Преобразователь переменного напряжения в постоянное

,1 1)5 Н 02 М 7/21 ОСУДДРСТВЕННЫЙПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ ИПРИ ГКНТ СССР ИТЕТРЫТИЯМ ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ЕЛЬСТВУ(71) Московский институт рэлектроники и автоматики(54) ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ПЕРЕМЕННОГО НАПРЯЖЕНИЯ В ПОСТОЯННОЕ (57) Изобретение относится к электротехнике, в частности к низковольтным преобразовательным устройствам, и предназначено для п:тания интегральных схем. Цель изобретения - расширение функциональных возможностей путем обеспечения питания двух нагрузок. Преобразователь переменного напряжения в постоянное обеспечивает получение двух стабильных выходных напряжений, величины которых отличаются друг от друга в два раза и определяются значением д, используемых в устройстве транзисторов 1 и 2. Лучшие результаты получаются, когда форма входного напряжения имеет вид меандра. 1 ил.2362 Формула изобоетения 161зИзобретение относится к электротехнике,в частности к низковольтным преобразовательным устройствам, и предназначено дляпитания интегральных схем.Цель изобретения - расширение функционал 1 ых возможностей путем обеспечения питания двух нагрузок,На чертеже приведена принципиальнаясхема преобразователя.Преобразователь содержит два транзистора 1 и 2 с р - и - р-структурой и транзистор 3 с и - р - п-структурой. Эмиттер транзистора 1 подключен к входному выводу 4и первому выводу резистора 5. Второй вывод резистора 5 подключен к базе транзистора 3, эмиттер которого подключен к входномувыводу 6. Одни обкладки конденсаторов 7и 8 подключены к одним выводам сопротивлений нагрузок 9 и 10 и образуют выходной вывод 11. Коллектор транзистора 3подключен к базе транзистора 2, эмиттеркоторого подключен к базе транзистора .Коллектор транзистора 1 подключен к другой обкладке конденсатора 7, выходному выводу 12 и другому выводу резистора 5. Другая обкладка конденсатора 8 и другой выводрезистора 5 подключены и коллектору транзистора 2 и выходному выводу 13. Входнойвывод 6 и выходной вывод 11 объединены. Преобразователь работает следующим образом.При отрицательной полуволне входного напряжения Ы. (на выводе 4) транзистор 3 заперт. В результате оказывается оборванной цепь баз транзисторов 1 и 2, и 118. не проходит на нагрузки. Напряжение 11- проходит на нагрузки 9 и 10 при положительной полуволне напряжения на выводе 4. В этом случае транзистор 3 открыт и не оказывает существенного влиянии на протекание токов через прямосмещенные эмиттерные пе. реходы транзисторов 1 и 2, работающих в инжекционном режиме, Напряжение 11 в , на нагрузке 9 определяется суммой инжекционного напряжения на коллекторном переходе транзистора 1 и напряжения на эмнттерном переходе транзистора 2, которая для кремниевых транзисторов примерно равна 2 грю- 2 В. Напряжение 11.ы.з на нагрузке 10 определяется инжекционным напряжением на коллекторном переходе транзистора 2, примерно равным равновесной высоте потенциального барьера р - и-перехода гроПадение напряжения на промежуткахколлектор - эмиттер транзисторов 1 и 2 мало, чем и определяется повышенное значение КПД при малых (.)-. Конденсаторы 7 и 8 выполняют функции сглаживающих 10 ф".1 ьтров. Резистор 5 обеспечивает необходимый режим работы транзистора 3, его номинал выбирается в зависимости от рабочих величии 1.)-.Преобразователь может бь 1 ть дополнен 15еще одним или несколькими (инжекционными) р - и - р-транзисторами, включенными аналогично транзисторам 1 и 2. В результате можно получить и другие величины выходных стабильных напряжений (кратных ро).20 Преобразователь переменного напряжения в постоянное, содержащий три транзистор;., первый из которых имеет р - и - р-структуру, а второй - и - р - и-структуру и конденсатор, первая обкладка которого подключена к коллектору первого транзистора и образует первый выходной вывод, а вторая обкладка конденсатора образует второй выЗо ходной вывод, причем, один входной выводсоединен с эмиттером первого транзистора, а другой входной вывод - с эмиттером второго транзистора, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей путем обеспечения питания двух нагрузок, 35 третий транзистор имеет р - и - р-структуруи коллектором подключен к третьему выходному выводу и одной обкладке дополнительного конденса,ора, другая обкладка которого соединена с эмиттером второго транзистора, причс:я, база второго транзио тора соединена через дополнительньй рез стор к первому входному выводу, база тг сгьго транзистора подключена к коллектору второго транзистора, г база первого транзистора подсоединена к эмиттеру третего транзистора.Составитель В. ГороховРедактор Г. Гербер Техред А. Кравчук Корректор В. ГирнякЗаказ 3834 Тираж 499 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5Производственно-издательский комбинат Патент, г. Ужгород, ул. Гагарина, 101