Игумнов

Номер патента: 1722874

Опубликовано: 30.03.1992

Авторы: Блик, Игумнов, Пылайкин, Шнюков

МПК: B30B 15/00

Метки: вертикальный, гидравлический, пресс

...фундаментом, На нижней поперечине 2 установлены возвратные цилиндры 7, плунжеры которых взаимодействуют с траверсой 4.На нижней поперечине 2 также расположены симметрично относительно осей пресса пары синхронизирующих цилиндров 8 в виде размещенных в каждой паре соосно и оппоэитно один другому корпусов 9 и 10 сподвижными элементами в виде монолитного трехступенчатого плунжера 11 с крайними ступенями 12 и 13 одинаковогодиаметра.Корпуса 9 и 10 каждой пары синхронизирующих цилиндров 8 соединены междусобой посредством стяжек 14.Верхние ступени 12 плунжеров 11 каждой пары синхронизирующих цилиндров 8соединены с кронштейнами 15 траверсы 4посредством сквозных пазов 16, имеющихвыход в сторону от пресса для удобства установки и демонтажа...

Номер патента: 1721766

Опубликовано: 23.03.1992

Авторы: Игумнов, Масловский, Фомишкин

МПК: H02M 7/538

Метки: инвертор, транзисторный

...пускового транзистора использован 15МДП-транзистор, затвор которого подклю-.чен к управляющему выводу инвертора ичерез введенный диод к базе силового биполярного транзистора, к которой подключен другой вывод вторичной обмотки 20трансформатора тока,На чертеже представлена принципиальная схема транзисторного инвертора.Предлагаемый инвертор состоит из силового п-р-и-транзистора 1, трансформаторного тока 2 и выходного трансформатора3, МДП-транзистора с и-каналом 4 и диода5. Трансформатор тока 2 имеет первичную6 и вторичную 7 обмотки, Второй выводпервичной обмотки трансформатора 3 подключен к первому выводу первичной обмотки трансформатора 2, второй выводкоторой подключен к коллекторутранзистора 1 и стоку МДП-транзистора 4. Первыйвывод...

Номер патента: 1721764

Опубликовано: 23.03.1992

Авторы: Игумнов, Масловский, Фомишкин

МПК: H02M 7/538

...неинвертирующими входами к выходу задающего генератора, причем инвертирующий вход второго компаратора соединен с выходом первого компаратора, а инвертирующий вход третьего компаратора соединен с выходом повторитителя, неинвертирующий вход которого соединен с входным выводом преобразователя.На чертеже показана принципиальная схема преобразователя напряжения,Преобразователь содержит задающий генератор 1, два МДП-транзистора 2 и 3, два резистора 4 и 5, выполняющие функции датчиков тока, три компаратора 6 - 8, повторитель 9. Первые выводы датчиков тока 4 и 5 подключены к общему входному выводу преобразователя и неинвертирующему входу повторителя 9. Выходной вывод задающего генератора 1 подключен к неинвертирующим входам компараторов 7 и...

Номер патента: 1718350

Опубликовано: 07.03.1992

Авторы: Игумнов, Масловский, Русак

МПК: H02M 7/217

Метки: переменного, постоянное

...второго МДП-транзистора и первому выводу первого резистора, второй вывод которого подключен к общему выводу, второму выводу нагрузочного резистора и затвору второго МДП-транзистора, исток и подложка которого соединены между собой, за счет введения двух диодов с барьером Шоттки, первый из которых катодом подключен к подложке первого МДП-транзистора, исток которого подключен к аноду первого диода, входному выводу и аноду второго диода, катод которого подключен к истоку второго МДП-транзистора,Указанные отличительные признаки являются существенными, так как они не известны из других технических решений и создают в изобретении новое свойство, заключающееся в следующем.За счет включения диодов с барьером Шоттки через МДП-транзисторы могут...

Номер патента: 1713048

Опубликовано: 15.02.1992

Авторы: Игумнов, Масловский, Соловьев, Фомишкин

МПК: H02M 3/335

Метки: однотактный, постоянного

...и первому выводу 15 резистора 8. Между входными выводамипреобразователя включен блок 3 управления. Второй вывод первичной обмотки трансформатора 1 подключен к стоку транзистора 4, затвор которого подключен к пер вому выводу резистора 7. Второй выводПоследнего подключен к аноду диода 9. Выход блока 3 управления подключен к затвору транзистора 4, Второй вывод резистора 8 подключен к первому электроду секции 25 возбуждения пьезоэлектрического трансформатора 5, Общий вывод выпрямителя 6 подключен к общей шине, истскутранзистора.4 и второму электроду секции возбужденйя трансформатора 5. Электрод 30 генераторной секции трансформатора 5подключен к входному выводу дополнительного выпрямителя 6, выходной вывод которого подключен к...

