Войтович

Страница 8

Устройство для измерения малых коэффициентов отражения

Загрузка...

Номер патента: 420956

Опубликовано: 25.03.1974

Авторы: Войтович, Грачева, Колмаков, Кравченко, Расин, Шибаловский

МПК: G01R 27/06

Метки: коэффициентов, малых, отражения

...механизме, обеспечивающем возвратно-поступательное движение в процес се измерений.На чертеже изображено предлагаемое устройство.Устройство состоит из генератора 1, направленного ответвителя 2, индикатора 3, согла сующего трансформатора 4, ленточной линии5, калибратора 6, радиопоглощающего материала 7, червячных передач 8 и 9 и кривошипно-шатунного механизма 10.Сигнал от генератора 1 через направлен ный ответвитель 2 и согласующий трансформатор 4 поступает в ленточную линию 5, где создаются условия, эквивалентные свободному пространству. Сигнал излучается в направлении калибратора 6 радиопоглощающего ма териала 7 и, отражаясь, поступает через В.Ч.тракт и направленный ответвитель 2 на индикатор 3.Затем посредсгвом червячной...

Импульсный параметрический стабилизатор напряжения

Загрузка...

Номер патента: 365697

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Войтович, Лысенко, Цишевский

МПК: G05F 3/02

Метки: импульсный, параметрический, стабилизатор

...в область насыщения благодаря налнчию цепи смещения и действию положительной обратной связи трансформатора 2, Прп э 1 ом сердечник трансформатора перемагничивается в прямом направлении под действием напряжения (Уп - Увы) К, где Е/и - напряжение питания на входе стабилизатора, Ьвык - напряжение на нагрузке, К - коэффициент трансформации, от дополнительной обмотки 3 дросселя фильтра к его первичной об мотке 4. Прп насыщении сердечника трансформатора 2 транзистор 1 закрывается, напряжение на дросселе и трансформаторе реверсируется, а величина напряжения, под действием которого сердечник трансформатора перемагничивается в обратном направлении, определяется напряжением Уоисточника опорного напряжения, например стабилитрона 5, включенного...

Вптв фонд тти

Загрузка...

Номер патента: 399983

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Войтович, Завь, Селезнев

МПК: H02M 7/538

Метки: tti, вптв, фонд

...напряжения, содержащие выходной трансформатор, цепи положительной обратной связи, транзисторы, переходы эмиттер - база которых шунтированы диодами, и времязадающий У.С-контур. Однако в таких преобразователях напряжения моменты переключения транзисторов преобразователя не совпадают по времени с моментами перехода тока в 1.С-конту- ре через нулевые значения. Это приводит к 10 уменьшению стабильности частоты выходного напряжения преобразователя.Цель изобретения - повышение стабильности частоты выходного напряжения преобразователя. 15Это достигается тем, что цепи положительной обратной связи подключены к базам транзисторов через вспомогательные диоды в отпирающем направлении. 8, включенного в цеп оров 2, 3.Если открыт транзистор 3 и...

Статический преобразователь постоянного напряжения в переменное

Загрузка...

Номер патента: 396798

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Войтович

МПК: H02M 7/5375

Метки: переменное, постоянного, статический

...изображена на фиг. 1; диаграммы работы - на фиг. 2.В установившемся режиме ток 1.С-контура 1 и напряжение на обмотках трансформатора 2 практически совпадают по фазе (фиг. 2,а и б), так как именно изменение полярности тока контура является причиной переброса транзисторов 3 усилителя мощности. Пусть собственная частота (в) 1.С-контура не совпадает с частотой (в,) генератора стабильной частоты 4, а выходное напряжение усилителя мощности стабилизировано частотой со,.При этом 1.С-контур неизбежно находитсяне в резонансе, следовательно, между напря жением (первой гармоникой), приложенным кконтуру 1, и током, протекающим в нем, существует фазовый сдвиг. Напряжение, прикладываемое к контуру, образуется суммированием напряжения обмотки...

389498

Загрузка...

