Патенты с меткой «запоминающей»
Устройство для контроля параметров ферритовых сердечников запоминающей матрицы
Номер патента: 963110
Опубликовано: 30.09.1982
Автор: Ясенцев
МПК: G11C 29/00
Метки: запоминающей, матрицы, параметров, сердечников, ферритовых
...контроля во входном регистре 6,Величина коррекции порогов такжевыбирается и устанавливается заранее,заданием длительности корректирующего импульса третьим формирователем 10.Перед запуском программы операторпроизводит начальную установку всехблоков устройства. При этом управляющий триггер 13 устанавливается в состояние, при котором второй коммутатор 12 открывает цепь подачи в блок1 синхронизации в качестве сигналаокончания проверки одного ферритового сердечника сигнал об окончании3-го цикла проверки с выходной логики счетчика 2 циклов проверки 2.Тем же состоянием триггера 13 напервом входе третьего формирователя10 устанавливается сигнал, разрешающий подачу кода коррекции на вход сумматора-вычислителя 9, а на первом входе первого...
Способ изготовления запоминающей матрицы на биаксах
Номер патента: 987677
Опубликовано: 07.01.1983
Авторы: Авсеев, Бобров, Добролюбов, Милославов
МПК: G11C 5/12
Метки: биаксах, запоминающей, матрицы
....провода второ"го направления, прн этом сначала нанизывают биаксн, расположенные внижнем слое матрицы, а затем биакси,расположенные в верхнем слое матрицы, предварительно разместив их внижнем слое матрицы путем переворачивания координатных проводов первогонаправления с нанизанными на них биаксами, концы каждого координатногопровода второго направления при этомсвивают, укладывая координатный ,провод после нанизывания на него биаксов поверх данных биаксов, а кобр"динатные провода первого направления 1987677 5 Формула изобретения Составитель В. ВакарТехред А.Бабинец Корректор С. ШекмарГ едактор М. Рачкули Тираж 592осударственного комитам изобретений и открыа, Ж, Рауюская наб Заказ 10314/4 ПодписноСССР ВНИИП по 113035, Мо4/5 лиал ППП...
Способ изготовления запоминающей матрицы на ферритовых сердечниках
Номер патента: 991503
Опубликовано: 23.01.1983
Автор: Василенко
МПК: G11C 5/12
Метки: запоминающей, матрицы, сердечниках, ферритовых
...Все сердечники одновременно касаются плоскости клеевого слоя.На фиг, 2 изображен трафарет 9 с сердечниками 1 - 8, заключенный между двумя плоскими пластинами 12 и 13, нижняя пластина 12 помещена на неподвижном основа5нии. Верхняя пластина 13 имитирует плоскую поверхность основания матрицы. Сердечники 1,5 и 7 имеют непосредственный контакт с пластиной 13, между сердечниками 2, 3, 4, 6 и 8 имеются зазоры 14 - 18соответственно, т. е. сердечники не имеютконтакта с пластиной.Затем на верхнюю пластийу 13 помещаютгруз 19.Под действием этого груза (распределенного веса пластины 13 для простоты не учитываем) на сердечники, имеющие контакт с пластиной 13, действует сила, вдавливающая сердечники в клеевой слой 1 О на липкой ленте 11,...
Способ прошивки запоминающей матрицы на ферритовых сердечниках
Номер патента: 1005182
Опубликовано: 15.03.1983
Авторы: Гецевичюс, Гечюс, Петкевичюте, Рагульскене, Тишинов, Федаравичюс
МПК: G11C 5/12
Метки: запоминающей, матрицы, прошивки, сердечниках, ферритовых
...узел очистки 7, междуузлом очистки и дозирующим валиком 1установлен зажим 8, а натянутыепервые проводники 3 прикреплены к 15контактным колодкам 9 посредствомпружины 10. Узел очистки 7 включаетрасположенную на вибраторе 11 емкость 12, которая заполнена очищающей суспензией 13, а снаружи боковых стенок ее укреплены электромагнитные возбудители 14. Емкость 12перекрыта герметиэирующей втулкообраэной крышкой 15, входящей внутрьее, а в самой крышке 15 и в стенкахемкости 12 образованы пазики 16 дляподдержания точного расстояния междунатянутыми первыми проводниками 3.Способ осуществляется следующимобразом.Ферритовые сердечники 4, нанизанные на первые проводники 3, размещаются в зоне над открытым узломочистки 7, на который затем...