Номер патента: 1705992

Опубликовано: 15.01.1992

Авторы: Игумнов, Королев, Фомишкин

МПК: H02M 7/5387

Метки: инвертор

...и 10 способствуют повышению скорости закрывания транзисторов 1 и 5.В качестве транзистора 1 может быть использован транзистор со статической индукцией(СИТ). Особенностью СИТ является то, что он находится в открытом состоянии при нулевом напряжении на его затворе,При отсутствии управляющих сигналов на выводах блока 11 управления транзистор 1 закрыт, а транзистор 5 открыт, Закрытое состояние транзистора 1 обеспечивает отсутствие сквозного тока.При поступлении управляющего напряжения Оупр,1 на первый вывод блока 11 управления и Оур,2 на второй вывод блока управления транзистор 1 открывается, а транзистор 5 закрывается, Так как транзистор 5 имеет высокое быстродействие и его входная емкость заряжается через прямо- смещенный диод 10, он...

Номер патента: 1698950

Опубликовано: 15.12.1991

Авторы: Игумнов, Фомишкин, Щербакова

МПК: H03F 3/26

Метки: мощности, усилитель

...на дополнительных резисторах. поступает на подложки обоих МДП- транзисторов, Это напряжение устраняет кандл В МДП"трднзистордх 1 при напрЯжениях на их затворах близких к нулю) и запирает р-и-переход исток-подложка. Р результате начальный ток В МОП-транзисторах уменьшается практически до нуля, ч го и обуслея. ливает снижение потерь, а следовательно, повышение КПД,На чертеже представлена принципиальная схема усилителя мощности.Усилитель мощности содержит два МДП-транзистора 1 и 2 с п-каналом, два трансформатора 3 и 4, преобразователь 5 переменного напряжения в постоянное и три резистора 6-8. Трансформатор 3 имеет первичную и вторичную обмотки, Выводы от первичной обмотки подключены к источнику входного сигнала, Первый крайний вывод...

Номер патента: 1693701

Опубликовано: 23.11.1991

Авторы: Игумнов, Фомишкин, Щербакова

МПК: H02M 7/217

Метки: переменного, постоянное

...входного напряжения протекание тока в первичной обмотке определяется состояниями МДП-транзисторов 5, поскольку для этого режима уже диод 3 включен в пропускном направлении, Для открывания МДП-транзисторов 4 на их затворы поступают положительные импульсы со схемы управления 9, а для открывания МДП-транзисторов 5 - отрицательные импульсы. Частота отпирающих импульсов, поступающих на затворы МДП-транзисторов 4 и 5, должна быть много больше частоты входного напряжения, В результате эа одну полуволну входного напряжения ток будет многократно протекать через первичную обмотку трансформатора 1 в одном направлении, Сигналы вторичной обмотки трансформатора 1 преобразуются выпрямителем б в пульсирующее однополярное напряжение, поступающее на...

Номер патента: 1691942

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Игумнов, Костюнин, Щербакова

МПК: H03K 4/502

Метки: генератор, пилообразного

...общей шиной генезатора и второй обкладкой второго конденсатора 7, котооая соединена через резистор 8 с шиной б питания. Катод диода 5 соединен с входом токостабилизирующего элемента 3, Управляющий вхсд второго управляемогс ключевого элемента 10 соединен с шиной 4 синхронизации, Выходная шина 11 соодинена с второй обкладкой конденсатора 2,Генератор пилообразного напряжения работает следующим образом.При подаче на шину 4 положительного напряжения (импульса) ключевые элементы 10 и 1 находятся в открытом состоянии, Е:- ли перед этим конденсатор 2 был заряже., то происходит его разряд, т,е, формируется обратный ход выходного пилообразного .- апряжения. При этом конденсатор 7 заряжает. ся дс напряжения, близкого к напряжению источника...