Номер патента: 389498

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Войтович, Завь, Лаптев, Уан, Цишевский

МПК: G05F 1/56

Метки: 389498

...ка 8 токового трансформатора 9, обмотка 10,дросселя 11, нагрузка, минус источнтнка питания. При этом транзистор 7 поддерживается в открытом состоянии обмоткой 12 трансформатора 9, трансформатор 4 перемагничивается 30 напряжением Уу Уоц а полярность напри861688 1 У Составитель Л. СтрелкииТекред Т. Курилко Корректоры: Н, Прокуратова и Л Новожилова Редактор В. фельдман Заказ 3008/13 Изд.785 Тираж 780 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, К, Раушская наб., д. 4,5Типография, пр. Сапунова, 2 жений на элементах соответствует указанной на схеме, После насыщения трансформатора 4 транзистор 2 закрывается, а транзистор 3 отпирается, в результате чего обмовка 13 токового...

Импульсный стабилизатор постоянного напряженияi йсьссюз дя 1;: пзл. •: ••j zti-i и йпв i: ч “. f. i-miie

Загрузка...

Номер патента: 389495

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Войтович, Лаптев, Уан, Цишевский

МПК: G05F 1/569

Метки: i-miie, zti-i, »j—, импульсный, йпв, йсьссюз, напряженияi, пзл, постоянного, стабилизатор

...9, трансформатор 3 перемагничиЗО вается от напряжения С а ток нагрузкамипротекает по контуру: дроссель б, нагрузка 7, обмотка 8, диод 10. Опорный источник создается параллельно включенными стабилитроном 11 и емкостью 12, которые подключаются к источнику питания через резистор 13,Намагничивающие силы обмоток 14 и 8 трансформатора 3 направлены навстречу друг другу, причем ток в эбможе 14 практически не зависит от нагрузки, а тэк в обмотке 8 равен току нагрузки.При подборе резистора 15 соответствующей величины ток разряда конденсатора 12 (при работающем транзисторе 9) за счет протекания тэка нагрузки через обмотку 8 меньше тока заряда конденсатора 12 через резистор 13. Поэтому напряженне на еммости 12 определяется стабилитроном 11...

Способ изготовления чувствительных термокаталитических элементов

Загрузка...

Номер патента: 356541

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Войтович, Днепропетровский, Зиберова, Кулин, Мельник

МПК: G01N 25/32

Метки: термокаталитических, чувствительных, элементов

...чувствительных элементов, низкий к.п.д. нагревателя, так как нагреватель (платиновая спираль) находится на внешней поверхности заготовки, значительная потребляемая мощность, а следовательно, значительные габариты анализаторов горючих газов.Предлагаемый способ заключается в следующем.Изготавливаются две спирали, например, из платины с постоянным шагом и диаметром. Методом электрофореза на спирали наносится окись алюминия, причем, на одну из спиралей активная окись алюминия (у - А 190 з), на другую - плавленная окись алюминия (а - А 1 еОз) - алунд. Спираль, покрытая пленкой активной окисиалюминия, прокаливается при температуре 600 - 800 С в атмосфере воздуха, азота или аргона, После прокалки на нее наносятся каталитически активные вещества...

Устройство для расширения скважин

Загрузка...

Номер патента: 343024

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Базалийский, Балюра, Буцкий, Войтович, Данилов, Дверий, Дуда, Новрузханов, Полтавское, Слобод, Сундугей

МПК: E21B 10/28, E21B 7/28

Метки: расширения, скважин

...иззестного тем, чтоодношарошечные долота закреплены в корпусе так, что проекции их цапф на горизонтальную плоскость расположены под различными углами к осям, соединяющим ось скважины с осями долот, а в промывочных каналах установлены насадки, оси которых направлены по касательной к поверхности забоярасширения,Такое конструктивное выполнение устройства позволит обеспечить повышение скоростибурения и проходки.На фиг. 1 показано устройство для расширения скважин, вид снизу; на фиг. 2 - разрезпо А - А на фиг. 1.Устройство состоит из корпуса 1, в котором закреплены сменные одношарошечные долота 2, имеющие цапфы 3 со сферическими шарошками 4 (фиг. 1 и 2). При этом долота 2 закреплены в корпусе так (фиг. 2), что проек ции б цапф 3 на...