Способ коррекции режима считывания в запоминающей электроннолучевой трубке
Номер патента: 1061191
Опубликовано: 15.12.1983
Авторы: Павлюченков, Сапежко
МПК: H01J 31/00
Метки: запоминающей, коррекции, режима, считывания, трубке, электроннолучевой
...получается высоким.Особенностями высокоскоростныхЗЭЛТ с толстой мишенью и удален ным коллектором в режимах неравновесной записи и перезарядного считывания, являются: высокая скоростьсмещения потенциаламишени при еебомбардировке электронным пучком 35 в условиях полного отбора вторичного тока и воэможность, вследствие этого, образования глубокихпотенциальных рельефов даже в наносекундном диапазоне раэверток 20 записи; ослабленная локализацияэлектрического поля зарядного рельефа в пространстве мишень-коллектор; наличие эффекта перераспределения вторичных электронов, вы биваемых из мишени лучом считываниявблизи глубокого потенциальногорельефа, искажение эа счет этогоформы считанных сигналов, и какследствие, возможность появленияошибок...
Способ считывания информации с мишени запоминающей электронно-лучевой трубки
Номер патента: 1071975
Опубликовано: 07.02.1984
Авторы: Коробков, Сперанский, Филинов, Чураков
МПК: G01R 29/02
Метки: запоминающей, информации, мишени, считывания, трубки, электронно-лучевой
...После вычитания из Т постоянной величины 7 з получают интервал времени, который пропорционален ординате зарегистрированного на мишени ЗЭЛТ исследуемого про- цесса, т.е. Т - з = Т + 0,5 ЬТр. Таким образом, получают интер вал времени Т - , эквивалентный точнсиу значению ординаты записанного на мишени процесса (точное б 5 В.момент времени окончания заднего фронта первой полуволны дифференцированного сигнала й), соответствующий окончанию переднего фронта выходного сигнала, формируют первый импульс-привязку (фиг. 12), а в мо 5мент времени начала переднего фронта второй полуволны дифференцирован. ного сигнала (1 з), соответствующий началу заднего фронта выходного сигнала, формируют второй импульс- привязку (Фиг. 1). Длительность интервала...
Устройство для изготовления запоминающей матрицы на ферритовых сердечниках
Номер патента: 1136215
Опубликовано: 23.01.1985
Авторы: Рагульскис, Судинтас, Федаравичюс
МПК: G11C 5/12
Метки: запоминающей, матрицы, сердечниках, ферритовых
...подвих(ной рамы, обращеннойферрктовым сердечникам жестко зякреплерц вкбряторы высокой частоты со штырями, вкбраторы низкой частоты жестко соединены с Ограничителями.На чертеже представлено предлагаемое рс Грокство,Устройство содержит корпус 1, нечодв .1;3 ую Яму 2, контяктнье КО)Одки 3,провод(1 4, фсрЭитовее сердечники 5ект)О.(3 Г 13 иты 6, слси 7 из 5 ИЯ 1 ЯГктОго материала, пазы Б. Бибраторц 9, опоры 10, механизм 11 подъемасускя, подвижную раму 12, в браторц 13 высокой частоты, штыри 14, подвижую платформу 1.5, ограничители 16к вкбраторы 17 низкой частоты.Устройство для кзготовления запоминающей матрицы на феррктовых сердечниках работает следующим образом.1 ровода с нанизанными ферритовымисердечниками 5 укладываот на...
