Сайфуллин
Однокомпонентная порошковая композиция для получения пенополиуретана
Номер патента: 535317
Опубликовано: 15.11.1976
Авторы: Сайфуллин, Турецкий
МПК: C08G 18/14
Метки: композиция, однокомпонентная, пенополиуретана, порошковая
...соединение.Третичный амин катализирует реакцию вода в изоциан, а соединение с карбоксильными группами, вступая во взаимодействие сизоцианатными груплами, включается в цепьобразующегося полимера. Таким образом,пассивная часть катализатора не остается вконечном пенопласте в свободном виде, чтомогло отрицательно сказаться на его свойствах,Температура активации комплексных солейзадается выбором и температурой плавления(облегчается диссоциация) исходной кислоты.Особенно широкие возможности открываетиспользование полимерных соединений с концевыми карбоксилами - сложных полиэфиров. Регулируя молекулярный вес и составполимера, можно достигнуть желательнойтемпературы плавления комплексных солейиз них и задавать необходимую...
Вычислительное устройство
Номер патента: 532106
Опубликовано: 15.10.1976
Авторы: Голицын, Ланге, Сайфуллин, Ситников, Тройников, Хижняк
МПК: G06G 7/12
Метки: вычислительное
...1 тактовых импульсов запуска. ет генератор 2 экспоненциального,напряжения, напряжение на выходе которого начинает изменяться по з а кону 25- 2 + оЬое -где а, - постоянная времени генератора 2.Экспоненциальное напряжение поступает30 на входы, нуль-органов 3 и 4.Напряжение 1/пропорциональное изменению температуры в газопроводе, сравнивается с помощью нуль-органа 3 с экспоненциаль. ным напряжением сое " . В момент г 1 равенства этих,напряжений срабатывает нуль-орган 3, при этом выполняется соотношение(7) Предлагаемое устройство позволяет с до статочно высокой точностью и быстродейст 55 вием осуществлять алгебраические операции умножения-деления, возведения в,квадрат и извлечения корня.На вход, нуль-органа 7 поступает напряж ние...
Устройство для анодно-механической резки
Номер патента: 373118
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Колков, Сайфуллин, Хлебников
МПК: B23H 7/10
Метки: анодно-механической, резки
...эрозионного разрушения материала 1 б заготовки,Свободные радиальные перемещения обоймы ца оси предотвращают заклинивания подвижных соединений демпфера при засыхании 20 жидкого стекла во время остановки, Поскольку материал обоймы эластичен, то высохшее )кидкое стекло само осыпается при прокрутке ленты на холостом ход. 25 Свободные осевые перемещения обоймыпредохраняют ее от преждевременного абразивного износа.На фиг. 1 схематично представлено устройство лентопротяжного механизма с демпфего рами. На фиг, 2 - разрез по А - А на фиг. 1;па фиг. 3 - разрез по Б - Б на фиг. 2На корпусе траверсы 1 закреплены три шкива 2, 3, 4, на которые надета бесконечная токопроводящая лента-инструмент 5. Усилие натяжения ленты регулируется с помощью...
Устройство для получения покрытий переменной толщины катодным распылением (
Номер патента: 388060
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Вайнштейн, Жуковска, Изобретени, Сайфуллин, Смышл, Фахрутдинов, Черников, Чистополов
МПК: C23C 14/38
Метки: катодным, переменной, покрытий, распылением, толщины
...зазор между секциями уменьшает толщину покрытия в соответствующих местах напыляемых подложек,что отрицательно сказывается на качестве покрытий.Цель изобретения - повышение:качествапокрытий. 2Для этого каждая секция катода выпо ав,виде тороида, торцы которого срезан дуглом. ция обеспечивается установленными в канавках камеры резиновыми уплотнителями 8,На фланце крышки 5 установлен вакуумный ввод вращения 9, в корпусе которого находится червячная передача 10; вращение червяка производится через шкивную передачу 11 от электродвигателя 12, установленного на тележке б.На валу ввода вакуумного вращательного механизма установлен барабан-анод 3, на котором крепятся напыляемые подложки 13, На левой крышечке 4 установлен цилиндрический катод 2,...