Магазинное запоминающее устройство

Загрузка...

Номер патента: 318996

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Библи, Войтович

МПК: G11C 11/44

Метки: запоминающее, магазинное

...последовательность необходимо соблюдать для того, чтобы в контурах, образованных вентилями криотропов 21, 22 и соответственно сетками криотронов 22 и 20, не остались персистирующие токи, После окончания всех переходных процессов снимаются токи с информационных разрядных шин, отключается ток 1 ф, а за ним ток 1;, в результате чего в информационных разрядах всех исправных ячеек остаются нули или единицы, а в запоминающих контурах детекторов неисправности исправных пар ячеек остаются персистирующие токи 1 д,БОстается зафиксировать те ячейки, у которых неисправны информационные разряды, Для этого производится последовательное чтение во всех запоминающих ячейках, начиная с последней, Предположим, что последнее чтение было в (+ 6)-й ячейке....

Кислотоупорная замазкаbhe. rioi: -r

Загрузка...

Номер патента: 315703

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Войтович, Калушска, Найденов

МПК: C04B 28/26

Метки: rioi, замазкаbhe, кислотоупорная

...отл с целью повышения водо ской стойкости, она содер поненты в следующем с жидкое стекло кремнефтористый на наполнитель, наприме зовая мукающая жидий и минеся тем, что,и химичеанные комин, вес. ч,:21 - 24- 12 а, включа тый натр ачаютдая стойкости жит указ оотношен- 6 трий 10р диаба 64 Изобретение относится к технике защиты откоррозии.Известны мастики на жидком стекле икремнефтористом натрии, причем кремнефтористый натрий вводят в количестве 15% от веса жидкого стекла. Однако такие мастики имеют ряд недостатков, они проницаемы и не стойки к горячей воде. Цель изобретения - повышение водостойкости и химической стойкости м а сти к.Достигается это тем, что мастика содкомпоненты в следующем соотношении, вжидкое стекло 21 - 2...

Способ изготовления криотронных схем

Загрузка...

Номер патента: 305832

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Войтович, Костышин, Михайловскав.в., Романенко

МПК: H05K 3/06

Метки: криотронных, схем

...удаления неполимеризовавшихся участков получают окна в фоторезисте. Травлением металла через окна получают пленки необходимой конфигурации, после чего фоторезист удаляют. С помощью фотолитографии изготавливают криотроны малых размеров, но для этого требуется большое количество технологических операций.Цель изобретения - повысить точность изготовления схем.Достигается это тем, что на слой сверхпроводящего материала требуемой толщины напыляют тонкий защитный слой металла (зоССР и Институ 1" "ой ССР подложку плн промежуточный слой наслой сверхпроводящего материала (нар, олова нлн свшща). На этот слой ндтся тонкий защнтнын слой нз малоакго материала, например золота нлн сстолщиной 30 - 150 нм, а на него активного материала, например Р 1...

Запоминающее устройство

Загрузка...

Номер патента: 301741

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Войтович

МПК: G11C 11/44

Метки: запоминающее

...запоминающей ячейки. Теперь можно подать им 10 15 20 гь 30 35 4 О 45 50 55 60 65 пульс (ток) 32 питания в четную шину 13 питания. Так как в левой ветви только в одной второй запоминающсй ячейке заперт криотрон 8, то при подаче тока 32 только в ней одной он идет по правой ветви, а во всех остальных ячейках - только по левым ветвям При попадании тока 32 в правую ветвь (в данном случае второй запоминающей ячейки) он производит считывание. После этого, не прекращая импульса 32, на шины 1 б подают число, подлежащее записи в первую ячейку, Так как персистирующий ток удерживает вентили криотронов запоминающих элементов в запертом состоянии, то поступающие в разрядные шины токи (эквивалентные единицам) вытесняются в правые ветви. После этого в...

Способ склеивания деталей

Загрузка...

