Эмиттер горячих электронов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 383107
Автор: Авторы
Текст
г; 1;.ьчлц:т на.,ггпу.,ОП ИСАНИ Е ИЗОБРЕТЕН ИЯ 383107 Согоз Советских Социалистических РеспубликСВИДЕТЕЛЬСТВУ К АВТОРСКОМУ ельства Уев ависимое от авт. св гЧ. Кл. Заявлено 17,Х 11.1963 ( 871294/26-2 1/3 рисоединением заявк Приоритет Комитет по делам обретений и открытий ри Совете Министров СССРубликовано 23.тгЛ 973. юллетень М 2 Дата опублгикования описания 13 т/111.19 Авторыизобретения ан и Г, А, Кудинцеваэлектроники АН СССР И. Елинсон, А, Г. ститут радиотехникиаявитель ЕКТРО НОВ МИТТЕР ГОРЯЧ ЯпО создается локальная (шириной 1 - 2 дгклг) область с повышенным сопротивлением, преимущественно перпендикулярная к вектору цапряжеьшостц электрического поля.При приложении к формованному слоьо напряжения и прц наличии отсасывающего напряжения ца аноде наблюдается эмиссия электронов из локальной высокоомцой области, причем эмиссия сопровождается люмьшесценцией эмиттирующей области.Пленочный характер эмиссии позволяет применять катод как в обычных электровакуумных приборах, так и в микромпциатюрных вак умных устройствах.=гмиттер горячих электронов ца основе полупроводникового материала, работающий при приложении поперечного электрического поля, от,гггчаюгггггйся тем, что, с целью повы шения плотности тока эмиссии и увеличения эффективности, оц выполнен из пленки двуокиси олова, цацесецной на диэлектрическую подложку и имеющей локальную область с повышенным сопротивлением, пересекающую пленку преимущественно по нормали к вектору напряженности электрического поля. Изобретение предназначено для использо вания в электровакуумных приборах.Известны холодные катоды на основе полупроводниковых монокристаллов, в которых эмиссия обеспечивается разогревом электронного газа при приложении напряжения в направлении, перпендикулярном к выходу электронов в вакууме (например, эмиттеры с р - и-переходом) .Предлагаемый эмиттер обладает повышенной плотностью эмиссии. Для этого он выполнен из полупроводниковой пленки двуокиси олова (8 пО), нанесенной на диэлектрическую подложку, например кварц,Для получения эмиттирующей области ца пленке создается конфигурация, представляющая собой две области, которые соединены перешейком. Размеры этих частей пленки подбираются так, чтобы локализация приложенного к пленке поля происходила в центре узкого перешейка.Пленку прогревают током накала до 1000 - 1100 С (100 - 200 в, -60 ма). В процессе тепловой обработки (формовки) наблюдается стя гивание теплового свечения к середине перешейка; прогрев выключается, когда видимая протяженность свечения достигнет долей миллиметра. В результате прогрева на пленке редмет цзооретецця
СмотретьЗаявка
871294
М. И. Елинсон, А. Г. Ждан, Г. А. Кудинцева Институт радиотехники, электроники СССР
Авторы изобретени
МПК / Метки
МПК: H01J 1/308
Метки: горячих, электронов, эмиттер
Опубликовано: 01.01.1973
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-383107-ehmitter-goryachikh-ehlektronov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Эмиттер горячих электронов</a>
Предыдущий патент: Эссокэная •-= г-fstjil т”1г. iiasatno t: ; . a: -i. r: c. il;
Следующий патент: Способ изготовления металловолоконной пластины
Случайный патент: Способ образования обмазки