Понизитель вязкости нефти
Номер патента: 356343
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Викторов, Кайниева, Кул, Ордена, Пелевин, Сайфи, Сайфуллин, Сенюков, Талдыкина, Шишенина, Юлбарисов
МПК: E21B 43/00, E21B 43/16
Метки: вязкости, нефти, понизитель
...ВЯЗКОСТИ НЕФТИ В котловине смешивстовую воду в соотношПо истечении 1,5 -адаптации микроорганния и существованиясмесь закачивают в заные скважины.В случае высокой мвых вод (более 100 мгзуют только в комплестов. ываю- торичений с вязкиинерализации пласто /л) понизитель исполь ксе с заводнением пла т изобретения П,риме леводь итрофи также ия бак ефти,нение торфянойт и сульфат-воссцирующие, угл маслянокислоготерни, в качестве пульпы, содержащеи танавливающие, деводородокисляющие и гнилостного брожепонизителя вязкости присоединением заявкиИзобретение относится к нефтедо щей промышленности, в частности к ным методам эксплуатации месторож тяжелыми высокосмолистыми и высок ми нефтями. Известны понизители вязкости нефти, приготовленные на...
Способ получения покрытий путем испарения в вакуумейли.: rv, biv: ; -.
Номер патента: 351929
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Путиловский, Сайфуллин, Смышл, Титов, Хуснутдинова, Шакиров, Шнейдер
МПК: C23C 14/26
Метки: вакуумейли, испарения, покрытий, путем
...на нормали, проходящей через его центр на расстоянии, равном 2 - 2,5 диаметра сферы (полусферы),от осц, параллельной нормали и проходящей через центр сферы (полусферы) в точке, удаленной па 2,5 - 3 дцаметра от цецтра покрываемой сферы (полусферы), прц вращении по следцсй, причем, полусферу вращают вокругоси, параллельной нормали, ц сферу вокруг двух взаимно перпендикулярных осей, одна цз которых параллельна нормали,10 При осуществлении способа может быть использован любой тип цспарцтсльцого устройства. Полусферу располагают так, чтобы ось,проходящая через центр полусферы и ее вершину, была параллельна нормали к поверх 15 постному источнику испарения. Центр источника испарения располагают на расстоянии отуказанной осц, равном 2 -...
Способ получения самосмазывающихся гальванических покрытий
Номер патента: 331120
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Акулова, Ахметова, Иванов, Казанский, Кудр, Сайфуллин
МПК: C25D 15/00, C25D 3/38
Метки: гальванических, покрытий, самосмазывающихся
...сохраняют работоспособность при 300 - 400 С в условиях высокого вакуума в течение длительного времени.В состав электролитов вводят порошок фталоцианина меди в количестве 5 - 200 г/л. Осаждение покрытий ведут при перемешивании электролита и режимах, обычно применяемых при осаждении чистых металлическихпокрытий. П р и м е р 1. Качественные покрытия на меди и латуни получают из электролита следующего состава (при рН 0,9 - 1,0) г/л: 5 Осаждение проводится при 20 - 25 С и плотности тока 2 - 6 а/дм. Покрытия обладают свойствами самосмазывания в процессе работы на истирание, Их 10 износ в 6 - 7 раз меньше износа чистых медных покрытий. П р и м е р 2. Качественные бронзовые покрытия на меди и латуни получают из элек тролита следующего...
Установка для нанесения покрытий в вакууме v
Номер патента: 329251
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Акберов, Вайнштейн, Жуковска, Сайфуллин, Смышл, Фахрутдинов, Черников, Чистополов
МПК: C23C 14/24
Метки: вакууме, нанесения, покрытий
...изобретения является создаяие такой установки, в которой был бы повышен коэффициент рабочего объема камеры. Эта цель достигается тем, что камера выполнена в виде тороида с неоткачиваемой внутренней полостью.На чертеже представлена описываемая установка, общий вид.Установка содержит камеру 1 в виде тороида, внутри которой расположены источник 2 распыляемого металла и вращающийся держатель 3 подложек. Герметизация камеры обеспечивается крышкой 4, которая передвигается совместно с тележкой б; герметизация вращающегося вала - манжетным уплотнителем. Держатель подложек вращается отэлектродвпгателя 6 через шкнвную передачу 7 и червячный редуктор 8.Источник распыляемого металла расположен на внутренней стенке камеры и изолиро ван с помощью...
