Кольчевский

Номер патента: 1807836

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Кольчевский, Леонтьев, Москвичев

МПК: B05C 1/08, H05K 3/28

Метки: жидких, заготовки, композиций, нанесения, тонколистовые

...двух скрепленных между собой плоских пружин, одна из которых 11 имеет кромку косоугольной формы, и крючков 12 для подвески заготовок на втулки 9.Направление перемещения поверхностей наносящих валков 4 и конвейера указано стрелками,Системы валков 13 и 14 расположены по обе стороны двухцепного конвейера, причем одна из систем подпружинена для регулирования усилия прижима наносящих валков Устройство для нанесения жидких композиций на тонколистовые заготовки, содержащее механизм транспортирования с держателями заготовок и приводом и узел нанесения с двумя наносящими валками, установленными оппозитно на траектории перемещения заготовок, отличающееся тем, что, с целью расширения его эксплуатационных возможностей и улучшения качества изделий,...

Номер патента: 1309941

Опубликовано: 15.05.1987

Авторы: Бочаров, Кандыбин, Кольчевский, Лескова, Фролов, Хомякова, Шевченко

МПК: A01N 63/00

Метки: битоксибациллина, стабилизации

...препарат БТБ вносят олеиновую кислоту и синтетические жиРные спиРты в количестве 2 оо.Контролем служит препарат БТБ без добавок,Синтетические жирные спирты фракцииСт - Сгб представляют собой жидкость от желтого до светло-коричневого цвета. Гидроксильное число 300 - 350 мг КОН/г, карбонильное число 1 - 4 мг КОН/г, в воде растворимы плохо.Спирты фракции С 7 - С 1 б получают путемсмешивания спиртов фракции С 7 С 12(ТУ 38-10730-82) и спиртов фракции С 10 -С 1 ь (ТУ 38-10726-77) при их соотношении 201:1. Эти спирты широко применяются дляразличных технических целей, например, какпластификатор в производстве пластмасс,резины, как пеногаситель - в производсгксинтетических моющих средств.Опыты ставят в пятикратной повторности.Образцы для...

Номер патента: 840204

Опубликовано: 23.06.1981

Авторы: Кольчевский, Хон

МПК: C25D 1/10

Метки: гальванопластики, деталейс, методом, отверстиями

...цель достигаетсячто оправка выполнена с раздеьными канавками по контурустий, заполненными диэлектриНа фиг. 1 представлено устройство, общий вид, на фиг. 2 - разрезА-А на фиг.1.Конструкция устройства имеетнижний и верхний защитные экраны 1канавку с диэлектриком по контуруотверстия 2, оправку 3, прижимнуюгайку 4 и стягивающий винт 5,Устройство работает следующимобразом.При погружении устройства вэлектролит и подключении электрического тока происходит осаждение металла на токопровсдящие участки15 оправки. После осаждения металлаустройство извлекают из электролита,промывают водой, демонтируют иснимают полученное изделие с оки. При этом часть осажд.ла,соответствующая учас отделяется от изделия,образуется отверстие зад тура и размера с...

Номер патента: 671876

Опубликовано: 05.07.1979

Авторы: Кольчевский, Москвичев, Толтинова, Юшин

МПК: B08B 3/02

Метки: промывки

...Устройство для промывки изделий содержит камеру 1 с крышкой 2, дугообразные коллекторы 3 с соплами 4 для подачи жидкости и стол 5, установленный свободно на оси б, Сопла 7 для сообщения вращения стслу 5 имеют отверстия о для подачи жидкости в дугообразные коллекторы и отверстия 9 для вращения сетчатого стола с иэделием. На концах дугообразных коллекторов расположены реактивные сопла 10,671876 ставит все участки обрабатываемой поверхности в одинаковые условия обработки, причем воздействие струй наодни и те же участки изделий осуществляется под различными угласто,устройство для промывки изделий,содержащее моечную камеру, стоп для 10 изделий, сопло для сообщения вращения столу, и коллекторы, о т л и - чающее ся тем, что, сцелью повьааения...

Номер патента: 649406

Опубликовано: 28.02.1979

Авторы: Волобуев, Кольчевский, Персианинов, Побединский, Хасин

МПК: A61B 5/00

Метки: исследования, маточных, труб, функций

...2, и соединенные последовательно усилитель 5 постоянного тока и усилитель о переменного тока, вход усилителя 5 постоя;.ного тока связан с электролатчиком, а выхо"и уеплптелеи подклочены раздельно к д.:.ем кана лам 7 и 8 регистратора 9.Устройство работает следуюшнм образомПри подаче газа в систему пз:;сто:;ника8 давления газ проходит в полость матки 25 через наконечник 4 и в камеру 1 давления.Повышение давления в системе приводит к изменению сигнала на выходе электродатчика, затем спгал подается на . сплнтель 5 постоянного тока и в дальнейшем па, си;.птель б пере:,:епного тока С выходов уеирек Заказ 42/175 Изд,177 Тираж 680НПО Государственного комитета СССР по делам изобретений113035, Москва Ж, Раушская иаб., д, 4/5 Подписнорытий...

