Способ определения пространственного распределения потенциала в плоскопараллельном диэлектрике

Номер патента: 1314819

Автор: Боев

Описание

Способ определения пространственного распределения потенциала в плоскопараллельном диэлектрике, заключающийся в облучении его через прозрачный для радиации заземленный электрод тяжелыми заряженными частицами с последовательно увеличивающимся пробегом R1, R2, ..., Ri, меньшим толщины образца h, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, последовательно фиксируют индуцированный в результате облучения заряд Q'1, Q'2 ... Q'i на противоположном электроде площадью S, при идентичных условиях облучения фиксируют индуцированный заряд Q1, Q2, ..., Qi на электроде незаряженного образца, а величину потенциала на глубине R1 определяют по формуле

где o - электрическая постоянная;
- относительная диэлектрическая проницаемость вещества.

Заявка

3872992/21, 26.03.1985

Томский политехнический институт им. С. М. Кирова

Боев С. Г

МПК / Метки

МПК: G01R 29/12, G01R 29/24

Метки: диэлектрике, плоскопараллельном, потенциала, пространственного, распределения

Опубликовано: 10.02.2000

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-1314819-sposob-opredeleniya-prostranstvennogo-raspredeleniya-potenciala-v-ploskoparallelnom-diehlektrike.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения пространственного распределения потенциала в плоскопараллельном диэлектрике</a>

Похожие патенты