Номер патента: 1690119

Опубликовано: 07.11.1991

Авторы: Игумнов, Королев, Фомишкин

МПК: H02M 1/08

Метки: индукцией, статической, транзистором

...Резистор 5 обеспечивает необходимый режим работы транзистора 4, оба р-и-перехода которого в этом случае оказываются смещенными в прямом направлении, Транзистор же 3 при этом закрыт, Особоотметим, что отрицательное напряжсние на затворе СИТ 1 заряжает его емкость затвор- исток. В результате и по окончании действия отрицательного импульса управления СИТ 1все еще находится в закрытом состоянии(до прихода следующего положительного импульса).Основная особенность устройства состоит в обеспечении запирания СИТ 1 вслучае, когда к клеммам (между стоком и истоком СИТ 1) приложено напряжение, ана вход устройства (первичную обмотку трансформатора 2) еще не поступают сигналы управления. Такие условия часто наблюдаются в начальный период времени при...

Номер патента: 1683153

Опубликовано: 07.10.1991

Авторы: Громов, Игумнов, Фомишкин

МПК: H02M 7/23

Метки: переменного, постоянное

...полуволне Входного напряжения МДП-транзисторы 5 и 6 открыты при погтупренирФ на их эс"ворыположительных импульсоВ сО схемы 7 управления, Включение диода 9 обеспечиваетна подложках МДП-транзисторов 5 и 6 практически потенциал их истоков,так что токичерез их р-л-переходы не протекают. Ток,поОтекающий через первичную обмоткутрансформатОра 1, Опр 8 деляется ТОлькО состояниями ,открытое или закрь;тое) МДПтранэисторое 5 и 6,При отрицательной полуволне входного напряжения МДП-транзисторы 5 и 6 открыты при поступлении на их затворы положительных импульсов, а закрыты при поступлении отрицательных импульсов со схемы 7 управления, Для того, чтобы МДП- транзисторы 5 и 6 были надежно закрыты, необходимо подать нз их затворы отрицательные импульсы,...

Номер патента: 1683148

Опубликовано: 07.10.1991

Авторы: Дрожжев, Игумнов, Масловский

МПК: H02M 5/16

Метки: переменного

...близкой к Овх, В исходном положении МДП-транзисторы 3 и 4 закрыты, Поскольку МДП-транзистор 4 закрыт, то напряжение не воздействует на секцию возбуждения ПЗТ 1. При достижении мгновенным значением напряжения на истоке МДП-транзистора 4 его порогового напряжения, Он открывается и весь перепад напряжения будет воздействовать на секцию возбуждения ПЗТ 1., что приводит к появлению в ПЗТ 1 слабо затухающих колебаний с частотой, равной резонансной частоте ПЗТ 1. Крутизна этого перепада напряжения во многом определяется входной емкостью ПЗТ 1.Затем переменное напряжение с электрода обоатной связи пЗт 1 1 череэ конденсатор 6) будет поступать на затворы МДП-транзисторов 3 и 4, управляя их состояниями: закрыт - . открыт, При закрытом...

Номер патента: 1682798

Опубликовано: 07.10.1991

Авторы: Дюбко, Игумнов, Южаков

МПК: G01F 1/68

Метки: расходомер, тепловой

...спал 1 п, свободных концов иск и жидкости 1 Ж связань между собой соотношениемтн = 1 п = тж + Л 1 н; (1)1 к = 1 ск = тж; (2)Ь 1= тн - 1 ж = сп - 1 ж (3), где Л 1 н,С - разность между усредненной температурой корпуса нагревателя и температурой жидкости, равная разности температур измерительного спая и свободных концов термопары.При постоянной мощности источника тепловой энергии и при известном сечении трубы величина йн сильно зависит от величины расхода ц и слабо зависит от температуры жидкости Ь,На свободных концах 7 термопэры образуется термо-ЗДС, пропорциональная йя, эта термо-ЗДС поступает нэ вход усилителя 9 и усиливается, выходное напряжение Оу усилителя, аналогично, сильно зависит от величины расхода 9 и слабо зависит от...