Экран для запоминающей электронно-лучевой трубки
Номер патента: 1142860
Опубликовано: 28.02.1985
Авторы: Аристархова, Волков
МПК: G11C 13/02
Метки: запоминающей, трубки, экран, электронно-лучевой
...добомбардировки и больше работ выхода Рф дщ пробомбардированнойповерхности Уф Ю Ур ацЕ, тоосвещение поверхности матрицы вызывает эмиссию только с пробомбардированных участков. Величина фото 1142860тельно, работоспособным экран является при работе выхода е 9,1,9 эВ.В зависимости от дозы облученияэлектронами изменение работы выходаповерхности смеси окислов барияи стронция с работой выхода по полному току е 1,=1,7 эВ имеет растущийхарактер и достигает насыщения придозах 10 -10 ат/см . Абсолютная ве 1 16личина работы выхода уменьшается(фиг. 4). Величина тока фотоэмиссиипри освещении белым светом увеличивается почти на порядок,Обогащение поверхности атомамибария при электронной бомбардировкеподтверждено методом спектроскопииобратно...
Устройство для контроля параметров ферритовых сердечников запоминающей матрицы
Номер патента: 1200346
Опубликовано: 23.12.1985
Автор: Ясенцев
МПК: G11C 29/00
Метки: запоминающей, матрицы, параметров, сердечников, ферритовых
...контроль сердечников матрицы по параметрам: единице (1), единице разрушенной (1 ), нулю разрушенному(О ) и по коэффициенту разрушения единицы (К), представляющему со1200346, бой отношение амплитуды сигнала (1 ) к амплитуде сигнала (1).Устройство работает следующим образом.Перед началом контроля с помощью органов панели управления задается режим проверки, устанавливаются требования к параметрам сердечников, ставятся в исходное состояние все регистры и триггерные схемы устройства, задается количество обмоток считывания, имеющихся в проверяемой матрице набором на входном тумблерном 10 регистре 11. В исходном состоянии к генераторам токов испытательной программы блока 1 подключены координатные провода первого сердечника матрицы,...
Устройство записи информации на запоминающей электронно лучевой трубке
Номер патента: 1231628
Опубликовано: 15.05.1986
Метки: записи, запоминающей, информации, лучевой, трубке, электронно
...17 памяти, третий ЦАП 18, третий усилитель 19, четвертый ЦАП 20, блок 21 умножения, четвертый усилитель 22. шек 11 и 12. Одновременно, по команде блока 16 управления синхронно сперемещением луча по цифровой развертке с входа 15 начинается приемкодов яркости в регистр 2. В ЦАП 20этот код преобразуется в- выходнойток, перемножается в блоке 21 с выходным сигналом усилителя 19 и черезусилитель 22 воздействует на модуля тор 13 ЗЭЛТ 10. В результате меняется ток луча, который производит запись в текущей точке мишени. Однимиэ факторов появления погрешностипри записи на мишень является ее не однородность, связанная с технОлогией производства. В результате этогопоявляется чувствительность к искажению записываемой информации. Коррекция...
Способ масштабно-временного преобразования одиночных электрических сигналов на запоминающей электронно-лучевой трубке
Номер патента: 982483
Опубликовано: 07.07.1986
МПК: H01J 31/48, H01J 31/50
Метки: запоминающей, масштабно-временного, одиночных, преобразования, сигналов, трубке, электрических, электронно-лучевой
...считывающего лучадля обеспечения надежного считыванияснижает разрешающую способность присчитывании, и как следствие, точностьпреобразования,В сочетании с некоторыми другимифакторами, погрешность преобразования по известному способу прототипусоставляет д 57.Целью изобретения является снижение погрешности преобразования.Цель изобретения достигается тем,что в способе масштабно-временкогопреобразования одиночных электрических сигналов на запоминающей электронно-лучевой трубке, характеризующемся тем, что запись производят намикроканальной пластине однократнойвременной разверткой в координатахвремя - амплитуда, электронный лучзаписи усиливают, пропуская его через микроканальную пластину, включенную в режиме насьпцения и максимального...
