G01K 11/00 — Измерение температуры термометрами, действие которых основано на изменении физических или химических свойств веществ в зависимости от температуры, не отнесенными к группам

Номер патента: 1192044

Опубликовано: 15.11.1985

Авторы: Гроссман, Сердюков

МПК: G01K 11/00, H02K 11/00, H02K 9/19 ...

Метки: асинхронного, погружного, статор, электродвигателя

...20 Вдоль ребер выполнены сквозные отверстия 4, в которых с обеспечением теплового контакта размещены термо,предохранители 5,Каждый термопредохранитель элек трически соединен последовательно с одной иэ фаз статорной обмотки 6. Электродвигатель, предназначенный для привода топливного насоса и в нормальном режиме полностью погруженный в топливе, работает следующим образом,Когда он погружен в топливо, тепло отводится и с внешней стороны корпуса и от сердечника при протоке топлива через пазы между ребрами. При этом обеспечивается минимальное превьппение температуры обмотки и сердечника над температурой корпуса и топлива. В аварийном режиме, когда двигатель работает в опорожненном топлив ном баке, при появлении в это же время в...

Номер патента: 1224615

Опубликовано: 15.04.1986

Авторы: Минина, Симеонов, Струг

МПК: G01K 11/00

Метки: температуры

...определяется точкой пересечения прямой с левой ветвью кривой 1 (точка Т,). При наличии аустенита и твердости образца не ниже 400 кг/ммтемпература определяется точкой пересечения прямой с правой ветвьюкривой твердости (Т).При твердости ниже 400 кг/мм. температура определяется по правой ветви кривой аустенита (кривая П, точка Т).П р и м е р. Измерялась температура нагрева металлической деталив процессе напыления твердого покрытия нитрида титана по методу КИБ(конденсация с ионной бомбардировкой).Наличие электростатического полявысокого напряжения и необходимостисложного движения деталей в камере,5 10 15 20 25 30 35 в которой происходит нанесение покрытия, исключило возможность.использования термоэлектрических и терморезистивных...

Номер патента: 1270587

Опубликовано: 15.11.1986

Авторы: Бологов, Буланов, Злепко, Лапинская

МПК: G01K 11/00

Метки: различных, температуры, участков, эксплуатации

...паровых котлов, послеэксплуатации при высоких температурах снимают слой окалины и определяют в ней содержание хрома. Различное содержание хрома в окалине, снятой с различных участков труб, связано с неравномерностью нагрева,обусловленной различным качествомтеплоизоляции металла, местом расположения труб, степенью зашлакованности их поверхности, температурой свечения факела котла и т.д. Локальноеувеличение температуры труб приводитк ускоренной диффузии хрома в окалину в этих местах. Содержание хрома 33в окалине определяется взаимодействи..ем стали с продуктами сгорания различного топлива, сжигаемого в котле, Так, например, для низколегиро ванной стали 12 Х 1 МФ при температуре 40вьппе 580 С содержание хрома в окалине при сжигании...

Номер патента: 1290096

Опубликовано: 15.02.1987

Авторы: Бережной, Влох, Шопа

МПК: G01K 11/00, G01K 11/12, G01N 21/21 ...

Метки: индикатор, поляризационно-оптический, температуры, цветовой

...поляризованным и попадает на термочувствительный элемент4, выполненный из оптически активного кристалла с достаточно сильнойтемпературной зависимостью спектрального положения изотропной точки, например ИаИН - тартрата тетрагидрата,ИН Н (БеО ), ИаК - тартрата тетрагидрата. Для всего спектра излучения,падающего на термочувствительный элемент 4, изотропное состояние кристалла соответствует лишь определеннойдлине волны света, зависящей от измеряемой температуры. Благодаря оптической активности кристалла, поворачивающей плоскость поляризации проходящего через него света, часть света указанной длины волны, величина которой зависит от толщины и степениоптической активности кристалла,пройдет через поляризатор 5. Остальной свет иного...

Номер патента: 1335820

Опубликовано: 07.09.1987

Авторы: Лихницкий, Сухоручкин

МПК: G01K 11/00, G01K 3/00, G01K 7/01 ...

Метки: биполярных, перехода, температуры, транзисторов

...источник погрешности измерений.10 15 20 25 30 35 40 45 50 При выборе напряжения источника 8, равным падению напряжения на переходе оаза-эмиттер транзистора 1 с равным нулю падением напряжения на сопротивлении базовой цепи, сопротивление двухполюсника принимает значение, равное по модулю и противоположное по знаку сопротивлению базовой цепи контролируемого транзистора 1.Для достижения равенства напряжения генератора 8 напряжению на переходе базаэмиттер транзистора 1 с равным нулю падением напряжения на сопротивлении базовой цепи в качестве генератора 8 используют напряжение база-эмиттер другого вспомогательного транзистора 9, включенного по схеме (фиг. 2), в режиме, соответствующем начальному режиму контролируемого транзистора, т.е. в...

