C25D 1/10 — формы; маски; шаблоны

Номер патента: 532662

Опубликовано: 25.10.1976

Авторы: Паздерский, Шевчук, Яковенко

МПК: C25D 1/10

Метки: матрицы

...дерева и эпоксидной смолы. Наматрице в местах переходов и впадин просверливают отверстия диаметром 0,5-1,0 мм,через которые затем осуществляютвакуумирование, Полимерную пленку с рельефной поверхностью нагревают, накладывают на модель гладкой стороной и через отверстия в матрице отсасывают воздух изпространства между пленкой и матрицей,в результате чего пленка приклеивается к353 матрице. После этого на матрицу наносят токопроводящии слой и электролитически наращивают слой металла. В результате этого получают изделие с рельефной поверхностью.П р.и м е р. Получение матрицы для гальванопластического изготовления формы подлокотника переднего сидения автомобиля фМосквич" литьем под давлением.Основу матрицы изготавливают из дерева с учетом...

Номер патента: 645990

Опубликовано: 05.02.1979

Авторы: Калашников, Олейник, Тимин, Треушников, Шульпин

МПК: C25D 1/10

Метки: гальванопластического, матрица, наращивания, плоских

...1, слой 2 Фоторезиста, 5прилегающий к металлическому основанию, основной защитный слой 3, элементы 4 гальнанопластически осажденного изделия, дополнительный промежуточный слой 5 из триакрилатг 1 ентаэрит- )0рита,Введение дополнительного слоя изтриакрилатпентаэритрита позволилоукрепить между собой слои нз сухогопленочного Фоторезиста, составл:ощего осовной ваши оный сло:, и негативных Фоторезистов (ФН, ФП),непосредственно нанесенных ца металлическое основание.Повышение адгези между слосцизащитного копировального рельеФа матрицы обусловлено тс.м, что при использовании в качестне дополнительного промежуточного слоя триакри.цатпентаэритрита обеспечивается термо 5динамическая сонместимость его как сматериалом основного зашитного...

Номер патента: 840204

Опубликовано: 23.06.1981

Авторы: Кольчевский, Хон

МПК: C25D 1/10

Метки: гальванопластики, деталейс, методом, отверстиями

...цель достигаетсячто оправка выполнена с раздеьными канавками по контурустий, заполненными диэлектриНа фиг. 1 представлено устройство, общий вид, на фиг. 2 - разрезА-А на фиг.1.Конструкция устройства имеетнижний и верхний защитные экраны 1канавку с диэлектриком по контуруотверстия 2, оправку 3, прижимнуюгайку 4 и стягивающий винт 5,Устройство работает следующимобразом.При погружении устройства вэлектролит и подключении электрического тока происходит осаждение металла на токопровсдящие участки15 оправки. После осаждения металлаустройство извлекают из электролита,промывают водой, демонтируют иснимают полученное изделие с оки. При этом часть осажд.ла,соответствующая учас отделяется от изделия,образуется отверстие зад тура и размера с...

Номер патента: 865993

Опубликовано: 23.09.1981

Авторы: Ганицкая, Левинзон

МПК: C25D 1/10

Метки: матрицы, мер, образцовых, поверхности, шероховатости

...легкуюзачистку поверхности осажденной медишлифовальной шкуркой, чтобы при накладывании латунной подложки на згчииенный слой не наблюдалось просветов,б. Нанесение демнфирующего подслоя на осажденными слой производятсоставом, вес,ч;Лак КО ГОСТ 15081-78)(сухой остаток лака 30-347.) 1Медный порошок ПМ 1Режим полимеризации:Температура,С 50"60Продолжительность, ч 4Толщина слоя, мкм 25"307.Приклеивание подложки к осажден.ному слою. Поверхность латунной подложки перед, склеиванием обдувают злектрокорундом В били В 8, а затем производят обезжиривание поверхности подложки ацетоном, Склеивание производятклеевой композицией следующего состава,вес.ч:Эпоксидная смола - ЭД 20-10Полиэфир МГф 9-1Полиэтиленполиамин(ПЭПА) ,2"1,4Медный порошок ПИ...

