Датчик давления

)5 6 01 1 9/12 Е ИЗОвыбоан э ". Г 1 р е д Э 11 НОГО кот Сот 1 чОШЕНИя, 2 ИЛ. ОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМРИ ГКНТ СССР К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(71) Научно-исследовательский институт физических измерений(57) Изобретение относится к измерительной технике. в частн асти к емкостным датчикам, предназначенным для измерениядавления в широком диапазоне температур,Целью изобретения является расширениетемпературного диапазона и уменьшениенелинейности выходной харак.еристики,Цель достигается тем, что в датчике давления, содержащем вакуумированный корпусИзобретение относится к измерительной технике, в частности к емкостным датчикам, и может быть использовано дляизмерения с тати ц ее кого и ди 1- ам ич ескогодавлений жидких и газообразных сред,Цель изобретения - расширение температурного диапазона и уменьшение неллнейности выходной характерис Гики датчикадавленияНа фиг. 1давления; надавления,Датчик даеления содержи 1 вакуумированный корпус 1 с цилиндрическим опорным основанием 2, мембпану с жесткимцентром 3, закрепленную на опорном основании с образов нием консольного периферийного участка 4 толщиной, равнойтолщине мембраны Диск 5 закреплен намембране при помощи кольца 6 толщиной,показана конструкция датчика фиг 2 - прогибы мембраны от З.1 17 О 2196 1 с цилиндрическим опорным основанием 2, мембрану с жестким центром 3, закрепленную на опорном основании с образованием периферииного участка 4 толщиной, равной толщине мембраны, диск 5, закрепленный на мембране при помощи кольца 6, и емкостнь 1 й преобразователь деформации, выполненный в виде двух пар 7, 8 и 9, 10 ПРОтИВОЛЕжа 1 ЦИХ ЭЛЕКТРОДОВ, РаСПОЛОжЕН- ных по центру и на периферии мембраны и дискаольцо 6 расположено не периферии консольного участка мембраны, ча непланарной стороне коГОрого е облагти расположенич электродов 9, О и 1 ольца 6 выполнено ци)линдрическпе угол 1 цение 11 толщиной, раэГ ой ол 1 цине длска 5, жестко соединенное е областях, рав)+эг 1 ернг раз- МЕ 1 ЦЕННЫХ ПО ПЕРИФЕРИИ, С Д 1 СКСМ, ГОЛЩИравнои зазору между диском и мембранои Емкостный Г 1 реаераэсе 1 тель деформации выполнен в виде двух пар противолежащих алек ГГ)одов; распо 1 оженных пг 1 центру - 7 и 8 и на периферии мембраны и диска - 9 и 10, Кольцо 6 расположено на периферии консолг)11 ого участка мемОраны, на пландрноЙ стороне которого в облс Ги р;.1 с)1 оложения электрсдов л прокладкГ, выполнено ци )индричесГос утол 1 цение 11 толщиной, оавной толц 1 ине диска, Цилиндрическое утолщение жестко соединено в областях, раьномерно размещенных 1.о периферии с диском 5, толщина которого выбрана и 1 заявляемого соотнош ния, Электроды соединены с выводами ге рооп роход 1 ика 12,Корпус, ме брана и д, ск вь полнены иэ солане ГОНХБМС. На меь 1 брану и диск нанесеч слОЙ АГ.элек гь и 1) а е вГ 1 де композиции АГ)0- - 5102 общей 1 ОлщичГ и 3 Г 1 км Электр" 1702196ды р:1( гс: ),к ь н:. дивектрике и выголноны из комгозиции ванадий-никель толщи ЭЙЛК 3, Бс ЧНа Е)КЗЛ(3:ТРОГ)Н;.ГО зазор 50 мкм.Цсдгчнх Л ВР3рлбс)1 ЗЕГ С)ад)р(О 31 М 5 Рб )."Б Н(1 ,Ч) 1О)30)с(Е 1 Л 3 О 1 )с 11.8 и г)оп г ч: Г ", 1 п элекподц мембраи Н . . с, Ч - 3,3,с)",КОСТИ, 1 И 1, 31 с,"(П. .сг ,Еаед С Я ,3 ;3 У Л" Л КССГ, 3.,3, Уса тОК 3 С)МБс)Н Ву,3,:, " Отс,",т с:са Г я сд ,; .