Номер патента: 299992

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Войтович, Лободюк, Маслюк, Спирин

МПК: H05K 3/00

Метки: склеивания

...их стабильности при многократном циклировании температур от 50 до 270 С и химической инертности клеевого шва.Для этого по предлагаемому способу склеивание производят олигоуретан акр илатами, отверждаемыми по радикальному механизму.Сущность предлагаемого способа состоит в следующем.При склеивании олигоуретанакрилатом криотронных плат в плоские модули в качестве подложкодержателей, на которые приклеиваются отдельные платы для получения плоского модуля, используются гитинаксовые пластины. На такую пластину наносится тонкий слой олигоуретанакрилата, Затем сверху приклеиваются криотронные платы, представляющие собой стеклянные или ситалловые подна ннх методом микро- ными схемами. Приклепо краям фаски, обрах стекол канавки....

Кислотоупорная масса

Загрузка...

Номер патента: 291894

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Войтович, Всесоюзный, Найденов, Проектный

МПК: C04B 28/26

Метки: кислотоупорная, масса

...содержит молотый керамзит, алюминиевую пудру и 30 хлористый магний, ппичем доказанные компоИзвестны кислотоупорные массы на основе жидкого стекла, .кремнефтористого натрия я диабазового порошка. Однако эти массы имеют значительную усадку при твердении, что препятствует их применению в самостоятельных кислотоупорных покрытиях.С целью обеспечения безусадочности смеси предложено в ее состав дополнительно вводить молотый керамзит, алюминиевую пудру и хлористый магний в следующих соотношениях (в вес. %):Жидкое стеклоДиабазовый порошокМолотый керамзитКремнефтористый натрийАлюминиевая пудраХлористый магний П р и м е р. Измельченный до крупности зеренпроходящих через сито О,25, керамзит в количестве 32 - 33% смвшивают с диабазовым порошком,в...

Способ очистки поверхности металлических пленок

Загрузка...

Номер патента: 322420

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Войтович, Полищук, Сосницкий

МПК: B05D 3/00

Метки: металлических, пленок, поверхности

...Катодом служит держатель 3 подложки.5 Держатель сделан так, что существует надежный электрический контакт между ним и очищаемой пленкой. Для того, чтобы заряды не скапливались на подложке и эффективно шла очистка, пленка обязана быть катодом, 10 поэтому полученный на подложке рисунок недолжен содержать участков, не связанных с катодом. Если по схеме такие участки необходимы, то предусматривают временные связи их с выводными контактами. При фотолп тографировании следующего слоя эти связивытравливают, Перед очисткой вакуумную камеру 2 обезгаживают и откачивают диффузионным насосом с азотной ловушкой до максимального вакуума (10 -мм рт. ст.), Затем 20 промывают инертным газом и снова откачивают до предельного вакуума. Тщательная...

320026

Загрузка...

Номер патента: 320026

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Войтович, Завь, Пат

МПК: H03K 3/286

Метки: 320026

...с коллекторно-базовыми реостатно-емкостными связями, источник питания, два диода, дополнительные конденсаторы.В известном триггере запирающее напряяение поступает це только ца базу закрытого транзистора, но и на базу открытого, что приводит к уменьшешцо нагрузочной способности триггера вследствие уменьшения тока базы. Кроме того, автоматическое смещение, являясь частью коллекторного напряжения, уменьшает коэффициент его использования.Целью предлагаемого изобретения является увеличение коэффициента использования коллекторного напряжения и нагрузочной способности триггера.Зто достигается тем, что коллекторы транзисторов через дополнительные конденсаторы соединены с выводами диодов, другие выводы которых объедипецы и через...

Способ активации никелевых электродов

Загрузка...

Номер патента: 278644

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Войтович, Казаков

МПК: C25B 11/04

Метки: активации, никелевых, электродов

...обезжиренным и высушенным в токе инертного газа пакетом электродов присоединяют к линии фтора и пропускают элементарный фтор со скоростью 3 гчас в течение 10 час. го окончании активации электролизер продувают инертным газом, заполняют фтористым НИКЕЛЕВЫХ ЭЛЕКТРОДО водородом, необходимым количеством фруемого вещества н ведут электрохимнчефторирование.Пример 2, Активация никелевых эле5 дов при повышенной температуре.Электроды, подлежащие активации, очют, обезжиривают и высушивают винертного газа. Затем помещают их вкость, заполненную инертным газом, н10 вают емкость до температуры 150 С нпускают поток элементарного фтора соростью 3 г/час в течение 5 час, По окончпроцесса емкость охлаждают в токе ннего газа, извлекают электроды и в...