Способ изготовления запоминающей матрицы на биаксах
Номер патента: 1251171
Опубликовано: 15.08.1986
Авторы: Олейник, Сверлов, Толочек, Яблонский
МПК: G11C 5/12
Метки: биаксах, запоминающей, матрицы
...изоляционных ооойм 1 имеются отверстия 4, а на противоположных гранях изоляционных обоймвыполнены параллельно их боковым стенкам сквозные прямоугольные пазы 5. При установке ца изоляционные обоймы 1 крышек 2 образуются прямоугольные пазы 6, открытые со стороны приподнятой нал крышкой 2 половины швеллерообразного упругого фиксирующего элемецта 3 и полузакрытые с противоположной стороны пол. кой жестко закрепленной другой половины того же швеллерообразного элемента 3. Сориентированные в вибролотке 7 биаксы 8 отверстиями 9 считывания налеваются на возвратно-поступательный цток 10 и направляются в прямоугольные пазы 6 ло их полного заполнения биаксами 8, образующими строки 11 считывания из соосцо расположенных отверстий 9 считывания и...
Элемент памяти ассоциативной запоминающей матрицы
Номер патента: 1265857
Опубликовано: 23.10.1986
Авторы: Дробязко, Корнейчук, Марковский, Масленников
МПК: G11C 15/00
Метки: ассоциативной, запоминающей, матрицы, памяти, элемент
...по столбцу реализуется подачей на шины 7 и 8 сигналов нулевого уровня, на шины 10 и 11 в первом такте подается сочетание сигналов "10" (соответствует записи нулей), а во втором такте - "О" (соответствует записи единиц) . Соответственно в первом такте на шину 9 подается единичный сигнал в случае записи нуля и нулевой - в случае записи единицы. Во втором такте сигнал на шине 9 - единичный при записи единицы и нулевой при записи нуля. Считывание по строке осуществляется вы" дачей единичного сигнала на шину 9. На выходе элемента И-НЕ 6 при этом формируется сигнал, инверсный биту, хранимому триггером 1. Сигнал поступает на шину 12 и считывается.Считывание по столбцу реализуется выдачей на шины 10 и 11 сигналов "00", а на шины...
Способ считывания информации с матричной мишени запоминающей электронно-лучевой трубки
Номер патента: 1354224
Опубликовано: 23.11.1987
Автор: Баронский
МПК: G06K 11/00
Метки: запоминающей, информации, матричной, мишени, считывания, трубки, электронно-лучевой
...в устройствах,использующих запоминающие электронно 5лучевые трубки.Цель изобретения - повышение разрешающей способности при считыванииинформации.Предлагаемый способ предназначен 1 пдля использования в запоминающихэлектронно-лучевых трубках (ЗЭЛТ),имеющих матричную мишень, элементпамяти которой состоит из последовательно соединенного элемента с односторонней проводимостью (диода) инеполярного полупроводникового переключателя, т.е, является биполярнымэлементом памяти. Мишень ЗЭЛТ состоитиз отдельных изолированных слоев, 20выводы горизонтальных и вертикальных шин расположены в различных слоях.В применяемой ЗЭЛТ используют несколько электронных прожекторов,Слой мишени, выполненный изматериала с высоким коэффициентом вторичной...
Способ записи и считывания информации с запоминающей электронно-лучевой трубки
Номер патента: 1377901
Опубликовано: 28.02.1988
Авторы: Дружинин, Жлуктенко, Лазебный
МПК: G11B 9/10
Метки: записи, запоминающей, информации, считывания, трубки, электронно-лучевой
...информационный сигнал без потерь.Способ может быть реализован при помощи устРойства, схема которого показана на фиг. 3. При проведении подготовки мишени 1 к записи на ее сигнальную пластину 2 подают соответствующее постоянное напряжение режима подготовки с выхода формирователя 3 напряжения подготовки через диод 4 при действии на входе формирователя 3 соответствующего управляющего импульса подготовки (фиг. 1 а). В это время мишень сканируют электронным лучом постоянной плотности, При проведении записи на сигнальную пластину 2 подают соответствующее постоянное напряжение режима записи с выхода формирователя 5 соответствующего импульса записи через диод б (фиг. 16), В это время мишень сканируют промодулированным электронным лучом и...
