Способ изготовления пленочного термоэлектрического преобразователя
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Формула
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛЕНОЧНОГО ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ, включающий операции формирования мелкопористой поверхности диэлектрика анодированием алюминия и элементов подогревателя путем нанесения сплошных тонкопленочных покрытий, фотолитографическое формирование масок, травление оксида алюминия, травление неокисленного алюминия и удаление маски, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных, до травления неокисленного алюминия производят формирование подогревателя на микропористой поверхности диэлектрика с помощью металлофоторезистивной маски, после чего выполняют в диэлектрическом слое отверстия, щели и контуры для разделения подогревателя на элементы.
Описание
Целью изобретения является увеличение процента выхода годных деталей за счет исключения изменения размеров нагревателей, формируемых на микропористой диэлектрической поверхности, при измененной последовательности операций.
На фиг. 1-7 изображены последовательные операции предлагаемого способа.
На алюминиевой пластине 1 (фиг. 1) выращивают слой 2 оксида алюминия толщиной, равной толщине будущей подложки пленочного нагревателя ТЭП (10-50 мкм). Данный слой защищают маской (см. фиг. 2) из металлического тонкопленочного покрытия 3 из молибдена толщиной не менее 0,3 мкм, нанесенного плазменным напылением, и фоторезиста 4, за исключением мест будущих нагревателей. Материал для пленки 3 выбирают из условия обеспечения избирательного его травления без нарушения слоя материала нагревателя и подложки. Отметим, что применять непосредственно фоторезистивную маску по оксиду алюминия (например, вместо металлической пленки 3) невозможно ввиду пористого строения диэлектрического слоя 2, проникновения в поры фоторезиста и невозможности в связи с этим проведения процесса фотолитографии. Металлический слой 3 маски толщиной не менее 0,3 мкм защищает микропористую поверхность от проникновения в нее фоторезиста. Удаление фоторезиста с металлического слоя маски не представляется возможным в силу высокой адсорбционной способности анодной окиси алюминия и загрязнения в связи с этим участков, незащищенных металлическим слоем маски, т.е. мест будущих нагревателей. Чтобы исключить загрязнение поверхности и напыляемого материала нагревателя фоторезистом в процессе напыления фоторезист подвергают высокотемпературному задубливанию (от 200оС и выше, верхний предел ограничивается термостойкостью фоторезиста).
Затем на всю поверхность пластины наносят плазменным способом тонкопленочный слой 5 материала нагревателя (нихрома) толщиной 0,1-0,3 мкм (см. фиг. 3). Металлический слой маски 3, фоторезиста 4 и лежащий на нем слой 5 удаляют травлением слоя 3 в 30%-ном растворе перекиси водорода при воздействии ультразвуком. Легкость удаления маски обеспечивается благодаря низкой адгезии тонкопленочного покрытия к фоторезистивному слою и пористому строению диэлектрика. После удаления металлорезистивной маски и лежащего на ней слоя 5 на поверхности диэлектрического слоя 2 остается лишь слой 5 (см. фиг. 4), представляющий собой конфигурацию пленочного нагревателя. Далее на поверхности диэлектрического слоя с подогревателем формируют защитный слой из металла 6 (см. фиг. 5), за исключением мест будущих отверстий, щелей в подложке и контуров отдельных подложек, в незащищенных этим слоем местах вытравливают оксид алюминия (см. фиг. 6), избирательно стравливают металлы 1 и 6 и получают готовую диэлектрическую подложку 2 с необходимой конфигурацией нагревателя 5 (см. фиг. 7) и отверстиями 7 для коммутации с внешними выводами и локализации зон разогрева.
Рисунки
Заявка
3748425/21, 07.06.1984
Институт электроники АН БССР
Григоряшин И. Л, Горбачев Ю. И, Котова Н. Ф, Сенько Е. К, Черняев П. А, Арчаков А. А
МПК / Метки
МПК: H01J 45/00, H01J 9/14
Метки: пленочного, преобразователя, термоэлектрического
Опубликовано: 30.08.1994
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1200762-sposob-izgotovleniya-plenochnogo-termoehlektricheskogo-preobrazovatelya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления пленочного термоэлектрического преобразователя</a>
Способ создания микрорисунка в слое алюминия или его сплавов на микрорельефе из межслойного диэлектрика
Номер патента: 1753893
Опубликовано: 20.01.2008
Авторы: Базыленко, Баянов, Буляк, Родин, Турцевич
МПК: H01L 21/312
Метки: алюминия, диэлектрика, межслойного, микрорельефе, микрорисунка, слое, создания, сплавов
Способ создания микрорисунка в слое алюминия или его сплавов на микрорельефе из межслойного диэлектрика, включающий формирование фоторезистивной маски на поверхности слоя и его селективное реактивно-ионное травление в хлорсодержащей плазмообразующей смеси при давлении 15-20 Па и плотности мощности на поверхности слоя 0,4-0,5 Вт/см 2, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет улучшения воспроизводимости микрорисунка и предотвращения коротких замыканий на микрорельефе, травление проводят до вскрытия планарных поверхностей микрорельефа, после чего осуществляют дотравливание слоя при давлении 6-12 Па и плотности мощности на поверхности слоя 0,6-0,8...