Аппарат для промывания ликворной системы

Загрузка...

Номер патента: 278026

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Вители, Войтович, Кисилев, Салдлыкин

МПК: A61M 1/00

Метки: аппарат, ликворной, промывания, системы

...температуры вытекающего лнквора.Из сосуда 5 ликвор отсасывается через трубопровод, намотанный в виде змеевика на испаритель 10, в сосуд 6, в котором изменяется температура уже охлажденного ликвора. Через испаритель 10 для его охлаждения можег пропускаться холодная вода или газ.Из сосуда б ликвор отсасывается роликовым насосом 7 по трубопроводу 9 к канюле иглы 1 в боковой желудочек головного мозга 3,Поскольку система герметична, заданная скорость циркуляции ликвора обеспечивается роликовым насосом.Трубопроводы, сосуды с пробками и термометрами, испаритель с намотанным на него змеевиком кипятят, промывают и заполняют физиологическим раствором,Ликворное давление регулируют следующим образом, В пробку 17 сосуда 5 вставлена третья...

Криогенное запоминающее устройство

Загрузка...

Номер патента: 265188

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Войтович, Институт

МПК: G11C 5/00

Метки: запоминающее, криогенное

...дешифраторной платы, Шунтом является вентиль 26 50 криотрона начальной установки. Показанная на фиг, 2 схема трехтактного дешифратора - не единственная, Она может быть построена и по другим принципам.Запоминающая плата, как следует на фиг. 2, 55 разбита на группы числовых линеек по числу выходов древовидных дешифраторов. Одни концы адресных проводников числовых линеек подключены к выходам древовидных дешифраторов, а другие соединены вместе в точке 26. 60 Между точкой 26 и основанием древовидного дешифратора (точкой 27) включен шунт 27 - 28 - 26, состоящий из обходной шины 23 - 26 и вентиля входного криотрона 29. Этот криотрон с целью увеличения быстродействия памяти можно сделать личейным. Так как в данном случае древовидные...

Трехтактный криотронный дешифратор

Загрузка...

Номер патента: 262953

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Войтович

МПК: H03K 17/76

Метки: дешифратор, криотронный, трехтактный

...установки, осуществляемой поступающим на вход 4 импульсом 1 дешифратор работает,в три такта.При расшифровке адреса по кодовым шинам б, 7, 8 или 9, 10, 11 подаются кодовые им пульсы, которые, закрывая соответствующие вентили кодовых криотронов, переключают поступающий на вход б ток питания 1 в шунты во всех кодовых контурах, кроме выбранногоо. 1 оДля передачи состояния кодовых контуров в контуры нагрузок на вход 12 подается ток 1. В тех адресах, где в кодовых контурах ток 1 проходит по нижним ветвям, ток 1 преимущественно идет по вентилям входных 15 криотронов, так как их индуктивность значительно меньше индуктивностей остальных участков передаточных контуров. В кодовом контуре выбранной ячейки ток 1, идет по верхней 1 ветви и запирает...

Способ изготовления материала типа арболита

Загрузка...

Номер патента: 258904

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Войтович, Яворский

МПК: C04B 28/00

Метки: арболита, типа

...ез деся Известен способ изготовления материала типа арболита путем перемешивания минерального вяжущего, древесного наполнителя и ускорителя твердения.Однако такой способ недостаточно эффективен, так как не обеспечивает быстрого твердения.Предлагаемый способ лишен этого недостатка и отличается от известного тем, что в массу вводят в качестве ускорителя твердения диэтаноламин в количестве 02 - 0,6% от веса вяжущего,Сущность способа заключается в следующем. В смесительный аппарат загружают древесину, пропитанную хлористым кальцием, затем добавляют цемент. Когда закончена минерализация, вводят диэтаноламин.Последний, обвалакивая частицы цемента, предохраняет их от вредного действия сахаритрует прсцесс тв в и ин тного тверд ечени е суто...

