Способ определения максимальной температуры объекта

ЮЗ СОВЕТСКИХЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛ ЕНТНОЕПАТЕНТ СССР) ГОСУДАРСТВЕННОЕ П ВЕДОМСТВО СССР (ГО г) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТ к авторскому свидетельству(56) Авторское свидетельство СССР М 1603396 01 К 11/00, 1962.Николаенко ВА. и карпухин В.И. Измеренитемпературы с помощью облученных материалМ.: Энергоатомиздат, 1986, с.42-48.(54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ МАКСИМАЛЬНОЙ ТЕМПЕРАТУРЫ ОБЪЕКТА(Я)б Оа 1 К И ОО 24 (5 Т) Изобретение относится к термометрии и позволяет упростить способ определения максимальной температуры объекта при нестационарных тепловых режимах В зоне контроля устанавливают два облученных кристаллических образца из алмаза и карбида кремния. После прекращения теплового воздействия в каждом образце измеряют параметр, характеризующий расширение его кристаллической решетки. По приводимой расчетной зависимости определяют искомую максимальную температуру. 11639209 Составитель Н,СоловьеваРедактор Т.Лошкарева Техред М.Моргентал Корректор Н. Король Тираж Подписное НПО "Поиск" Роспатента 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5Заказ 224 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 Изобретение относится к термометриии может быть использовано для определения максимальной температуры в местах,труднодоступных во время работы различн ых обьектов. 5Цель изобретения - упрощение способапри нестационарных.тепловых режимахобъекта,Для реализации данного способа в зонеконтроля (например, на диске турбины газотурбинного двигателя) устанавливают дваоблученных кристаллических образца (в виде порошка алмаза и карбида кремния),имеющих пересекающиеся характеристикипараметров отжига их решеток (зависимости 1 от т и П, гдето - темперутура отжига; гвремя отжига; П - параметр, характеризующий расширение кристаллической решеткиобразца). После прекращения тепловоговоздействия на объект измеряют параметр 20П у обоих кристаллических образцов, например диаметр 3 кольца рентгеновской линии,что осуществляют после разборки двигателя и извлечения образцов,Зависимости 1 от т и П используемыхкристаллических образцов можно аппроксимировать, например, следующими аналитическими зависимостями; 1= А 1+ В 1 П 1+ С 1 Т, (1)30 Формула изобретения 1. СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ МАКСИМАЛЬНОЙ ТЕМПЕРАТУРЫ ОБЪЕКТА, включающий размещение в зоне конт роля облученного кристаллического образца, выдержку его в течение периода теплового воздействия и измерение после прекращения последнего параметра кристаллического образца, характеризую щего расширение его решетки, отличающийся тем, что,с целью упрощения при . нестационарных тепловых режимах объекта, в зону контроля помещают второй облученный кристаллический образец, 45 1= А 2+ В 2 П 2+ С 2 г, (2) где А 1, А 2, В 1, В 2, С 1, С 2 - постоянные коэффициенты соответственно для первого и второго кристаллических образцов, Решая совместно указанные зависимости, можно определить искомую максимальную температуру обьекта (температуру отжига) 1 по формулеС (А +В П ) - С (А +В П )2 1 1 1 1 г г г р)С -СРгПри использовании монокристаллов алмаза и карбида кремния вместо диаметров 5 колец рентгеновских линий измеряют углы 2 О отражения рентгеновского луча от плоскостей монокристаллов,Материалами облученных образцов могут быть графит и карбид кремния, оксид бериллия и нитрид бора, а также их комбинации с алмазом, карбидом кремния, графитом,Данный способ особенно предпочтителен на нестационарных тепловых режимах обьекта, когда время отжига т(время воздействия максимальной температуры) неизвестно. Решая аналитические зависимости (1) и (2) относительно г можно, если зто необходимо, определить и время отжига облученных кристаллических образцов. выбранный из условия пересечения характеристики параметров отжига его решетки с аналогичной характеристикой первого кристаллического образца, после прекращения теплового воздействия измеряют параметр, характеризующий расширение решетки второго кристаллического образца, и по измеренным величинам определяют максимальную температуру обьекта,2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве кристаллических образцов используют соответственна алмаз и карбид кремния.