Номер патента: 926081

Опубликовано: 07.05.1982

Авторы: Брайнман, Пономарев

МПК: C25D 1/10

Метки: гальванопластикой

...изготовленной из диэлектрика и имеющей анодный отсек 12, с анодом 13 и катодный отсек 1 ч, куда может помещаться изделие 5. Отсеки 12 и 11 разделяет перфорированная перегородка 15 с отверстиями 16 для возможности перемещения ионов электролита внутри емкости 11. К аноду 13 присоединен гибкий изолированный провод 17. Перфорированная перегородка 15 предназначена для исключения короткого замыкания между анодом и катодом, Емкость 11 снабжена также коромыслом для ее погружения и извлечения из электролитов ванн 1 и 7. Габариты емкости 11 соответствуют размерам изделия и в 20 и более раз меньше емкости первой или второи ванн.Установка работает следующим образом,При изготовлении матриц литьевых Форм в первой ванне 1 и в течение 2-1 сут наращивают...

Номер патента: 1221256

Опубликовано: 30.03.1986

Авторы: Василенко, Горбачева, Китнер, Кондрашова, Кудрявцева, Петряев

МПК: C25D 1/10

Метки: матриц, плоских, электроформования

...примеры приведены в.таблицеДля сравнения опробован известныйспособ с целью получения матриц сбольшой толщиной копировального рельефа за счет многократного нанесенияслоев.Для этого на подложку из сталимарки 12 Х 18 Н 10 Т нанесли слой негативного фоторезиста, слой предварительно активировали одной вспышкой (лампа ЛУФ), после чего на него нанесли слой триакрилатпентаэритритатолщиной 1-2 мкм. Затем нанесли слойсухого пленочного фоторезиста СПФ.Однако при нанесении 5-го слоя наблюдались коробление поверхности,отслаивание и вздутие слоев,.ввидучего нанесение последующих слоев прекращено. Операции повторяли пять раз,и каждый раз наблюдались указанныеявления после 4-го или б-го слоев,Таким образом, получение матрицыпо известной...

Номер патента: 1666582

Опубликовано: 30.07.1991

Авторы: Исаев, Посвольский, Пужливый

МПК: C25D 1/10

Метки: гальванопластического, матрицы, перфорированных

...наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород. ул, Гагарина, 101 методом фотолитографии фоторезистивнуюматрицу из фоторезиста марки СПФВЩ,. На матрицу наращивали изделие иэ сплаваникель-кобальт толщиной 200 мкм в сульфаматном электролите никелирования, Составэлектролита и режим осаждения были следующими:Сульфамат никеля 340 г/лСульфамат кобальта 10 г/лХлорид никеля 5 г/лБорная кислота 30 г/лЛаурилсульфат натрия 0,1 г/лТемпература 45 оСПлотность тока 1 - 2 А/дм2Из указанного электролита выращивают по фоторезистивным матрицам деталидвух типов: первая соответствует толщинеизготавливаемого изделия, вторая - в несколько раз толще в данном случае - 1 мм.Фоторезистивный слой удаляют химическим путем обработкой в ЗОВ-ном...

Номер патента: 1675836

Опубликовано: 07.09.1991

Авторы: Ганиев, Грибановский, Папченко, Цуканов, Ченцова, Щеглов

МПК: C25D 1/10, G03F 5/00

Метки: линзовых, матрицы, растров

...т,е, стой лишь разницей, чта диаметр прозрачных дисковсоставляет 56 мкм, и эту структуру размещают таким образом, чтобы центры ее прозрачных дисков строго совпадали сцентрами медных дисков предыдущегослоя. Далее все операции повторяются, после чего наносится третий слой фоторезиста, в котором описанным способомформируют отверстия диаметрам 29 мкм,расположенные строго па центру медныхдисков предыдущего ряда (для более точнойаппроксимации профиля линзовых элементов заданной кривизны таких чередующихся операций нанесения фоторезистивноймаски и наращивания слоя металла должнобыть не 3, а гораздо больше, при этом используются бинарные структуры, у которыхшаг уменьшения диаметра прозрачных дисков стремится к минимальной...

Номер патента: 1696602

Опубликовано: 07.12.1991

Авторы: Космачева, Лазарева, Лангин, Финкельштейн

МПК: C25D 1/10

Метки: рельефных, форм

...УФ-излучения с длиной волны 320 - 400 нм (лампа ДРГТ) и экспонируют изображение детали через фотошаблон, после чего разбирают установку и проявляют (на машине вымывной ФВФ - 55 К) неаблученные участки композиции водным раствором (10 г/л) кальцинированной соды.После проявления рельефа модели проводят задубливание ее светочувствительного слоя (дпя повышения гальваностойкости), Для этого модели помещают в установку дополнительной обработки ФЛ 0-66, где одновременно проводят облучения УФ-излучением в течение 7 мин (лампа ЛУФмощностью 40 Вт, количество ламп в панели 12 шт,) и термообработку при 105-115 С. Полученную фотополимерную модель (для создания жесткости) наклеивают клеем ПУ - 2 на пластину из оргстекла толщиной 8- ,10 мм, Дпя...