Способ бесфлюсовой пайки деталей из алюминия или покрытых слоем алюминия
Номер патента: 1530360
Опубликовано: 23.12.1989
Автор: Ивин
МПК: B23K 1/20
Метки: алюминия, бесфлюсовой, пайки, покрытых, слоем
...позволяет произвести полноедаление окисной пленки весьма прос1530360 Операции закрепления пластины на адгезионной пленке (приклеивание), скрайбирование и разламывание пластины выполняют при температуре ниже 26,5 С с тем, чтобы сплав алюминий - галлий находился в твердом состоянии. Перед сборкой кристалл нагревают до температуры твердожидкого состояо ния припоя (выше температуры 26,5 С), снимают с адгезионной ленты. При этом окисная пленка остается на центе. Кристалл прижимают к рамке, нагревают сборку до 30-50 С, выдерящвают несколько секунд с вибрацией,о поднимают температуру до 148 С и выСоставитель Л.АбросимоваТехред Л.Сердюкова Корректор М Максимишинец Редактор С.Пекарь Заказ 7811/13 Тираж 894 ПодписноеВНИКЛИ Государственного...
Способ нанесения гидроизоляционного слоя на наружную поверхность тюбинговой обделки туннелей
Номер патента: 93736
Опубликовано: 01.01.1952
Авторы: Квасов, Кобзев, Лесохин, Пружинер, Чижов
МПК: E21D 11/38
Метки: гидроизоляционного, нанесения, наружную, обделки, поверхность, слоя, туннелей, тюбинговой
...и формования гидроизоляциопного слоя заданной толщины.На чертеже показан продольный разрез щита с приспособлениями для ввода горячего битума в строительный представляет собой кольцевое пространство между наружной поверхностью туннельной обделки и внутренней поверхностью оболочки 5 щита. Введенная в строительный зазор масса при остывании принимает форму трубы с толщиной стенки, равной высоте строительного зазора, а так как она через вновь уложенное тюбинговое кольцо поступает при значительной температуре, то и соединяется (сливается) с ранее введенной массой 6; таким образом, на всем протяжении чугугшая туннельная обделка по наружной поверхности будет покрыта сплошным слоем асфальтобитумной массы, а толщшга этого защитного изоляционного...
Способ образования металлического герметизирующего слоя на контактирующих поверхностях уплотнительных элементов
Номер патента: 296456
Опубликовано: 10.05.2000
Авторы: Ванин, Камардин, Поляков
МПК: F16J 15/12
Метки: герметизирующего, контактирующих, металлического, образования, поверхностях, слоя, уплотнительных, элементов
Способ образования металлического герметизирующего слоя на контактирующих поверхностях уплотнительных элементов запорных и разъемных устройств, работающих в условиях вакуума или избыточного давления, заключающийся в помещении уплотнительных элементов в вакуум, обжатии их, выдержке при усилии обжатия и температуре, обеспечивающих молекулярно-диффузионное сцепление контактирующих поверхностей, разведении их с отрывом друг от друга и повторении всего цикла несколько раз, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологического цикла при одновременном улучшении характеристик слоя, металлический герметизирующий слой формируют на контактирующих поверхностях уплотнительных элементов...
Теплообменная поверхность нагревателя газа
Номер патента: 1198328
Опубликовано: 15.12.1985
Авторы: Борбоц, Волкова, Литовченко, Минаев, Резникова, Толстоноженко
МПК: C04B 41/50, C23D 5/00, F23L 15/04, F28F 21/04
Метки: газа, нагревателя, поверхность, теплообменная
...муллитокорунд, огнеупорная глина и технический глинозем при следующих соотношениях этих ингредиентов, мас.%:Муллитокорунд 40 - 50 Огнеупорная глина 10 - 15 Технический глинозем 10 - 15 Рутиловый концентрат 4 - 6 Нефелин 3 - 5 Кремнефтористый натрий 1,5 - 2 Жидкое стекло 10 - 14 Вода Остальное При работе теплообменной поверхности нагревателя газа при температуре греющего газа (со стороны периферийного слоя 3) до 1300 С защитное покрытие уменьшает эрозионный износ трубы 1 из жаропрочной стали,Периферийный слой 3 предназначендля получения эластичной, газоплотной оболочки, Наличие периферийного слоя 3 толщиной 30 - 40% от общей толщины покрытия предотвращает проникновение агрессивных газов к пристенному слою 2 и...
Предыдущий патент: Сверхпроводящий выключатель постоянного тока
Следующий патент: Способ очистки гидрохлорида 2-фенил-3-карбэтокси-4 диметиламинометил-5-оксибензофурана
Случайный патент: Водяной цепной лопастной двигатель