Леал.-:, :, у сс,КО,.;Г цс 3 раЛЬНОГО И ,Ои.ер "3)а 1.:аторов Оказд 1 аст 3.) О 1ТО, -,д си)Цд:ЬО 1;с/а ИгЕП г)С. ОадСта(ННО О 33-.3;. б И МЕМбраНЫ. прИЧЕМ ЗТО СЛ ЯН.", Ь 3,.ЧЕЛ. НОЙ М;РЕ,И" зиро аг) фог) Иговачием выходног) си а 3 а, В З.: . П Р.г: О; ОШРНИЯ ЗначеИ ЛО 3 ЕРИС)РГ)И 1 и1 ЗН 1 РаЛЬНОЙ ЕМКОСтойГ;,ээтнч, е:, 1 олО 3)н дискс . лачбоа"1 ЬбрадгСладуООИХ С(.ОГ-.),одн.й, г-Оздейсг:.3 е а кр(н диска напряжений от дРфОрМЛ.Й ;)НСОЛЬНОГО уЧЛСТ(са Гг:И ВОЗ дЕЙСтВИИ )1(Г)гЕНсс СтрЛМ тая ВцГН,ть диСК ТаКИМ Об,".;ЗОл Ч 1 О ЕГ: ЕН, ра(ЬНЬ 3 л ЗЛЕ,г- РОД са(гИ)Лг ы РЕНЦ аЛЬНОГз ЗЛдКТ;Оса медбссд :"г внес "0 3допсс.д дсьуНЕЛИ 313(ГЛ ЛЯ Р,) С)ГВРаЕНг,.;ЕОР- магии,д(,3,.-,ГО е.Кость д). -а Гьг ь о 0 с 1/ ссУк сгядае )ке;ткпст 3 Лндрта.Ст,;ОС ;1 ег б(дргЫг) д В 11 а;кс;г ;г,. ,Иск;,Е1Од=12 11 - ,чГл =- 10 - 00 ) с.тсвдс после прес)бразованйг)д- ( и 1 -"1 йо 1Есл 1116 уде) леьс:вчем 110 )3, тс нежелательное перемесеи 1 (еТрал.Ного злекпрс;сд диска может 1 осг 1 нугь 107 о 1 паремещени; енто(Льного электрода мем- Ср.33 Ь, ТГ) 1 О.КЭТ П)сп(д:;Гт К д 0330 ЛНПГЛЬ- сИ НЕ)НЕНОСТИ, УсдЕЛИЧЕИО т 01 ОИ 11 Ы дн(Ка бг.ЛЕГ 1 1",3,3 31 ГаК.КЕ ЕРЛЛОЛЬО В СВЯЗИ С ндггРаВДаННЦМ УСЕЛ 3 Ч(3 ИЕМ ВСЛЕД- с: РЕ удсдлгИЧС ИЛ ВОЕ",1 ЕНИ Г.; 133 31 я ЛИС ",ЭЛЕЛГГатРЬ,ЛЭд.-.РЯЕ",СЙ Г ОЕДЦ.=: сКОГТНЬЕ Дот:3, Д;.;.ЛЕИЯ В СООТ Е 1- с: "сс с; реллсэГаемь 1 рссвеем работоСПсс:г)бчь: В ТЕ",3 ЕПа)урНОМ дйаПаЗОНР От -100 С дО 400"С С ПгнрЕШЧОСГЬО НЕ бОЛЕЕ ; "/, 1.Е ИНЕИНОСТЬ )ЕДЛЛГЛ,-МЭП Д;тгИКа нгс гревь:Лет 0,1/лк" м образ )1, 1 е; н: с зкпном ичеСс ИЛ ПРЕИМУЩЕСТВОМ ЗЛЯНЛЯРМОЙ КОНС.гРУК 3 ии является расширеИе в 7,5 раза т ИГЕратургОГО дИаПЛЗОНа, уЛРНЬШЕНИЕ нелинеинпсти в 2 паза за сче) устранения в цл 1 я термическ:х де(Ьсп(ла(3 сЙ корпуса ) МЕ.СЗЛЕКтрО).,3 цсйс (З.1., ЗЛ ГЭР- седглГЧСПЕ- онля лоскопарглгРЛ,носи пеоифгрийных )лектродов и:а сче устранения ЧК дЛатаЛс ГОЛ д(дСрОр;, а 3 Лс ЕНтраЛСОГО Л Р тр Ода дЛ" с гФОРЬУ, аОГ)Е .Р 3,;ЯДат ик давления,одер)ащий вакуумиРОСанн:.3 ОРПУС С 3;сИЛ,1 НДРИЕСК:М ОПОР, ЦМ ОСНОВаНИЕМ, МЕМОРаЧУ ; )Час.(КИ 1 ЦЗН 3 Г)М, ЗакР,ПЛЕ 3 УО 3 а ОП;сР 1 ОМ ОС Оеании с збразовас Гл кон 1(могоерифе- Рнс 1 НОГО У ЭС Ка ТО(ОЧсНОЙ, Р.)ВНОЙ 1 ОЛ 1 ЦЛНЕ мсмбранц. диск, располс)канны с згзс ром относительно мембраны, ус ачо(доннуо О 13;ладкд/ и емкпстчыЙ иг-)брэзоватРль ЛРГ"дОРМа.,1 И ВЫПО)НЕНН " В В,Р РВУг; П;. Про)ИРГЕ)3(ащИ, ГЕ; гЭСГГ, раСПОЛОжвн ЫХ ПО г,сднт) И На ПЕОИфРПИИСд б);НЬ И ДИСКа, ОЛ И Ч а 10 ОИ Й Г; Я ГеИ.О, С ОС Л Ь 10 Г)аСШИРС. с Я СМг.ЕОЛ РНГГП г.;И.П:ЗСа И у 4 Л 1 ЛШЕЧИЯ НЕЛИ"дс; Ног;ТИ ьходной Хара- сдрИ(тП, В д;- ;1;НСасЧ,(;: 3, ОЛг.,сО Закреплено н.) г,ериферии КО сгл 3 о "., ччастка мрм)Раны нд "Сгг,3: Кг)топО; О ПРР- тсвоптло)1(ной облас г)ас 1 овс 3 элактО ра И КОЛЬС(а ВЫП. Н:Г. 3;с 3:др РСКЭЕ Ут От ОР Н И Е ТОЛ ОИ3.) И. с (3 : Н О) Л1 Н Е Д 1 С- ка, при "гои дис: . ест,; сэ;.ен по парифРрии с кольООм, -". 1:.)3 нл,)кастостьсС сс с) В)", " , ,,с гГЗаказ 4535 Тираж ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета ;о изобрете.иям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва Ж, Раунская наб 4/5 Производс 1 венно-издательский комбинат Гагент", г. Ужгород, ул Гагарина, 101 3 3Ьд= ( /Я - 1/100 ) 1 м, Од=10 - 1000 и где Ьм - толщина мембраны, О - жесткость мембраны,Г,