Номер патента: 1680681

Опубликовано: 30.09.1991

Авторы: Волчек, Игумнов, Молокович, Поляков, Ходаковский, Шаститко

МПК: C05D 1/04

Метки: калийных, калийсодержащих, руд, удобрений

...фракции - 2,0+О мм для депрессии глинисто1 б 80681 Табл и ца 1 карбонатных шламов этой фракции (3,2% Н.О,) подают в процесс 300 - 400 г/т руды депрессора КМЦ (карбоксиметилцеллюлоэы), Анализ данных гранулометрического состава фракции - 2,0+О мм (табл, 1) показывает, что она представлена более чем на 1/3 часть тонким классом - 0,045+0 мм, содержанием Н.О. в котором составляет 5,90 против 0,8 Н.О. в классе - 0,1+0,074 мм и 1,2% Н.О. в классе -0,074+0,045 мм и 0,5 Н,О, в классе - 0,2+0,1 мм, т.е. по содержанию Н.О. фракции - 0,2+0,045 мм приближаются к химическому составу фракции -1,0+0,2 мм.В процессе обесшламливания фракции - 0,1 -- 0,074+0 мм из пульпы удаляют "свободные" тонкие шлемы, т.е, структурно не связанные с частицами КС,...

Номер патента: 1670737

Опубликовано: 15.08.1991

Авторы: Игумнов, Фомишкин, Щербакова

МПК: H02M 7/217

Метки: переменного, постоянное

...напряжение МДП-транзисторов 2 и 3,Преобразователь работает следующим образом.При наличии положительной полуволны на управляющем, промежуточном основном и среднем промежуточном выводах вторичной обмотки трансформатора 1 (относител ьно основного вывода) МДП-транзисторы 2 и.3 открыты и практически все напряжение с силового вывода поступает на нагрузку 6, При этом МДП-транзистор 4 находится в закрытом состоянии и не влияет на работу устройства,В следующий полупериод, при отрицательной полуволне, поступающей на затворы МДП-транзисторов 2,3 и 4, МДП-транзисторы 2 и 3 будут находиться в закрытом, а МДП-транзистор 4 - в открытом состоянии. Для :адежной работы силовых МДП-транзисторов 2 и 3 в закрытом состоянии необходимо, чтобы падения...

Номер патента: 1667208

Опубликовано: 30.07.1991

Авторы: Игумнов, Масловский, Фомишкин

МПК: H02M 3/335

Метки: однотактный, постоянного

...1 подключен к стоку МДП-транэистора 4 и катоду диода 5, анод которого подключен к катоду диода 6, анод которого подключен к католч диода 7. Подложка МДП-транзистора 4 через конденсатор 9 подключена к аноду диода 7 и к истоку этого транзистора, Выводы вторичной обмотки трансформатора 1 подключены к входным выводам выпрямителя 2, выходные выводы которого подключены к сопротивлению нагрузки 3,При поступлении на затвор МДП-транзистора 4 положительного напряжения он открывается и в первичной обмотке трансформатора 1 начинает протекать ток. Сигналы вторичной обмотки трансформатора 1 поеобразуатся выпрямителем 2 в постоянное напряжение, поступающее на нагрузку 3 При работе в резонансном режиме рабочая частота преобразования определяется...

Номер патента: 1665481

Опубликовано: 23.07.1991

Авторы: Громов, Игумнов, Масловский

МПК: H02M 7/217

Метки: переменного, постоянное

...МДП транзистора 1 было ниже порогового напряжения МДП-транзистора 2, которое в свою очередь было ниже порогового напряжения МДП-транзистора 3. При превышении входным напряжением Овх, величины 20 порогового напряжения МДП-транзистора 1 (по модулю) он открывается и на первом выходном выводе 9 появляется выходное напряжение Овых,1, Когда напряжение Овх, достигает величины порогового напряже ния МДП-транзистора 2, он так же открывается и на втором выходном выводе 10 появляется выходное напряжение Овых.2. При этом напряжение между затвором и истоком МДП-транзистора 1 становится 30 близким к нулю и МДП-транзистор 1 закрывается, Таким образом, напряжениевых.1 равняется пороговому напряжению МДП- транзистора 2, а при включении сглаживающего...