Номер патента: 1359688

Опубликовано: 15.12.1987

Авторы: Желнова, Фесенко

МПК: G01K 11/00, G01N 21/45

Метки: температуры

...картиной в области перекрывания компо. - нент двойника с границей (1 1 1) в координатах псевдокубической перовскитовой ячейки, а и Ь - вид кристалла с одинаковым характером погасания компонент; с и Й - с различным характером погасания сдвойникованных компонент при температурах Т (а, с) и Т (Ь, й); сь - угол между следом междвойниковой границы на грань кристалла и ребром кристалла. Так как междвойниковые границы направлены под углом ко всем граням кристалла и двойниковые компоненты имеют форму деформированных клиньев, то в области перекрывания двойниковых компонент при прохождении плоскополяризованного света образуются интерференционные линии равной разности хода, параллельные междвойниковой границе. Четкое изображение...

Номер патента: 1490505

Опубликовано: 30.06.1989

Авторы: Коваль, Паско

МПК: G01K 11/00, G01K 5/50

Метки: восстановлением, двухэтапным, термочувствительного, формы, элемента

...совершать работу против внешних сил.Изменение состава приводит к сме 5 щению температурного интервала первого этапа восстановления формы: при содержании 14 мас.Е алюминия и 3,5 мас.Е марганца этот участок соответствует 100-130 К (кривая 2 на фиг, 1), при содержании 11 мас.7 алюминия и 4 мас.Х марганца он соответствует 480-540 К (кривая 3 на фиг . 1), При содержании алюминия менее 1 О мас.Х, а марганца менее 15 1 мас.7. мартенситное превращение характеризуется слабым восстановлением формы и большим гистерезисом. При содержании алюминия более 15 мас.7 а марганца более 8 мас.Х наблюдается 20 стабилизация высокотемпературной фазы.Выдержка при температурах вне укаэанных пределов приводит к слабому восстановлению формы на втором 25 этапе,...

Номер патента: 1580184

Опубликовано: 23.07.1990

Авторы: Гапеев, Цельмович

МПК: G01K 11/00, G01N 33/00

Метки: горных, изверженных, минералообразования, пород, температуры

...толщину ламеллей гемоильменита и судят о температуре минералообразования, исходя из экспериментально полученноц зависимости толщины ламеллей от температуры.1 ил же представлен граФик азмера ламеллей от те пературы.Зависимость получена на синтетических титаномагнетнтах и на базаль тах различного состава, содержащего зерна титаномагнетитов.Экспериментально установлено, чт на размер ламеллей практически не влияет состав исходного титаномагне тита. При увеличении титанцстости исходного тцтаномагнетита увеличивается только количество ламеллей, Наличие примесей алюминия и магния (в концентрации до 3-4% в исходном титаномагнетите), а также хрома (доЗаказ 2004ВНИИПИ Госуда Тираж 507 Подпис венного комитета по изооретениям 113035, Москва, Ж,...

Номер патента: 1642263

Опубликовано: 15.04.1991

Авторы: Прокофьева, Францессон, Шаталов

МПК: G01J 5/00, G01K 11/00

Метки: волоконно-оптический, датчик, фазовый

...50 55 ЛР =Л 2(02 01) + Л 1(02 03) 1/необходима для обработки сигналов в регистраторах 10 и 11. Изменения ЛР и ЛТ давления Р и температуры Т вызывают изменение Л 1 разности фаз на выходах каналов 4 и 5, а также изменение Л 2 разности фаз на выходах каналов 7 и 5. В соответствии с общепринятыми определениями параметров фазовой чувствительности световода к изменениям давления и температуры Л 1 и Л 2 связаны с ЛР и ЛТ соотношениями(Оз - Ог) КЛТ+ (Рз - Р 2) КЛР = Й, (2) где 01,02,0 з - температурные фазовые чувствительности каналов 4,5,7;Р 1,Р 2,Рз - фазовые чувствительности этих каналов к изменению давления;2 лК = -- и- постоянный коэффициент; А - длина волны когерентного оптического излучения источника 1;- длина световодов каналов 4,5 и 7,...