Номер патента: 527080

Опубликовано: 05.03.1977

Авторы: Артемов, Зорин, Кольчевский, Лаврищева, Ляндрес, Мурылев, Потапов, Суле, Толтинова

МПК: C23C 3/02

Метки: никелирования, химического

...ту, б- темпе. Спос кислого гипофос ферную зо ратуре 2 о - 30 15 - 20 3540 8 - 12 ,0 О 05 - О,ООО 8%-ная Изобретение относится к области нанесения химических покрытий.Известен способ химического никелирования из кислого раствора, содержащего соль никеля, гипофосфит натрия, молочную кислоту, буферную добавку и стабилизатор, при температуре выше 85 С.Предлагаемый способ отличается от ивестного тем, что в состав раствора в качестве соли никеля, буферной добавки и стабилизатора вводят сернокислый никель, борную кислоту и тиомочевину соответственно при определенном соотношении компонентов и в объеме раствора создают температурный градиент путем охлаждения нижней части раствора до температуры, не превышающей 40 С,Это способствует...

Номер патента: 527079

Опубликовано: 05.03.1977

Авторы: Артемов, Зорин, Кольчевский, Лаврищева, Ляндрес, Мурылев, Потапов, Суле, Толтинова

МПК: C23C 3/00

Метки: никелирования, ухн-901, химического

...из двух вертикально установленных, электрически изолированных друг от друга сосудов, внутри которых установлены электрически 1 изолированные от стенок реактора электроды, выполненные в виде сеток и соединенные с отрицательными полюсами источников тока, а снаружи сосудов установлены паровая и водяная рубашки, причем выходное отверстие штуцера для подачи аммиака расположено в зоне максимального температурного градиента раствора.Данное отличие позволяет увеличит службы раствора и повысить качесткрытий.На черт а предлагаемой уста Сосуд 1 и сосуд 2 соединены между собои посредством электроизоляционной прокладки 10.Положительные полюса источников тока б и б соединены соответственно с корпусов сосудов 1 и г.Рабочей зоной установки...

Номер патента: 266502

Опубликовано: 25.03.1976

Автор: Кольчевский

МПК: C23C 3/02

Метки: никелирования, химического

...током,величину и периодичность включения которого регулируют в зависимости от измене.ния рН раствора, в гипефосфит кальция ввомкнутв между никелевым анодомв качестве которого может %.:тькорпус ванны, Д состав явт2вм . Отношение ялошвдей элвк 3 (4-7); 1, температура Включение тока производитсянии рН до нижнего допустилогоИв выключение - при достижении рН:предела. При этом можно поддержданную концентрацию ионов никефосфитв в растворе, твк квк онврН рвстворв,Количество никеля, рвстворенного с ано,дов, прямо пропорционвльно количеству элвктричествв, пропущенного через электроды,.в по количеству последнего определяют коза личество гипофосфит-ионв, необходимое дляС ставитель Т, ИзмайловаРедактор Н, Корченко ТехредН. Андрейчук Корректор Т,...

Номер патента: 112961

Опубликовано: 01.01.1958

Авторы: Кольчевский, Смирнов

МПК: F21K 2/00

Метки: зарядки, знаков, света, световых, указателей, холодного

...КВЯДРата ИЛИ КРУГа), УКРЕПЛСЦЦУЮ На СтОйке 2. УСта)ПЗВЛЕЦЦОЦ В ГРУНТ. Лкцсевую пове 1 зхность 3 папе,п 1 покрыва 1 от свстосос.тавом и,)и ца цс)1 крепят лист светящейся пластмассы.ЗарядцОС уСтрОйетВО СОдЕржнт ИМПуЛ СНУЮ Ламцу 4 МГ)ЮВСН)ГОГО дЕйс)вия типа электронно 51 фотовспыщи ЗВ, Отражатель; ),)ямпы, наеопи- ТС;ЬНЫЙ КОНДЕНСЯТОр 6 СО СХЕМОЙ ЗажцГЯцця ЛЯМПЫ и Истогцц)Е 7 Э 71 СЕТ,О- энергии, например сухую батарею ГБ.Отражатель 5 при зяр 51 дке сВстовых знаков ус 1 ацявг 1 ПВ 1)стс 51 Вплотную к пове 1)хцости 3, покрытОЙ свстосостаВОм, В сВязи с чем Вспыц 1 еа ямпы 4 происходит в зам 11 П 1 той полости. Пос,)с зарядки свстосостаВя ц;1 повсрхности 3 производят его облучение через трафарет 3, располоссццый ПЕРСД СВЕТОСОСТЯВОМ И...