Способ прошивки двухслойной запоминающей матрицы на биаксах
Номер патента: 1443028
Опубликовано: 07.12.1988
МПК: G11C 5/12
Метки: биаксах, двухслойной, запоминающей, матрицы, прошивки
...4 досоосного расположения отверстий 5биаксов нижних слоев б нечетныхстолбцов и верхних слоев 7 четныхстолбцов. Прошивают соосно расположенные отверстия 5 проводом 8 считывания в прямом направлении, обеспечивая запас провода 9 для прошивкибиаксов в обратном направлении, Далее с одного конца ряда провод фиксируют на валике 10 в месте выхода его из отверстия биакса, а с другого конца провода обеспечивают натяжение в осевом направлении, например, с помощью противовеса 11, перекинутого через блок 12 (фиг.1). Затем производят поочередное смещение четных столбцов 3 со стороны зафиксированного конца провода до соосного.расположения оставшихся не прошитыми отверстий биаксов (фиг,2 и 3). После этого провод огибают вокруг валика 10 и прошивают...
Ячейка памяти ассоциативной запоминающей матрицы
Номер патента: 1547029
Опубликовано: 28.02.1990
Авторы: Корнейчук, Марковский, Сидоренко, Яблуновский
МПК: G11C 15/00
Метки: ассоциативной, запоминающей, матрицы, памяти, ячейка
...инверсные и прямые значения соответствующих разрядов признака поиска. Следует отметить, что запись, считывание и режим маскирования информации любого запоминающего элемента 1 строки матрицы осуществляютсяизвестными способами. На управляющий вход 5 и вход 11 синхронизации строки матрицы поступают сигналы нулевого уровня, т.е. простой ассоциативный поиск и поиск по критерию кодового подобия запрещены (на всех выходах блоков 3 приоритета сформированы единичные сигналы, а на выходах всех элементов И 2 - нулевой сигнал).В ассоциативной запоминающей матрице, состоящей из предлагаемых ячеек памяти, могут быть произведены два вида поиска:простой ассоциативный поискуассоциативный поиск по критерию кодового подобия. В первом случае...
Устройство для автоматического регулирования режима в канале запоминающей электронно-лучевой трубки
Номер патента: 1633515
Опубликовано: 07.03.1991
МПК: H04N 5/18
Метки: запоминающей, канале, режима, трубки, электронно-лучевой
...элементов мишени возрастает, например, линейно. Характеристика приращения потенциала (.(1) показана ца фиг. 5 а. Напряжение вершины кОН Грольного импульса также возрастает 10 бсолютной величине (на фиг. 56 предствлены сигналы 1/с(1, соответствующие 3 сколаму, В мсмент времени 1, состоянию усгроисто, и видеосигналы, считанные черези 1 хн). На Выходе пикового детектор 15 формируется возрастающий по абсоЮтцой (Е,3(ЧИ(Е СИГЦаЛ, КОТОРЫЙ СРаВНИВасс В блОке (Л с записанным В момент 1 о сигналом В блоке 16 На выходе вычитаюпц гО блска 1 5 формируется сигнал Сl(1) фи )(33, пропорциональный по абсолютной (нлицице сигналу (1) и управляющий с поъ)ОЦьк б.Ока 11 управления напряжением сигильнОи плстины. На выходе блока 11 у правления напряжением...