Номер патента: 1647286

Опубликовано: 07.05.1991

Авторы: Загороднов, Фомин, Чугунов

МПК: G01K 11/00

Метки: ледника, температуры

...вокруг подвижного источникатепла.Измерения скорости намерзания льда,проведенные акустическим методом, показали, что скорость намерзания лежит в диапазоне 0,5-3 мм/ч. Это позволило прирешении сформулированной краевой задачи выделить малый параметр е, физическипредставляющий собой отношение толщины замерзающего слоя к размеру каверны, 15например (21-20). В результате с точностьюдо членов порядка 0(е), с учетом условиятеплового баланса иа поверхности Х условие Стефана) получена простая формула дляопределения тоо, 20Способ определения температуры вледовой толще осуществляют следующим образом,Термобур типа термоиглы 2 углубляетсяв ледяной массив с постоянной скоростью 3и/ч. Потребляемая мощность 2 кВт, напряжение питания 150 В, диаметр...

Номер патента: 1682829

Опубликовано: 07.10.1991

Автор: Беркутов

МПК: G01K 11/00, G01K 13/00, G01N 21/45 ...

Метки: температуры

...образом.Между верхней и нижней плитами нагрузочного устройства располагают модель молотового штампа 3, в нижней части которого на его гравюру передается тепловая нагрузка от модели поковки 4, которая предварительно нагрета до более высокой температуры, чем сама модель, На модель сверху передают усилие Р через индентор 5 от плиты 1, Модель просвечивают поляризованным светом, в результате чего появляется картина интерференционных полос 6. Изменением величины силы осуществляют совмещение минимума освещенности первой интерференционной полосы с исследуемой точкой, замеряют размер первой полосы от точки приложения силы к модели до точки пересечения первой интерференционной полосы с линией направления действия силы.По величине силы Р и размеру...

Номер патента: 1747948

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Колынина, Кузнецов, Таиров, Цветков

МПК: G01K 11/00

Метки: распределения, температуры

...вновь образовавшегося слоя, по которому определяют градиент темпера-, 3 туры и распределения-температуры в зоне расположения образца. Изобретение позволяет контролировать качество изделий по структуре, а также определять температурное поле в изделии,с его помещали в печь силйцирующсето обжига, Обжиг проводили в засыпке прямым пропусканием тока заданной мощности в ф течение определенного времени, необходимого для обжига. Измерение температуры в точке образца на его поверхности измеряли пирометром через отверстие в графитовой трубке, вставленной перпендикулярно заготовке. После разгрузки отрезали от образца йластину исзготавливали прозрачный шлиф и под мйкроскопом определяли толщину осажденного вторичного карбида кремния в нескольких...

Номер патента: 1767360

Опубликовано: 07.10.1992

Авторы: Колосницын, Патругин

МПК: G01K 11/00

Метки: среды, температуры

...случае не требуется. Таким образом, предлагаемый способ позволяет проводить абсолютные измерения температуры в широком диапазоне- от долей Кельвина до 2000 - 3000 К. При измерении высоких температур в конструкции температурного датчика должны быть применены жаропрочные материалы,На фиг.1 показано эмпирическое распределение числа й превышений квадрата огибающей заданного уровня х = г и аппроксимирующая это распределение прямая линия с угловым коэффициентом в; на фиг.2 изображено устройство,с помощью которого можно реализовать предлагаемый способ йзмерения абсолютной температуры.Внутри жесткого корпуса 1 на виброзащитной подвеске (на фиг. не показано) размещают крутильны й маятник 2 с собственной частотйв. На коромысле крутильного...

Номер патента: 1813207

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Белоусов, Зотов, Козлов, Сидоров

МПК: G01K 11/00, G01K 7/22

Метки: поля, температурного

...можно осуществлятьпрактически в любых условиях (в частности,в условиях воздействия химически-активной среды).При температуре образования окиснойпленки (температура окисления) более900 С скорость окисления кремния во влажном кислороде Чок всегда больше скоростиперемещения диффузионного фронта сурьмы в объем кремния иэ имплантированногослоя Чдиф. Для этих температузо, соответственно, имеем Чок=2,0 10 мкм/минсдиф=1,8 - 10 мкм/мин, в результате чего в-зкремнии образуется шунтирующий р-и-переход; который .вносит неконтролируемуюсоставляющую проводимости при измерениях й и, как следствие, дает эффективноезначение температуры, отличающееся отреального значения. Погрешность определения температуры в данном случае составляет...