Номер патента: 1654378

Опубликовано: 07.06.1991

Авторы: Белов, Вешняков, Донских, Игумнов, Лебутенкова, Полковников, Ушков

МПК: C25C 1/22

Метки: бедных, выделения, растворов, сурьмы, электрохимического

...1 зобрет ние о 1 носится к области нц т;лурги цветных металлов и может бкт использовано Длн выцелениЯ сУРь мы з бедных промышленных сульфидцо - щелочных растворов.Цепь изобретения - увеличение у; ьцой производительности процесс;:, повышение выхсда по току сурьмы1.меньшени ее остаточной концентра ,-, ц; в "бросцом элетролите.1 1 и и . р ы, 0 ектрошт, содержап,1 й, г/л: сурьма 14,8; 1 а Б 100", И:.:0 Н 35; на, СОз 23; ИаБОз 10,8;Х; Б .О 39.,7; и дь 0,009-0,01; желе 0,009-0,01; теллур 0,005-0,001, 1:ь.с ргают диафрагменному электрогзу с использованием электрода типа пссвдоожиженного с крупностью частиц 2-4 мм прц порозности 0,3-0,5 в течение 5-6 ч при кажущейся анодной п.,огности тока 3000 А/и и катодной ии цветных металлов и мож лотности...

Номер патента: 1653110

Опубликовано: 30.05.1991

Авторы: Дрожжев, Игумнов, Костюнин, Масловский

МПК: H02M 7/538

Метки: переменное, постоянного

...устойчивая работа. преобразователя,Диод 9 служит для исключениявлияния нагрузки на процесс разрядаконденсатора 8,Преобразователь работает следующим образом.При открытом МДП-транзисторе 1и закрытом МДП-транэисторе 2 П0 и происходит эаряц конденсатора 7от Еп через МДП-транзистор. 1 ирезистор 5, а также разряд конден 55сатора 8 через резисторы 4, 6 и 11,Этот процесс длится до тех пор, пока напряжение между затвором и истоком МДП-транзистора 2 не превысит величину его напряжения отсечки, а напряжение между затвором и истоком МДПтранзистора 1 не сравняется сосвоим порогом закрывания (открывания)., В результате МДП-транзистор2 открывается, а МДП-транзистор 1закрьвается. Пои этом происходитзаряд конденсатора 8 по цепи: ЕМДП-транзистор...

Номер патента: 1652379

Опубликовано: 30.05.1991

Авторы: Белов, Ершова, Игумнов, Левин, Соколов, Соловьев, Черенков

МПК: C22B 34/36, C25C 1/22

Метки: вольфрамсодержащих, переработки, сплавов, электрохимической

...при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 частотой колебаний 50 Гц и амплитудой колебания 2 мм. Анодный остаток (99,6 г) содержал 0,002 мас.% ниобия и 99,998 мас, вольфрама. В процессе анодного растворения в раствор перешло 99 ниобия(от ис ходного) и 0,2 вольфрама (от исходного). Таким образом, в анодном остатке получен практически чистый вольфрам. Извлечение ниобия и вольфрама из раствора может быть осуществлено известными способами. 10П р и м е р 2. Сплав(100 г), содержащий 1,4 мас. ниобия и 98,6 мас. вольфрама, механически измельчали до крупности 300 мкм и подвергали электрохимической обработке в электролите, содержащем 350 г/л 15 серной кислоты...

Номер патента: 1642569

Опубликовано: 15.04.1991

Авторы: Игумнов, Королев, Фомишкин

МПК: H02M 7/10

Метки: переменного, постоянное

...с силойого вывода поступает на нагрузку 6.При этом МДП-транзистор 4 находится50в закрытом состоянии и не влияет наработу устройства.В следующий полупериод, при отрицательной полуволне, поступающей назатворы МДП-транзисторов 2, 3 и 4,МДП-транзисторы 2 и 3 находятся взакрытом, а МДП-транзистор 4 - в открытом состоянии. Для надежной работысиловых МДП-транзисторов 2 и 3 в за т крытом состоянии необходимо, чтобы падения обратного напряжения на них были примерно равны. Для такого выравнивания напряжений (симметрирования МДП-транзисторов 2 и 3) и служат МДП-транзистор 4 и резистор 5,С помощью резистора 5 достигается выполнение условия, чтобы сопротивление закрытого МДП-транзистора 3 всегда было несколько меньше сопротивления закрытого...