Устройство для автоматической фокусировки электронного луча запоминающей электронно-лучевой трубки
Номер патента: 1706058
Опубликовано: 15.01.1992
Авторы: Донченко, Клещевников, Споревой, Шапран
МПК: H04N 5/228
Метки: автоматической, запоминающей, луча, трубки, фокусировки, электронно-лучевой, электронного
...фокусировки , ра Гише отношению напряжений Ь,. и Ь(Сl=(/с гСl ) Наилучшая фокусировка достигетсяЛири минимальном значении напряжения кдчества фокусировки, Напряжение качесГ- вд фокусировки преобразуется с помощью АЦП 13 в цифровую форму под Воздействием импульса, поступаюцего с блока 4 управления. Этот импульс формируется ца выходе 1 ервого элемента 16 задержки. Первый элемент 16 за,чержки осуществляет задержку импульса пуска на время, необходимоецояв;е)ция цдц)яжения Ьнз ыдеблока 12 .еления (; Выхода первого элемент;) 16 задержки импульс поступает на второй элс чецт 17 зд;еержки, который о ущесгвляет здд(ржку ичцульса цд время, равное Вре.30 чеци преобрдзовация АЦП 18 (. Выходавторого элемента 17 задержки импульс ИО- ступает цд...
Способ изготовления запоминающей матрицы
Номер патента: 1711228
Опубликовано: 07.02.1992
Автор: Сартаков
МПК: G11C 5/12
Метки: запоминающей, матрицы
...отверстий (б). При напылении подложка устанавливается над ванной М, в которой находится напыляемый материал в расплавленном виде, Частицы напыляемого материала, летящие по стрелке С, пролетают сквозные отверстия. Осаждаться на стенки отверстий могут только частицы, летящие.по стрелке и, Однако их недостаточно для полнога напыления стенок, Для того, чтобы частицы, летящие по стрелке С, осаждались на стенке отверстий, нужно перемещать подложку горизонтально по кругу (как показано стрелками р) без вращения подложки вокруг какой-либо собственной оси, При таком движении подложки частицы, попавшие в просвет отверстий, неминуемо коснутся стенок отверстий и осядут на них, хотя плотность напыления будет уменьшаться по мере удаления от...
Способ термоэлектровакуумной обработки осциллографической запоминающей электронно-лучевой трубки
Номер патента: 1749945
Опубликовано: 23.07.1992
Авторы: Ващенюк, Воронич, Матюхин, Степанюк, Хомичак
МПК: H01J 9/38
Метки: запоминающей, осциллографической, термоэлектровакуумной, трубки, электронно-лучевой
...время вакуумной обработки сокращается в 2,5 раза и обеспечивается возможность за счет повышения скорости записи и времени воспроизведения регистрации малых потенциальных рельефов (порядка 0,3 - 0,4 В, вместе 0,6-0,8 В).Применение совмещенного режима высоковольтного облучения при установленном оптимальном напряжении сетки мишени в известной технологии вакуумной обработки ОЗЭЛТ не позволяет достичь положительный эффект. В этом случае при высоковольтном облучении мишени и экрана происходит ухудшение параметров накопительного покрытия мишени, напыленного при комнатной температуре (уменьшается удельное сопротивление (УС) мишени и коэффициент вторичной электронной эмиссии (КВЭЭ), повышается также давление остаточных газов выше допустимого...
Способ изготовления мишени бистабильной бессеточной запоминающей электронно-лучевой трубки
Номер патента: 1807796
Опубликовано: 27.04.1996
Автор: Шариков
МПК: H01J 9/20
Метки: бессеточной, бистабильной, запоминающей, мишени, трубки, электронно-лучевой
...приводит к образованию высокоомных контактов с выводами коллектора и коллимирующей линзы, а также к ухудшению коллимации электронного пучка воспроизводящего прожектора,Отжиг экрана проводится при температуре 440 - 460 С с целью полного выжигания ПВС, После этого сцепление между точками и.стеклом существенно уменьшается и они легко удаляются пульверизованной струей воды, интенсивность которой можно регулировать давлением воздуха, После этого отжига металлическое покрытие приобретает необходимый темный оттенок, При формировании люминофорных точек в окнах методом фотопечати высота их на периферии всегда получается меньше, чем в цент/ре. Это приводит к тому, что коллекторный потенциал для периферийной части точки ниже рабочего коллекторного...
