Керамический материал для изготовления конденсаторов

ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Соеэ СоветсимкСоцмалистмческмкРесттублмк(61) Дополнительное к авт, свнд-ву(22) Заявлено 26. 09.80(21) 2986770/29-33с прнсоелннением заявки РЙ(51)м. кл, С 04 В 35/46 ееоуааротееииый комитет до делам изобретеиий и открытий(71) Заявите и проемики сследовательс титут электро сесоюзныи научно ехнологицеский и 54) КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕН КОНДЕНСАТОРОВтком указанн относительноэлектрицеск Изобретение относится к диэлектрическим материалам на основе окисловбария, стронция, висмута, титана сдобавками разлицных окислов, используемых для,изготовления керамическихконденсаторов,Известен керамический материал 13для изготовления конденсаторов, содержащий окислы бария, титана, стронция, висмута при следующем соотноше"нии компонентов, мас.ь: ВаО 39,4,Т 101 36,9, БгО 16,4, В 110 7,3.Материал имеет при частоте 1 кГц= 2580, +с с = 0,001. Материалыимеют стабильные значения %, и ЬсФпри напряженности электрического поля промышленной частоты до 0,5 кВ/мми рекомендуются для,изготовлениямалогабаритных керамических конденсаторов.Недоста ых материаловявляется невысокая стабильность их параметровпри более высоких значениях напряженности электрического поля промышленной частоты (в пределах 0,5-1, 0 кВ/мм в широком интервале температур.Наиболее близким к изобретению. по технической сущности и достигаемому результату является керамический материал 2 1 для изготовления конден саторов, включающий, вес.3:Двуокись титана 40, 4-40,6Окись висмута 16,5-19,8Двуокись циркония 0,3-0,6Окись самария О, 1-0,3Окись стронция ОстальноеЭтот керамический материал имеет высокую стабильность диэлектрической пропускаемости и тангенса угла диэлектрических "потерь при напряженности электрического поля 0,5 1,5 кв/мм в интервале температур (-40)-(+60)оС. Однако он имеет недостаточно высокие значения диэлектрической проницаемости (850-1100).изменения диэлектрической проницаемости от температуры. При увеличении содержания двуокиси марганца более 05 Ф падает удельное сопротивление материала, при значении менее 02 повышается зависимость диэлектрической проницаемости от температуры.Материал готовят следующим образом.Шихту готовят путем смешения и помола окислов стронция и бария или углекислых солей данных материалов с окислами висмута и титана, взятых в требуемом соотношении. Синтез шихты осуществляют при 1200 в течео ние 2 ч. Полученную в результате синтеза крупку смешивают и размалывают с добавками двуокиси марганца и фторида щелочноземельного металла. Оформление образцов и заготовок конденсаторов производят методом полу" сухого прессования. Обжиг образцов и изделий осуществляют при 1340- 13800 С.Составы и диэлектрические характеристики материалов при различных напряженностях электрического поля представлены в табл. 1 и 2 соответственно,Э Таблица39 1 392 39 О ВаО 16,2 16 3 16 3 5 гО 36,6 36 7 ТО 7,2 72 0,3 0,3 0,2 Мп О 04 М 9 Ее 05 5 гГ 0 5 В аГ 3 927785Цель изобретения - повышение диэлектрической проницаемости при сохранении ее стабильности и тангенса угла диэлектрических потерь при напряженности электрического поля 0,5-1 кВ/мм и температуре (-40)- (+60) С.Поставленная цель достигается тем, что керамический материал для изготовления конденсаторов, включающий 10 двуокись титана, окись висмута и окись стронция, дополнительно содержит окись бария, двуокись марганца и фторид щелочноземельного металла при следующем соотношении компонен тов, мас. 70:Двуокись титана 36,5-367Окись висмута 7,2-7, 3Окись стронция 16,2-16 3Окись бария 39, 0-39,2 мДвуокись марганца 0,2-0,3фторид щелочноземельного металла 0,2-0,5При содержании фторида щелочно- земельного металла более 0 5/ сни з жается диэлектрическая проницаемость материала,. при содержании его менее 024 требует более высокой температуры спекания и наблюдается более резко выраженная зависимостьФ Чоо оо рФр о 1 131 11111Цв 1 . 11 1 111 11 ррВо Ч о р Ф о а елоо .оо ойо оДвуокись титана 36,5-36,7Окись висмута 7,2-7,3Окись стронция 16, 2- 16, 3Окись бария 39,0-392Двуокись марганца 0,2-0,3фторид щелочноземельного металла 0,2-0,5 Составитель В.СоколоваРедактор И.Митровка Техред Е. Харитончик Корректор М. Демчик Заказ 3159/33 Тираж 640 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская, наб д. 4/5 Филиал ППП "Патент", г,ужгород, ул,Проектная, 4 Формула изобретенияКерамический материал для изготовления конденсаторов включающий двуокись титана, окись висмута и окись стронция, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью повышения диэлектрической проницаемости при сохранении ее стабильности и тангенса угла диэлектрических потерь при напряженности электрического поля 0,5-1 кВ/мм и температуре (-40) (+60)оС, он дополнительно содержит окись бария, двуокись марганца и Фторид щелочноземельного металла при следующем соотношении компонентов, мас,": 0 Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1. Патент Англии 11 1419284,кл. С 1 1 1976 15 2. Авторское свидетельство СССР Я.622795, кл, С 04 В 35/46, 1977