Номер патента: 1631686

Опубликовано: 28.02.1991

Авторы: Громов, Игумнов, Щербакова

МПК: H02M 7/538

Метки: импульсное, напряжение, однополярное, постоянного

...соединен с вторым входным выводом преобразователя, эмиттер через резистор 13 соединен с базой транзистора 8 и через введенный седьмой резистор 15 - с первым входным выводом преобразователя, База транзистора 14 через введенный восьмой резистор 16 соединена с коллектором транзистора 1.Устройство работает следующим образом.При одном такте работы мультивибратора транзистор 2 открыт и Ооых=О, а транзистор 1 закрыт и на его коллекторе присутствует импульс напряжения с амплитудой, близой к Еп. Этот положительный импульс поступает на базу транзистора 8, открывая его. В результате конденсатор 10 заряжается до напряжения, близкого к Еп.При другом такте работы мультивибратора транзистор 2 закрывается, а транзистор 1 открывается и напряжение на...

Номер патента: 1631673

Опубликовано: 28.02.1991

Автор: Игумнов

МПК: H02M 3/07

Метки: постоянного, постоянное

...с различных плеч мультивибратора: когда на первом выходе присутствует положительное напряжение (примерно, равное напряжению Овх, то на втором выходе напрякение практически равно нулю, и наоборот. Кроме того, нмера выходов генератора 1 импульсов могут быть взяты произвольно. Постоянное напряжение Ох является напряжением питания для генератора 1 импульсов,МДП-транзисторы 6, 7 и 9 включены посхеме диода, При малом пороговом напряжении Оо этих МДП-транзисторов 10 15 20 35 40 45( Оо =- 0 ) они характеризуются минимальным падением прямого напряжения (меньшим, чем обычные кремниевые диоды). На фиг, 2 приведены экспериментальные характеристики для МДП-транзистора 2 П 904 А, включенного как МДП-транзисторы 6, 7 и 9 (а), и для сравнения...

Номер патента: 1631533

Опубликовано: 28.02.1991

Авторы: Дрожжев, Игумнов, Щербакова

МПК: G05F 3/20

Метки: постоянного, стабилизатор

...6 задается ток подлокки (базы), обеспечивающий необходимый режим этого и-р-и-транзистора. С помощью резистора 5 и конденсатора 7 задается постоянная времени цепи затвора МДП-транзистора 4.Токи эмиттеров транзисторов 1 и 3 порождают избыточный заряд дырок в их коллекторах, эа счет чего на коллекторных переходах обоих р-и-р-транзисторов появляются,полокительные инжекционные напряжения, Максимальная величина инкекционного напряжения на транзисторе в основном определяется равновесной высотой потенциального барьера р-п- перехода и для кремниевых структур примерно равна 0,7 - 0,8 В, Такое напряжение присутствует между коллектором транзистора 3 и общей шиной, а между коллектором транзистора 1 и общей шиной обраэуе 1 ся выходное...

Номер патента: 1629986

Опубликовано: 23.02.1991

Автор: Игумнов

МПК: H03K 19/094

Метки: мдп-инвертор

...- дополнительный инвертор,При подаче на входную клемму 7 отрицательного напряжения логической единицы МДП-транзисторы 1 и 3 открыты. Напряжения на выходе основного и дополнительного инверторов практически равны нулю. При этом через диод 5 заряжается конденсатор 6 от источника питания до напряжения, близкого к Е . Конденсатор 12 также заряжается через диоды 5 и 11 до напряжения, близкого к Еп. При нулевом напряжении на клемме7 (логического нуля) МДП-транзисторы1 и 3 закрыты. Напряжение на истоке5 .МЛП-тпанэистрра .4 становится равнымЕ(,-Чр . 11 ри этом напряжение наконденсаторе 6 складывается с напряжением истока МДП-транзистора 4 иэто суммарное (отрицательное) напря 10 жение оказывается приложенным как кзатворам МДП-транзисторов 2 и 4,...

Номер патента: 1624623

Опубликовано: 30.01.1991

Авторы: Игумнов, Королев, Масловский, Фомишкин

МПК: H02M 3/07

Метки: постоянного

...9 - в открытом состоянии. При этом происходит зарядконденсатора 4 по цепи источник 1 питания - диод 7 - конденсатор 4МДП-транзистор 9 до напряжения, близкого к П , При нулевом напряжении на выходе ГИ 2 состояния МДП-транзисторов 5 и 9 изменяются на противоположные, В результате напряжение первичного источника 1 (через МДП-транзистор 5) складывается с.напряжением заряженного конденсатора 4, и этим суммарным напряжением(через диод 8) заряжается конденсатор, 3. Таким образом, выходное напряжение устройства ц аь,х206,В данном преобразователе силоваячасть собрана на МДП-транзисторах5,9 и диодах 7, 8, а ГИ 2, имеющиймалый собственный КПД, является маломощной частью. Это определяетсятем, что генератор лишь управляет высокоомными цепями...

