Генератор оптических импульсов

Номер патента: 1355073

Опубликовано: 30.01.1990

Авторы: Войло, Фиштейн, Шевченко

МПК: H01S 5/00

Метки: генератор, импульсов, оптических

...воэможность функционирования компараторов 8 и 9 верхнего и нижнего уровней фотосигнала. Компаратор 9 нижне -го уровня фотосигнала срабатывает придостижении мощности оптического сигнала уровня, соответствующего порогоному току, а компаратор верхнегоуровня фотосигнала - при достижениимоцности оптического сигнала уровня,соответствующего номинальному значению тока модуляции. Сигнаяы компараторов па шине данных 18 подаются нацифровое устройство управления 15,которое через регистры запоминанияданных 6, 17 и цифроаналоговые преобразователи задает ток смещения иток модуляции,Устройство управления 15 представляет собой контролер, который можетбыть построен на микропроцессоре.Снизить требования к быстродействию Фотодиода, фотоусилителя и...

Номер патента: 921419

Опубликовано: 07.11.1984

Авторы: Косичкин, Перов, Поляков, Широков

МПК: H01S 5/00, H01S 5/06

Метки: излучения, инжекционного, лазера, полупроводникового, частотой

...тока накачки. в тот же момент, но и от предыстории его из -менения.Имеется, однако, ряд закономерностей, которые позволяют, целенаправленно выбирать закон изменениятока для достижения необходимогоизменения процесса сканирования.Эти закономерности иллюстрируютсячертежами, где на фиг. 1 изображена прямоугольная форма импульса тока накачки, на фиг, 2 - изменениетемпературы активной области лазера при подаче на него прямоугольногоимпульса тока накачки на фиг. 3 -изменение тока накачки по линейномузакону, на фиг. 4 - .изменение температуры активной области лазерапри изменении тока накачки по линейному закону, на фиг. 5 - экспоненциальная форма импульса тока накачки на фиг. 6 - изменение темпера 35туры активной области лазера при изменении...

Номер патента: 1123499

Опубликовано: 09.06.1995

Авторы: Васильев, Волкова, Исянова, Лобанов, Максимова, Парфианович, Симин, Цирульник

МПК: H01S 3/16

Метки: активных, аподизирующих, диафрагм, затворов, лазерных, лазеров, материал, пассивных, элементов

МАТЕРИАЛ ДЛЯ АКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ЛАЗЕРОВ, ПАССИВНЫХ ЛАЗЕРНЫХ ЗАТВОРОВ И АПОДИЗИРУЮЩИХ ДИАФРАГМ на основе монокристалла LiF с центрами окраски, содержащего ионы гидроксила OH-, отличающийся тем, что, с целью повышения КПД лазера при комнатной температуре, он дополнительно содержит примесь кислорода О-- при следующем соотношении ингредиентов, мол.ОН- 10-1 1О-- 10-3 10-2LiF Остальное

Номер патента: 1739424

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Весничева, Иванов, Скоков

МПК: H01S 3/02

Метки: активный, жидкостный, красителе, лазера, элемент

...16 и 17, одно из которых глухое,.а другое - полупрозрачное, Для перестройки по длине волны, а также уменьшения ширины линии генерации. излучения лазера внутри его резонатора между активным элементом и одним из зеркал помещен диспергирующий элемент, например, эталон Фабри-Перо 18. Регулировочные .перемещения зеркал, активного и дйспергирующего элементов совершаются с помощью соответствующих механизмов (не показаны), например микрометрических винтов, Возбуждение (оптическая накачка) красителя производится через торцовое окошко 6 в направлении, указанном стрелкой 19, внешним источником. накачки, например импульсным УА 9:ИЫ лазером (2-.й или 3-й гармоникой, При этом внутри кюве 5 занном стрелкой 21,Предлагаемый активный элемент...

Номер патента: 1308131

Опубликовано: 07.04.1992

Авторы: Билан, Войтович, Гринкевич, Кононов, Михнов, Усков, Черенда

МПК: H01S 3/16

Метки: активной, лазера, среды

...еще1меньшее центров, поглощающих в области 850 нм. При-облучении этихкристаллов происходит перераспределение электронов уже между двухвакантньпчи центрами, и концентрацияцентров с большим числом электроноввозрастает, Для проведения этого процесса достаточна доза облучения26 - 269 Кл кг , При дозах менее26 Кл кгне успевает установитьсядинамическое равновесие по электронным состояниям, обеспечивающее увеличение концентрации центров, Дозыболее 260 Кл кг не имеют практической целесообразности, Однако при-облучении, как и вначале при нейтронном, возникает и неактивное поглощениедругими дефектами. Для ихустранения проводится повторная термообработка при температурах 720770 К в течение 1-1,5 ч. При этомпет необходимости увеличивать температуру...