Оптический квантовый генератор

Загрузка...

Номер патента: 258481

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Войтович

МПК: H01S 3/106

Метки: генератор, квантовый, оптический

...магнитное поле напряженностью Н,Зависимость суммарных потерь 6 (кривая О 5), которые состоят из селективных К, Р инеселективных 1 то потерь (кривая б), к усиления к 1 (кривая 7) от частоты т в ОКГ с резонансной поглощающей ячейкой в продольном магнитном поле показана на фиг. 2( цент ральные частоты тс контуров усиления и поглощения при О - 0 совпадают). Суммарные потери минимальны для= то. Таким образом, создаются предпочтительные условия для генерации на центральной частоте. Это О обстоятельство может быть использовано дляйолучения одночастотного режима генерации на ъ 2=РоОдночастотный режим генерации осуществляется, если для соседней (1 по отношению к о) собственной частоты т резонатора выполняется условие К,...

Криотронный логический элемент «не—и»

Загрузка...

Номер патента: 254565

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Войтович, Кочур, Михайлов

МПК: H03K 19/195

Метки: «не—и», криотронный, логический, элемент

...3 и 4 и выходного криотрона 5, Последовательное соединение вентиля криотрона 1 (2) с сеткой криотрона 3 (4) образует сверхпроводящий запоминающий контур, управляющий переключением вентиля криотрона 3 (4). Последовательно соединенные вентили криотронов 3 и 4 образуют функциональную ветвь, а сетка криотрона 5 - нагрузочную ветвь, которые соединены параллельно и включены в цепь тока считывания.Работа логического элемента, иллюстрируемая временными диаграммами (см. фиг. 2), начинается с подачи входных переменных, представленных токами 1 1, на время действия которых прекращается циркуляция незатухающих токов 1 р 1 р, в запоминающих контурах, Затем подается ток считывания 1 который устремляется в нагрузочную ветвь или в функциональную...

Делитель частоты импульсов

Загрузка...

Номер патента: 238603

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Войтович, Моин

МПК: H03K 3/30

Метки: делитель, импульсов, частоты

Мелок для письма

Загрузка...

Номер патента: 196575

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Войтович, Ринов

МПК: B43K 23/016

Метки: мелок, письма

...оверхност мет изоб ния верхности коаюигийся тем, ения удобсттериала обоазованная из испер сиинцентраися тем, чтоисперсий по ского,Известен мелок для писти которого покрытаР рбумагой,Для упрочнения мелков и удобства пользования ими предлагают в качестве материалаоболочки использовать пленку из водных дисперсий полимеров, образуемую непосредственно на поверхности мелка. Кроме того, пленка может быть получена из водных дисперсийполимеров, совмещенных с этилсиликатомтехническим, Б качестве такой дисперсии может служить поливинилацетатная эмульсияили дивинилстирольный латекс.Для образования тонкой пленки дполимеров разбавляют водой до коции сухого вещества 5 - 7%,Для увеличения прочности пленки без ее утолщения и дисперсии полимеров...

Мостовой трехфазный инвертор

Загрузка...

Номер патента: 191682

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Войтович, Смольников

МПК: H02M 7/48

Метки: инвертор, мостовой, трехфазный

...1)- ных на транзисторах, отличтощийся тем, что, с целью упрощения схемы и увеличения коэффицие 1 п а полезного действия, трансформаторы кольца годключены к средней точке 5 первичной обмотки трансформатора задающего генератора, выходная обмотка которого соединена с базами одних транзисторов кольца, а базы других транзисторов этого кольца подключены к вторичным обмоткам транс- О форматоров кольца. Известны мостовые трехфазные инверторы, состоящие из задающего генератора и силового пересчетного кольца с трансформаторами, используемые и кдчсстве вторичных ист 01 ников питапи 51.Предложенный инвертор отличается от известных тем, чго трансформаторы кольца подключены к средней точке первичной обмотки трансформатора задающего генератора,...

