Патенты с меткой «плоскопараллельном»
Способ установки ультразвукового преобразователя на плоскопараллельном образце с отражателем с симметричной индикатриссой рассеяния для настройки дефектоскопа
Номер патента: 1027605
Опубликовано: 07.07.1983
Автор: Панин
МПК: G01N 29/04
Метки: дефектоскопа, индикатриссой, настройки, образце, отражателем, плоскопараллельном, преобразователя, рассеяния, симметричной, ультразвукового, установки
...установки путем обеспечения совпадения акустической оси преобразоьателя с центром симметрии отражателя.Поставленная цель достигается за счет того, что в способе установки 40 ультразвукового преобразователя на плоскопараллельном образце с отражателем с симметричной индикатриссой45 перемещают по ней в окресностях проекрассеяния для настройки дефектоскопа,заключающийся в том, что размещаютпреобразователь на одной из плоскопараллельных поверхностей образца,нием амплитуд, равным отношению амплитуд первых пар эхо-импульсов, и фиксируют эти положения, а преобразователь устанавливают посередине между последними зафиксированными положениями.Способ осуществляют следуюшим образом.Размещают ультразвуковой преобразователь на одной из...
Способ определения пространственного распределения потенциала в плоскопараллельном диэлектрике
Номер патента: 1314819
Опубликовано: 10.02.2000
Автор: Боев
МПК: G01R 29/12, G01R 29/24
Метки: диэлектрике, плоскопараллельном, потенциала, пространственного, распределения
Способ определения пространственного распределения потенциала в плоскопараллельном диэлектрике, заключающийся в облучении его через прозрачный для радиации заземленный электрод тяжелыми заряженными частицами с последовательно увеличивающимся пробегом R1, R2, ..., Ri, меньшим толщины образца h, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, последовательно фиксируют индуцированный в результате облучения заряд Q'1, Q'2 ... Q'i на противоположном электроде площадью S, при идентичных условиях облучения фиксируют индуцированный заряд Q1, Q2, ..., Qi на электроде незаряженного образца, а...