Способ электролитического осаждения сплавамедь—сурьма
Номер патента: 306193
Опубликовано: 01.01.1971
Авторы: Воздвиженский, Мельников, Сайфуллин
МПК: C25D 3/58
Метки: осаждения, сплавамедь—сурьма, электролитического
...цианистого калия, после чего в раствор вводят сегнетову соль. Порошок окиси сурьмыпомещают в электролит в мешочке из двойной стеклоткани, заключенном в винипласто 10 вый перфорированный корпус. Через два часапосле введения окиси сурьмы в раствор электрол 11 т готов к работс,При электролизе используют медные аноды,1 соторые след;ет удалять из электролита вз 1 е 15 сте с приспособлением для ввода окиси сурмы в нерабочее время.П р и м е р 1. Нанесение покрытий на детали из простой и нержавеющей стали, меди имедных сплавов с подслоем никеля и без под 20 слоя осуществляют в электролите указанногосостава при температуре 204 С, П0,2 - 0,4 а/дл, 5; 5,= 2: 1.Осаждающийся сплав содержит 0,2 - 0.5 о/осурьмы, имеет твердость 150 - 180 кг/п 1 птз...
Ссоюзная способ электролитического осаждения;: г„5. гг (щ5дя благородных металловi. gt; amp; -, . iу-il. j ff.: e. k; .; “
Номер патента: 306191
Опубликовано: 01.01.1971
Авторы: Воздвиженский, Мельников, Сайфуллин
МПК: C25D 15/00, C25D 3/46
Метки: iу-il, благородных, металловi, осаждения, ссоюзная, щ5дя, электролитического, •-•"г5
...серебра.Известен способ электролитического осаждения серебра из электролита, содержащего комплексную соль серебра, цианистый и углекислый калий. Однако получаемые при этом покрытия имеют низкую твердость и изпосостойкость,Предложенный способ отличается от известного тем, что с целью повышения твердости и износостойкости покрытия в электролит вводят окисел металла при следующем соотношении компонентов (в г/л): ер, при 20 С, катодной плотно 1,5 а/для при перемешиванип изодержащего (в г/л): получают покрытия серебро-бериллий, содержащие в составе 0,15 - 0,5% окиси бериллия, имеющие твердость 120 - 140 кг/льне и износостойкость в 1,5 - 2 раза большую, чем у серебряных, При введении в этот электролит вместо окиси берпллия двуокиси титана прп...
Способ электролитического золочения
Номер патента: 291987
Опубликовано: 01.01.1971
Авторы: Горска, Мельников, Сайфуллин
МПК: C25D 15/00, C25D 3/48
Метки: золочения, электролитического
...отн ческих покрыт дения золота, вестен способ я из электро фит натрия, эт едложенный ого тем, что,и износосто т вводят кор нин компонеп электролитическоголита, содержащего зоилендиамин.способ отличается ос целью повышенияйкости покрытия, вунд при следуюшемтов (в г/л): олоото,чени сульПр т из- твер- элек- соотвес достро нош 4 - 8(семи 160 в 2 (основа 12 - 16 50 - 100 рН 10 - 11, температуре плотности тока 0,2 -рия ин при дной 20 60 - 240 ер,из э ота 7, да (бев кач и рН 11 ности т каще" ) 50, с авею - 45 С чение лектрол этиленд лый, мар естве ата, содер иамина ки КОода нер атуре 35 а/дмг в Ц 10 - 1плотност ЗолотоСульфитводный)Этлендиание)Корунди процесс веду35 - 45 С и кат0,5 а/дмгТак, напримго (в г/л): зо;70 мл/л,...
