Способ получения покрытий путем испарения в вакуумейли.: rv, biv: ; -.

ZIP архив

Текст

Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельства М Заявлено 12.1.1970 ( 1394744/22-1)с присоединением заявки МПриоритетОпубликовано 21.Х.1972. Бюллетень,хЪ 28Дата опубликования описания 9.Х.1972 М. Кл. С 23 с 13/00 Комитет по делам изобретений и открытий прн Совете Министров СССРЗаявитель СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОКРЫТИЙ ПУТЕМ ИСПАРЕНИЯ В ВАКУУМЕ Изобретение относится к области нанесения покрытий путем испарения материалов в вакууме, в частности к способам нанесения покрытий на выпуклые поверхности сферических и полусферических деталей.Известен способ нанесения покрытий путем испарения в вакууме на вращающиеся сфсрические поверхности. Однако этот способ связан с целым рядом технологических и коцстр 1 ктивных трудностей.Предлагаемый способ повышает равномерность наносимых покрытий. Это достигаегся тем, что источник испарения располагают от нормали, проходящей через его центр, на расстоянии, равном 2 - 2,5 диаметра сферы (полусферы), от оси, параллельной нормали ц проходящей через центр сферы (полусферы) в точке, удаленной на 2,5 - 3 диаметра от центра сферы (полусферы), и процесс ведут прц вращении полусферы вокруг оси параллельной нормали, а сферы - вокруг двух взаимно перпендикулярных осей, одна из которых параллельна нормали. Равномерные покрытия на сферических или полусферических поверхностях получают путем испарения материалов в вакууме при расположении источника испарения на нормали, проходящей через его центр на расстоянии, равном 2 - 2,5 диаметра сферы (полусферы),от осц, параллельной нормали и проходящей через центр сферы (полусферы) в точке, удаленной па 2,5 - 3 дцаметра от цецтра покрываемой сферы (полусферы), прц вращении по следцсй, причем, полусферу вращают вокругоси, параллельной нормали, ц сферу вокруг двух взаимно перпендикулярных осей, одна цз которых параллельна нормали,10 При осуществлении способа может быть использован любой тип цспарцтсльцого устройства. Полусферу располагают так, чтобы ось,проходящая через центр полусферы и ее вершину, была параллельна нормали к поверх 15 постному источнику испарения. Центр источника испарения располагают на расстоянии отуказанной осц, равном 2 - 2,5 диаметра ирасстояние2,5 - 3 диаметра от центра сферы.Полусферу вращают вокруг осц, проходящей20 через ее центр ц вершину, Для напыления покрытий на сферу расположение источника испарения не изменяют, но в процессе напыления сферу вращают вокруг еще одной помимовышеуказанной для вращения полусферы, до 25 полцительной оси, лежащей в плоскости, перпендикулярной нормали к поверхностному источнику,Равномерность наносимых покрытий колеблется в пределах .+1270 для сферы ц +20%30 для полусферы.351929 Предмет изобретения Составитель Е. Кубасова Техред Л. Евдоиов Редактор О. Филиппова Корректор Т, Гревцова Заказ 3452/17 Изд.1333 Тирак 406 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Типография, и р. Сапунова, 2 Способ получения покрытий путем испарения в вакууме на,вращающихся сферических или полусферических выпуклых поверхностях, отличающийся тем, что, с целью повышения равномерности покрытий, источник испарения располагают на нормали, проходящей через его центр, на расстоянии, равном 2 - 2,5 диаметра сферы (полусферы), от оси, параллельной нормали и проходящей через центр сферы (полусферы) в точке, удаленной на 2,5 - 3 диаметра от центра сферы (полусферы), и 5 процесс осуществляют при вращении полусферы вокруг оси параллельной нормали, а сферы - вокруг двух взаимно перпендикулярных осей, одна из которых параллельна нормали.

Смотреть

Заявка

1394744

Ф. Д. Путиловский, Р. Сайфуллин, И. С. Смышл ев, В. С. Титов, С. К. Хуснутдинова, М. Г. Шакиров, И. Г. Шнейдер

МПК / Метки

МПК: C23C 14/26

Метки: вакуумейли, испарения, покрытий, путем

Опубликовано: 01.01.1972

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-351929-sposob-polucheniya-pokrytijj-putem-ispareniya-v-vakuumejjli-rv-biv.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения покрытий путем испарения в вакуумейли.: rv, biv: ; -.</a>

Похожие патенты