Устройство масштабно-временного преобразования одиночных импульсов на запоминающей электронно-лучевой трубке
Номер патента: 1816112
Опубликовано: 20.09.1996
Авторы: Борисов, Зюзин, Крюков, Рыбак
МПК: G01R 13/02
Метки: запоминающей, импульсов, масштабно-временного, одиночных, преобразования, трубке, электронно-лучевой
...второй сумматор 1 б, блок деления чисел17, сумматор 18, запоминающее устройство19.Устройство МВП ЗЭЛТ содержит катодно-модуляторный узел 20, горизонтально-отклоняющую систему 21,вертикально-отклоняющую систему 22, мишень 23 и сигнальный электрод 24. 2 8В качестве блоков 1 - 10 могут быть использованы блоки, описанные в известных устройствах, Блок 11 может быть реализован на базе серийно выпускаемых микросхем, блоки 12, 14 реализуются на базе интегральных микросхем. Блоки 15, 16, 18 могут быть заимствованы из известных устройств. Блоки 13 и 17 могут быть построены на базе БИС умножителя и цифровых логических микросхем,Первый вход блока 11 (АЦП) является управляющим, Наличие на этом уходе уровня логической единицы (лог, "1")...
Способ масштабно-временного преобразования одиночных импульсов на запоминающей электронно-лучевой трубке
Номер патента: 1347858
Опубликовано: 27.01.1997
Авторы: Борисов, Збрицкий, Зюзин, Рыбак
МПК: H04N 5/907
Метки: запоминающей, импульсов, масштабно-временного, одиночных, преобразования, трубке, электронно-лучевой
Способ масштабно-временного преобразования одиночных импульсов на запоминающей электронно-лучевой трубке (ЗЭЛТ), заключающийся в том, что однократной временной разверткой электронного луча осуществляют запись одиночного импульса на мишень ЗЭЛТ в виде потенциального изображения в прямоугольных координатах X, Y мишени ЗЭЛТ, однозначно связанных с координатами амплитуда-время, осуществляют считывание потенциального изображения развернутым в прямоугольный строчный растр электронным лучом, сканирующим мишень ЗЭЛТ n раз, где n число дискретных выборок, и при каждом сканировании в момент пересечения электронным лучом линии потенциального изображения осуществляют выделение мгновенных значений дискретных выборок, преобразование их в цифровой код с...
Устройство для выделения импульса-отметки из считанного с микроканальной пластины запоминающей электронно-лучевой трубки сигнала в аналого-цифровых регистраторах
Номер патента: 1831120
Опубликовано: 20.02.1997
Авторы: Борисов, Крюков, Рыбак
МПК: G01R 13/34
Метки: аналого-цифровых, выделения, запоминающей, импульса-отметки, микроканальной, пластины, регистраторах, сигнала, считанного, трубки, электронно-лучевой
...результирующего сигнала и, следовательно, к потере части информации, Данное обстоятельство позволяет судить о неэффективности применения устройства-прототипа из-за низкой достоверности выделения импульса- отметки из считанного сигнала, Устройство- прототип имеет еще один недостаток, Надежное выделение импульса-отметки осуществляется в нем при условии: сигнал/помеха 10, Это, в свою очередь, позволяет относительно высоко (выше уровни помех) установить порог триггера Шмитта и исключить возможность ложного срабатывания по импульсу помехи.При максимальной скорости записи, что соответствует коротким разверткам (Тр в - 0) отношение сигнал/помеха - - О, причем абсолютное значение импульсов-отметок может изменяться (уменьшаться) на порядок,...