Номер патента: 1622943

Опубликовано: 23.01.1991

Авторы: Игумнов, Костюнин, Масловский

МПК: H03K 17/687

Метки: ключ, силовой, транзисторный

...Шоттки, анод которог," соединен с подложками МДП-транзисторов 1 и 6, первой обкладка 1 конденсатора 8 и истоком дополни-ельного МДП-транзистора 6.8 торой токовый электрод МДП силового транзистора 1 через последовательно включенные датчик 5 тока и первый резистор 3 соединен с общей шиной 10.К затвору МДП силового транзистора 1 идключены втаоай вывод второго резистора 4 и затвор дополнительнсга МДП-транзистора 6. Между затворам МДП силового транзистора 1 и общей шиной 10 включен блок 2 защиты, управляющие выводы которого подключены к выходным выводам датчика 5 тока, Блок 2 защиты может содержать защитный диод с барьером Шоттки.Силовой транзисторный ключ работает ледующим образом.При положительной полуволне входног о напряжения на...

Номер патента: 1612362

Опубликовано: 07.12.1990

Авторы: Громов, Игумнов, Масловский

МПК: H02M 7/217

Метки: переменного, постоянное

...Ы. (на выводе 4) транзистор 3 заперт. В результате оказывается оборванной цепь баз транзисторов 1 и 2, и 118. не проходит на нагрузки. Напряжение 11- проходит на нагрузки 9 и 10 при положительной полуволне напряжения на выводе 4. В этом случае транзистор 3 открыт и не оказывает существенного влиянии на протекание токов через прямосмещенные эмиттерные пе. реходы транзисторов 1 и 2, работающих в инжекционном режиме, Напряжение 11 в , на нагрузке 9 определяется суммой инжекционного напряжения на коллекторном переходе транзистора 1 и напряжения на эмнттерном переходе транзистора 2, которая для кремниевых транзисторов примерно равна 2 грю- 2 В. Напряжение 11.ы.з на нагрузке 10 определяется инжекционным напряжением на коллекторном переходе...

Номер патента: 1608781

Опубликовано: 23.11.1990

Авторы: Башакин, Громов, Игумнов, Масловский

МПК: H03F 1/22, H03F 3/04

Метки: усилитель

...с базой второго тран 30 35 зистора и с общей шиной, о т л и ч а ю щ и й 40 с я тем, что, с целью повышения стабильности, введен дополнительный транзистор,имеющий и - р - и структуру, коллектор которого подключен к базе третьего транзисто 45 ра, эмиттер - к общей шине, а база - к коллектору третьего транзистора,Составитель Н,ДубровскаяРедактор М,Бланар Техред М;Моргентал Корректор Т.Палий Заказ 3623 Тираж 669 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 101 Усилитель работает следующим образом.Источник питания знаком "Плюс" смещает эмиттерный переход второго транзистора 2 в прямом...

Номер патента: 1583419

Опубликовано: 07.08.1990

Авторы: Гончар, Игумнов, Сотников, Трушкин, Шкурак

МПК: C07D 295/06, C07D 295/22

Метки: морфолинотрифторсульфурана, морфолинофторметана

...процесса.Синтез ведут из бис(морфолино)-метана и тетрафторида серы при (-50)-(-70) Споследующим разделением целевых продуктов перегонкой в вакууме. В этих условиях выход морфолинофторметана 85-933, морфолинотрифторсульфурана 83-902, 1 табл. взаимодействию с тетрафторидом серыпри (-50)-(-70) С с последующим разделением целевых продуктов.П р и и е р 1. В трехгорлую колбу, снабженную углекислотным обратным холодильником, мешалкой и капельоной воронкой, при охлаждении до -60 Сконденсируют 10,8 г (О, 1 моль) тетрафторида серы и по каплям добавляют 18,6 г (0,1 моль) бис(морфолино)метана. Реакционную смесь отогревают до комнатной температуры и отгоняют 10,8 г (912) морфолинофторметана, т,кип. 45-46 С (12 мм рт,ст.),и 15 6 г (89 Ж)...