А, Толстощев А. В
МПК / Метки
МПК: H01S 3/09
Метки: квантрон, лазера, моноимпульсного
Опубликовано: 15.07.1994
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1466600-kvantron-monoimpulsnogo-lazera.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Квантрон моноимпульсного лазера</a>
Способ стабилизации моноимпульсного режима лазера и моноимпульсный лазер
Номер патента: 1736314
Опубликовано: 30.03.1994
МПК: H01S 3/092, H01S 3/13
Метки: лазер, лазера, моноимпульсного, моноимпульсный, режима, стабилизации
СПОСОБ СТАБИЛИЗАЦИИ МОНОИМПУЛЬСНОГО РЕЖИМА ЛАЗЕРА И МОНОИМПУЛЬСНЫЙ ЛАЗЕР1. Способ стабилизации моноимпульсного pежима лазеpа путем упpавления энеpгией накачки активного элемента лазеpа, заключающийся в изменении напpяжения, подаваемого с емкостного накопителя блока накачки на лампу накачки, пpопоpционально pазности величин вpеменной задеpжки зад , измеpяемой пpи каждом импульсе накачки между импульсом накачки и моментом начала генеpации импульса излучения, и опоpной вpеменной задеpжки оп , измеpяемой между импульсом накачки и моментом начала генеpации импульса излучения в начальный...
Способ изготовления активного элемента лазера на основе кристалла фторида лития с центрами окраски
Номер патента: 1152475
Опубликовано: 19.06.1995
Авторы: Иванов, Михаленко, Парфианович, Хулугуров, Чепурной, Шкадаревич, Шнейдер
МПК: H01S 3/16
Метки: активного, кристалла, лазера, лития, окраски, основе, фторида, центрами, элемента
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АКТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА ЛАЗЕРА НА ОСНОВЕ КРИСТАЛЛА ФТОРИДА ЛИТИЯ С ЦЕНТРАМИ ОКРАСКИ, содержащего примесь, включающий выращивание кристалла из расплава и облучение его ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью расширения спектрального диапазона генерации лазера, в расплав фторида лития вводят двухвалентные катионозамещающие примеси магния, или никеля, или кобальта при концентрации от 5 10-3 до 10-1 мас. затем кристалл охлаждают до (-196oС) - (-30oС), облучают дозой 108 Рентген с последующим отжигом его при 20oС в течение 0,5 2 ч.
Способ изготовления активных элементов и пассивных затворов для лазера
Номер патента: 1412546
Опубликовано: 20.08.1999
Авторы: Балашов, Бондарчук, Васильев, Герасюк, Ермикова, Мысовский, Парфианович, Рейтеров, Чепурной, Чуфистов, Шкадаревич, Шляк, Янчук
Метки: активных, затворов, лазера, пассивных, элементов
Способ изготовления активных элементов и пассивных затворов для лазеров на основе монокристаллов фтористого лития с F-2-центрами окраски, включающий облучение кристаллов ионизирующей радиацией, отличающийся тем, что, с целью увеличения стабильности энергетических параметров среды, облученные монокристаллы дополнительно отжигают при температуре не выше 368 5 К до установления неизменного значения коэффициента оптического поглощения во времени.
Лазер с управляемым спектром генерации
Номер патента: 1746851
Опубликовано: 09.01.1995
Авторы: Жиглинский, Измайлов
МПК: H01S 3/091
Метки: генерации, лазер, спектром, управляемым
1. ЛАЗЕР С УПРАВЛЯЕМЫМ СПЕКТРОМ ГЕНЕРАЦИИ, содержащий резонатор и расположенные в нем дисперсионный элемент, полихроматическую активную среду, протяженную в направлении, перпендикулярном оптической оси и совпадающем с направлением линейной дисперсии дисперсионного элемента, два ахроматизированных объектива, первый из которых расположен между дисперсионным элементом и активной средой на расстоянии от активной среды, равном его фокусному расстоянию, а второй - по другую сторону от активной среды, и полупрозрачное резонаторное зеркало, а также устройство лазерной накачки активной среды, содержащее лазер накачки и линзу, отличающийся тем, что, с целью упрощения лазера, расширения спектрального диапазона перестройки, длины волны генерации...
Активное вещество субмиллиметрового лазера с накачкой излучением со -лазера
Номер патента: 897077
Опубликовано: 07.07.1982
МПК: H01S 3/22
Метки: активное, вещество, излучением, лазера, накачкой, субмиллиметрового
...- пары этилового спирта-фсМИЛЛ ИМЕТР Ф 1 оъ,НИЕМ С 02-ЛАЗЕРА СзН,ОН, которые обеспечивают полгенерации на двух линиях с длинойвблизи 312 и 396 мкм 4.Недостаток СМБ с известным5 веществом - узкий частотныйлазерного излучения,Цель изобретения - расширениеного диапазона субмиллиметровогоного излучения,10 Цель достигается применением вве активного вещества субмиллиметлазера с накачкой излучением СО,паров дейтерированного этиловогоСНЗСНВОН (10),15 Дейтерированный этиловый спиртняют в качестве растворителя в аческой химии,В случае применения его по предному назначению при перестройке20 СО 2-лазера наблюдается генерациячения с тремя различными длинамзначения которых не совпадают сными (см. табл.).897077 Составитель М. ГрязновТехред А,...
Предыдущий патент: Эмульсионный взрывчатый состав
Следующий патент: Способ возведения плотины из неоднородных грунтовых материалов
Случайный патент: Способ контроля за процессом контактного разложения спирта в дивинил