Номер патента: 1766156

Опубликовано: 30.09.1994

Авторы: Боков, Раевский

МПК: G01K 11/00

Метки: температуры

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ труднодоступных объектов, заключающийся в размещении на объекте термоиндикатора из кристалла PbIn0,5Nb0,5O3 со структурой перовскита, выдержке его в течение заданного временного интервала и извлечении термоиндикатора из объекта после остывания последнего, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, после извлечения термоиндикатора осуществляют его монотонный нагрев до температуры 200oС, в процессе которого регистрируют максимальное значение термометрического параметра термоиндикатора, и по соответствующей этому значению температуре нагрева определяют температуру объекта.

Номер патента: 1639209

Опубликовано: 30.04.1995

Авторы: Блюмин, Пинчук

МПК: G01K 11/00

Метки: максимальной, объекта, температуры

...отжига; гвремя отжига; П - параметр, характеризующий расширение кристаллической решеткиобразца). После прекращения тепловоговоздействия на объект измеряют параметр 20П у обоих кристаллических образцов, например диаметр 3 кольца рентгеновской линии,что осуществляют после разборки двигателя и извлечения образцов,Зависимости 1 от т и П используемыхкристаллических образцов можно аппроксимировать, например, следующими аналитическими зависимостями; 1= А 1+ В 1 П 1+ С 1 Т, (1)30 Формула изобретения 1. СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ МАКСИМАЛЬНОЙ ТЕМПЕРАТУРЫ ОБЪЕКТА, включающий размещение в зоне конт роля облученного кристаллического образца, выдержку его в течение периода теплового воздействия и измерение после прекращения последнего параметра...

Номер патента: 1508715

Опубликовано: 10.11.1997

Авторы: Двуреченский, Рязанцев, Смирнов

МПК: G01K 11/00, G01K 7/22

Метки: термоиндикатор

Термоиндикатор, содержащий пленку аморфного кремния с защитным покрытием, расположенную на подложке, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона измеряемых температур, пленка аморфного кремния содержит инертный газ в количестве 3 5 ат.

Номер патента: 1402038

Опубликовано: 10.11.1997

Авторы: Двуреченский, Рязанцев, Федченко

МПК: G01K 11/00, G01K 7/22

Метки: термоиндикатор

Применение аморфного кремния в качестве термоиндикатора.

Номер патента: 1591632

Опубликовано: 10.02.2000

Авторы: Воробьев, Гапонцев, Садовский, Самарцев

МПК: G01K 11/00, G01K 11/20

Метки: температуры

1. Устройство для измерения температуры, содержащее люминесцентный термочувствительный элемент из стекла, активированного редкоземельным элементом, источник и приемник излучения, соединенные с термочувствительным элементом через волоконно-оптический тракт, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности устройства, в нем термочувствительный элемент в качестве активатора содержит иттербий и дополнительно по меньшей мере один тушитель люминесценции иттербия, выбранный из ряда: хром, эрбий, празеодим, самарий.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что термочувствительный элемент дополнительно содержит неодим в качестве сенсибилизатора.

Номер патента: 1611053

Опубликовано: 27.11.2001

Авторы: Анисимов, Гончаренко, Казаков, Чакин

МПК: G01K 11/00

Метки: конструкционных, облучения, температуры

Способ определения температуры облучения конструкционных материалов, включающий предварительный отжиг монитора до получения твердого раствора, выдержку монитора в зоне облучения, его кратковременный послерадиационный отжиг с последующим определением температуры облучения по результатам измерения параметра кристаллической решетки монитора, отличающийся тем, что, с целью расширения температурно-дозного интервала мониторирования при сохранении точности, монитор изготавливают из сплава, содержащего, мас.%: Zr 0,1 - 0,2, Al или B 0,003 - 0,005, Mo - остальное, а кратковременные послерадиационные отжиги проводят в течение 0,5 - 1,0 ч.

Номер патента: 1503470

Опубликовано: 10.07.2006

Авторы: Никулин, Рыжов, Тарасов

МПК: G01K 11/00

Метки: насадки, регенераторов, сетчатой, тепловых, характеристик

Устройство для определения тепловых характеристик сетчатой насадки регенераторов криогенных газовых машин, содержащее кольцевой корпус с равномерно расположенными в омываемой газом зоне датчиками температуры газа и температуры насадки, выполненными из проволок, размещенных на растяжках параллельно торцам кольцевого корпуса, отличающееся тем, что, с целью повышения точности измерения быстроменяющихся значений температур газа и сетчатой насадки регенератора, датчик температуры насадки закреплен между двумя введенными в устройство электроизолированными сетчатыми элементами, изготовленными из материала, идентичного материалу насадки регенератора, и установленные на торце кольцевого корпуса,...