Полупроводниковый лазер
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1319767
Авторы: Миронов, Филипченко, Хазанов
Формула
Полупроводниковый лазер, содержащий полупроводниковую подложку, выращенную на ней методом жидкофазной эпитаксии двойную гетероструктуру и резонатор, образованный сколотыми гранями, отличающийся тем, что, с целью уменьшения порогового тока накачки и повышения его воспроизводимости, угловое положение поверхности подложки относительно ее кристаллографических плоскостей определяется соотношением
где 1 угол между кристаллографическим направлением [ОО1] и проекцией нормали к поверхности подложки на плоскость (110);
2 угол между кристаллографическим направлением [001] и проекцией нормали к поверхности подножки на плоскость
;
r плотность террас роста на 1 мм длины подложки;
L длина резонатора.
Описание
Цель изобретения уменьшение порогового тока накачки полупроводниковых лазеров и повышение его воспроизводимости.
Полупроводниковый лазер содержит подложку, на поверхности которой последовательно с помощью эпитаксиального выравнивания из жидкой фазы создана двойная гетероструктура. Сколотые боковые грани являются зеркалами резонатора Фабри-Перо.
Полупроводниковые лазеры изготавливают на основе стандартных пятислойных двойных гетероcтруктур в системе полупроводников AlGa As-GaAs. Подложкой служит пластина GaAs n-типа марки АГНК-4 толщиной 100 мкм, поверхность которой полируется химико-механическим способом. Размер приборного кристалла 300

Разориентацию поверхности подложки относительно кристаллографической плоскости (001) осуществляют при помощи рентгеновского дифрактометра ДРОН-1,0 и вводят при резке слитка на пластины и их шлифовке. Угол






Выравнивание эпитаксиальных слоев на всех шести подложках осуществляется в одном процессе, аналогично изготавливают омические электроды.
Величина порогового тока определяется на ватт-амперных характеристиках, которые получают в импульсном режиме.
Сравнение светоизлучающих приборов, изготовленных из гетероструктур с различным взаимным положением поверхности подложки и плоскости (001), проводится по средней величине порогового тока и выборочной дисперсии, характеризующей разброс порогового тока отдельных приборов относительно средней величины порогового тока.
Полупроводниковые лазеры, выполненные на разориентированной подложке, характеризуются меньшей (на 31%) средней величиной порогового тока и существенно большей воспроизводимостью порогового тока от прибора к прибору. Пороговый ток при выбранных в примере конструктивных параметрах r 50, L 300 мкм принимает минимальное значение в интервале tg





Изобретение относится к квантовой электронике и может быть использовано при разработке и производстве полупроводниковых источников излучения, преимущественно инжекционных лазеров. Цель изобретения - уменьшение порогового тока накачки и повышение его воспроизводимости . Цель достигается выполнением поверхности подложки под углом к кристаллографической плоскости (001). При этом положение поверхности подложки относительно кристаллографических плоскостей определяется соотношением 0





Заявка
3909970/25, 11.06.1985
Миронов Б. Н, Филипченко В. Я, Хазанов А. А
МПК / Метки
МПК: H01S 3/19
Метки: лазер, полупроводниковый
Опубликовано: 20.07.1996
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1319767-poluprovodnikovyjj-lazer.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Полупроводниковый лазер</a>
Предыдущий патент: Способ непрерывной гидротермальной кристаллизации цеолита
Следующий патент: Способ изготовления контактрона
Случайный патент: Электрошлифовальный замок