Раствор для электрохимического осаждениясеребра
Номер патента: 282878
Опубликовано: 01.01.1970
Авторы: Богданова, Зайцева, Кольцов, Кома, Сайфуллин
МПК: C25D 3/46
Метки: осаждениясеребра, раствор, электрохимического
...раствор отличается от из вестного тем, что с целью увеличения стойкости серебряных покрытий к потемнению и улучшению физико-химических свойств, в раствор введен сульфат металла, катион кото. рого не осаждается на катоде. В качестве ка тиона в раствор может быть введен металл второй, третьей, четвертой групп периодиче. ской системы Д. И. Менделеева.При получении раствора в него в качестве катиона может быть введен, например берил лий, магний, алюминий, титан, торрий и цирконий. При составлении раствора серебрения необходимо, чтобы значение рН гидрообразования вводимого катиона и рН электролита были близки, или рН первого был бы не. 25 сколько выше второго.Для получения серебряного покрытия используют раствор следующего состава,...
Ключевой стабилизатор напряжения
Номер патента: 252408
Опубликовано: 01.01.1969
Авторы: Иванов, Насибуллин, Сайфуллин
МПК: G05F 5/00
Метки: ключевой, стабилизатор
...полюсу источника подключаетсяправляющии электрод тиристора 12, которьш открывается и разрядный ток конденсатора 8 закрывает тпристор 3. Конденсатор 8 нерезаряжается через тиристор 12 и сопротивление 13. Транзистор 5 закрывается и начинается разряд конденсатора 6 через нагрузочное сопрогивление 14, Напряжение на выходе падает, и транзистор 11 закрывается. Когда напряжение на нем достигает величины напряжения на стабилитроне, транзистор 2 открываегся, При этом открывается тиристор 3, н разрядньш ток конденсатора 8 закрывает тиристор 12. Снова открывается транзистор 5, и процесс повторяется. Таким образом, напряжение на конденсаторе 6 поддерживается постоянным в заданном пределе.Пульсация выходного напряжения не превышает величины...
Лентопротяжной механизм к анодно-леханич ескому
Номер патента: 180472
Опубликовано: 01.01.1966
Авторы: Гафуров, Ермошкин, Колков, Сайфуллин, Троицкий, Хлебников
МПК: B23H 7/10
Метки: анодно-леханич, ескому, лентопротяжной, механизм
...пару жцый виток рулона второго накопителя цапрявлец ца 25 наружный виток рулона первого накопителя, чем обеспечивается иепрерывцость лвижеиия лецты-ицструмецта в одцом направлении. Кроме того, из двух ветвей перематываемой лепты одцд является режущей, а другая проходит 30 мимо заготовки, 1)лдгодяря чему можцо разрезать заготовки цеограцичеццой длины.Нд чертеже изобрджеця кицемдтичсскясхема лецтоиротлжиого мехциам 1..Чехаиизм содержит двд отлельць)х, имеющих возможцость одцовремеиио иерсмещдтьсл, идкопителл а и б. На икапителе а три1 икивд: шкив 1 с приводом 2 и шкивимеютмехдиизм 4 постояииого иятяжеция и мехяцизм 5 регулировки иоложецил шкива и обе(печивают цдкоилеиие лсцты-ицструмецтд 6;и 1 кив 7 связяи с мсхяиизмом регулировки ислужит...
Емкостный датчик автоматического влагомера для измерения влажности листовых материалов
Номер патента: 146544
Опубликовано: 01.01.1962
Авторы: Копылов, Сайфуллин, Смирнов
МПК: G01N 27/22
Метки: влагомера, влажности, датчик, емкостный, листовых
...снаожен устройством автоматической коррекции его емкости в зависимости от толщины диэлектрика, Подвижная пластина 2 конденсатора закреплена на вертикальном ползуне 3. Наклонный рычаг 4, шарнирно соединенный с вертикальным ползуном, снабжен роликом 5, соприкасающимся с листом диэлектрика. Другой конец наклонного рычага шарнирно соединен с горизонтальным ползуном 6, подпружиненным пружиной 7, служащей для создания постоянного усилия, прижимающего ролик 5 к листу диэлектрика.146544 Емкость конденсатора со сложным диэлектриком, состоящим из слоя листового диэлектрика и воздушного зазора, зависит от толщины листового материала да и величины воздушного зазора дь, При увеличении толщины слоя диэлектрика на величину Ада и неизменном...