Плтемтио, i г, аиич-: с; ая j ishbjihuihka— i

Загрузка...

Номер патента: 181384

Опубликовано: 01.01.1966

Автор: Войтович

МПК: G11C 15/06

Метки: ishbjihuihka—, аиич, плтемтио

...признакас запомненной информацией производится вветви аг запоминающего контура абвга. Результат сравнения отражается на сверхпрово 10 димости вентиля криотрона д. При опросесверхпроводимость вентилей всех криотронов2, находящихся во всех тех разрядах, в которые подается ассоциативный признак, разруцтается токами 1 .15 Пусть рассматриваемый элемент хранитединицу, т. е. в контуре абвга циркулируетток. Тогда могут быть два случая,1, В соответствующем данному элементуразряде ассоциативного признака - нуль,20 Зто означает, что ток 1 не подается, вследствие чего сверхпроводимость вентиля криотрона 3 остается разрушенной, и ток 1, вытесняется в обводную шину, охватывающую всеэлементы каждого слова. Зта ветвь показана25 па чертеже...

Криотронный счетчик

Загрузка...

Номер патента: 184525

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Артеменко, Войтович, Институт, Кан, Рахубовский, Физико

МПК: H03K 23/58

Метки: криотронный, счетчик

...подачейсоответствующего тока 1 через клемму б взапоминающий контур 1. Обмотки управлениякриотронов 3 и 4 включены в параллельныеветви цепи управления б,Ток питания 1, поступающий в эту цепьерез клемму 7, протекает через ветвь с криотронами 8, 9 и 10. При этом сверхпроводимость криотронов 4 и 11 нарушена и запомненный ток проходит через криотрон 3,5 При поступлении сигнала на клемму 12 сопротивление правой ветви цепи управлениястановится больше сопротивления левой ветш 1, так как в последней включено большее количество криотронов, Нарушение сверхпровоО димости криотронов 8 - 10 входным сигналомприводит к появлению тока в обмотке управления криотрона 3. Сверхпроводимость последнего нарушается, и ток цепи запоминания переключается в...

183478

Загрузка...

Номер патента: 183478

Опубликовано: 01.01.1966

Автор: Войтович

МПК: G06F 1/00, H03K 3/38

Метки: 183478

...вентиля криотрона 4, вследствие чего стирующий в контуре ЙЫ ток затухает3ле его уменьшения до 1(гксверхпроводимость вентиля криотрона 3 восстанавливается. После этого в любой момент можно прекратить входной импульс, что вызывает возникновение персистирующего тока 11 в контуре п 1 оп, Этот ток, который также должен быть больше ,р, окончательно подавляет остатки персистирующего тока в контуре йеИ, в результате чего схема полностью переходит в единичное со. стояние.Следующий импульс 18 т, поданный на счетный вход а, идет на сверхпроводящую ветвь аЬсйе и разрушает сверхпроводимость вентиля криотрона 3, вследствие чего персистирующий в контуре аоп ток затухает и после его уменьшения до 11(, сверхпроводимость вентиля криотрона 4...

Криотронный генератор релаксационных колебаний

Загрузка...

Номер патента: 175088

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Войтович, Рахубовский

МПК: H03K 3/38

Метки: генератор, колебаний, криотронный, релаксационных

...соединены следующим образом: два вентиля криотроцов 1, 2 и две обмотки криотронов 3, 4 образуют замкнутую цепь, остальные два вентиля криотроцов 3, 4 и две обмотки криотроцов 1, 2 также образуют кольцо, причем вентиль одного криотрона соединен с обмоткой противоположного криотрона. Обратная связь между каскадами осуществляется перекрестными соединениями выходных вентилей со входными обмотками, а постоянное питающее напряжение подключено в точках 5 и 6 между каскадами так, что образуются две пары параллельных ветвей.Генерация возникает в результате неидентичцости параметров криотроцов, Частота работы генератора определяется постоянной времени цепи, а последняя, в свою очередь, зависит от иидуктивцости и сопротивления криотроцов и...