C30B 11/10 — твердые или жидкие компоненты, например по методу Вернейля

Номер патента: 522567

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Пискун, Сытин

МПК: C30B 11/10

Метки: вернейлю, выращивания, кристаллов

Устройство для выращивания кристаллов по Вернейлю, содержащее кристаллизационную камеру с переменным поперечным сечением, отличающееся тем, что, с целью увеличения диаметра выращиваемого кристалла, кристаллизационная камера выполнена в виде четырех секций при следующем соотношении диаметров d1 : d2 : d3 = (3 - 4) : (6 - 7) : (5,5 - 5) и высот h1 : h2 : h3 : h4 = (11 - 13) : (4 - 6) : (3 - 4) : (15 - 32).

Номер патента: 304784

Опубликовано: 27.05.2002

Автор: Ильин

МПК: C30B 11/10

Метки: вернейля, выращивания, монокристаллов, способу

Устройство для выращивания монокристаллов по способу Вернейля, включающее кристаллизатор, систему подачи газа, бункер с дозатором, шихтопровод, входящий в полость горелки, и кристаллодержатель с приводом для его вращения, отличающееся тем, что, с целью уменьшения температурного градиента вдоль выращиваемого кристалла, горелка с шихтопроводом и бункером с дозатором размещена на каретке, перемещающейся по вертикальным направляющим при помощи привода, между шихтопроводом и верхней частью кристаллизатора выполнено уплотнение, а кристаллодержатель закреплен на одном уровне с кристаллизатором.

Номер патента: 778363

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Зелигман, Малахова, Сытин, Циглер

МПК: C30B 11/10, C30B 29/16

Метки: вернейля, выращивания, кристаллов, методом, окислов, тугоплавких

Способ выращивания кристаллов тугоплавких окислов методом Вернейля, включающий подачу кислорода по внутренним, центральному и соседнему с ним каналам и последующее чередование раздельных потоков водорода и кислорода, отличающийся тем, что, с целью обеспечения более широкого фронта кристаллизации и увеличения за счет этого диаметра выращиваемых кристаллов, скорость истечения кислорода по внутренним каналам поддерживают равной 0,5 - 3,0 м/с, а в каждом последующем внешнем потоке в 1,5 - 4,0 раза большей.

Номер патента: 1070954

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Каргин, Сытин, Циглер, Чиркин

МПК: C30B 11/10

Метки: аппарат, кристаллизационный, подачи, шихты

Устройство для подачи шихты в кристаллизационный аппарат, содержащее корпус, имеющий патрубки для присоединения к аппарату, установки бункера с шихтой и подачи газа, поворотную пробку, в которой выполнены перпендикулярно ее оси сквозные отверстия для подачи газа и шихты и два соединенных каналом паза, отличающееся тем, что, с целью сокращения времени смены бункеров и повышения за счет этого качества монокристаллов, устройство снабжено поворотным кронштейном для закрепления по меньшей мере двух бункеров, установленным на вертикальной оси с возможностью вертикального перемещения и взаимодействующим с кронштейном кулачком, закрепленным на оси поворотной пробки, а в патрубке для установки...

Номер патента: 1811725

Опубликовано: 10.06.2006

Авторы: Иващук, Коваленко, Колесниченко, Латаш, Шаповалов, Шейко

МПК: C30B 11/10

Метки: выращивания, металлов, монокристаллов, тугоплавких

Устройство для выращивания монокристаллов тугоплавких металлов, включающее камеру роста, поддон с затравкой, установленный в камере с возможностью вертикального перемещения, плазменный источник нагрева, размещенный над поддоном, высокочастотный индуктор с токоподводами, прикрепленный к стенкам камеры соосно поддону и снабженный охлаждаемыми металлическими секциями, имеющими торцы в виде сопряженных криволинейных поверхностей, установленными последовательно с зазором в полости индуктора по контуру его внутренней поверхности и закрепленными на нем через электрический изолятор, отличающееся тем, что, с целью увеличения размеров кристаллов и повышения их качества за счет регулирования...