Номер патента: 1715889

Опубликовано: 28.02.1992

Авторы: Белицкий, Брайнман, Глуховский, Кавалерова, Кривенко, Подлужный

МПК: C25D 1/10

Метки: матрицы, оснастки, технологической, формообразующей

...в проеме плоскости монтажной рамки и заполнении зазора пластмассой, на которой формировали поверхность разъема, имеющую криволинейную конфигурацию, переходящую в плоскость рамки. На зту модель к ее периферийной части плотно крепили обойму, так что рабочая поверхность модели оказывалась внутри проема обоймы, Предварительно рабоЧую поверхность модели обезжиривали этиловым спиртом и наносили токопроводящий слой химическим серебрением, При этом кромки обоймы выполняли скошенными и плотное соединение обоймы с моделью осуществляли при помощи винтов. Поверхности, не подлежащие покрытию, изолировали пластинками из листового полистирола, Затем обойму с . моделью помещали в гальваническую ванну, где на рабочую поверхность модели осаждали никель...

Номер патента: 1767040

Опубликовано: 07.10.1992

Авторы: Даурцева, Космачева, Лангин, Финкельштейн

МПК: C25D 1/00, C25D 1/10

Метки: гальванопластический, конфигурации, сложной

...176708 ц 5 Е 02 В 9/О АНИЕ ИЗОБРЕТЕ 4 ГОСУДАР СТВ Е ННЫ Й КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР ТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬС(54) РАЗВИЛКА НАПОРНОГО ВОДОВОДА(57) Использование: в конструкциях развет-.влений высоконапорных сталежелезобетонных водоводов большого диаметра,Сущность изобретения: стальная оболочка 1 с кольцевыми 2 и продольными 3 арматурными стержнями, серповидным ребром 4 и пластиной 5 покрыта бетоном. Для увеличения пространственной жесткости развилка снабжена прямолинейными арматурными стальными стержнями 10 и 11 длиной, большей длины пластины 5, Стержни 10 и 11 расположены параллельно оси пластины 5. Стержни 10 приварены с двух сторон к ребру 4 и пластине, а стержни 11 расположены в бетоне между ребром 4 и оболочкой 1, 3...

Номер патента: 1791473

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Говорова, Исаенков, Нагирный

МПК: C25D 1/10, C25D 5/54

Метки: гальванопластики, матриц, неметаллических, поверхности, слоя, электропроводного

...5-7 мин,Сушка естественная на воздухе;Обработка погружением (без промывки)в растворе состава (г/и):Сернокислая медь 30-35Сегнетовая соль 170-190Кальционированная сода 30-35Никель хпористый 4-5Натрий едкий 45-.50Формалин (400/-ный) 20-30 мл/дмзпри температуре 18-250 С. рн11-12и времени 30-40 минНаращивание слоя меди из электролитасоста ва (г/л);Сернокислая медь 200-250Серная кислота 50-70Этиловый спирт 912 / 3при температуре 18-25 Сплотности тока 1-2 А/дмОтделение матрицы, .П р и м е р 1. По прототипу с натираниемповерхности бронзовой пудрой и последующим обпивом раствором азотнокислого серебра (1 г/дм ) до образования светлой,зметаллической пленки.П р и м е р 2. По предлагаемому способув соответствии с приведенной выше схемойс...

Номер патента: 1810397

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Булгакова, Есин, Зуева, Калашников, Нестерова, Радковский, Розенштейн, Сацкая, Таранец, Треушников

МПК: C25D 1/10

Метки: гальванопластического, матриц, плоских, сложнопрофилированных, формирования

...нижнего слоя, наносили методом центрифугирования на металлическое основание из"0 нержавеющей стали 12 Х 18 Н 10 Т толщиной1 мм и сушили при температуре 50 С втечение 30 мин, Раствор ФПК, приготовленный для верхнего слоя наносили методомцентрифугирования на лавсан толщиной15 30 мкм и сушили при температуре 50 С в(валика) лавсановую пленку с нанесеннымслоем ФПК прикатывали на металлическоеоснование с нанесенным слоем ФПК таким20 образом, чтобы произошло сцепление обоих слоев ФПК (не должно быть защемленных пузырьков воздуха),Экспонирование проводили светомртутной лампы ДРК - 120 через фотошаблонс заданным рисунком в течение 120 с, Интенсивность света падающего на поверхность фотошаблона составляла 100 Вт/м.После экспонирования...