Способ считывания информации с матричной мишени запоминающей электронно-лучевой трубки

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 54224 511 4 С 06 К 11/О ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИН АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ТЕ;,ВВЕЛИ(.ТЯ.; .; ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ ССС ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫ(56) Денбновецкий С.Д. и др.Запоминающие электронно-лучевыетрубки в системах обработки информации. - М.: Советское радио, 1973.,Лямичев И.Я. и др. Приборы на аморфных полупроводниках и их применение- М.: Советское радио, 1976, с, 94,(54) СПОСОБ СЧИТЫВАНИЯ ИНФОРМАЦИИС МАТРИЧНОЙ МИШЕНИ ЗАПОМИНАЮЩЕЙЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОЙ ТРУБКИ(57) Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике, аименно к способам считывания информации с матричных мишеней запоминающих электронно-лучевых трубок. Цель изобретения - повышение разрешающейспособности и быстродействия при считывании, Указанная цель достигаетсятем, что формируют электронные пучкис медленными и быстрыми электронами.При сканировании воздействуют одновременно на противоположные стороныбиполярных элементов матричной мищени электронными пучками с медленнымии быстрыми электронами. Накапливаютположительные заряды на противополож"ных сторонах биполярных элементовдо разности потенциалов, ниже критической, при которой биполярный элемент не переходит в состояние с низкой проводимостью, Прекращают сканирование на время релаксации зарядов,воздействуют на отрицательный зарядбиполярного элемента электронным пучком с медленными электронами, фиксируют отраженные заряды и формируютинформационный сигнал считывания.Составитель Т,НичипоровичТехред Л.Олийнык Корректор М,Шароши Редактор Н.Бобкова Заказ 5696/45 Тираж 671 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва Ж, Раушская наб д,4/5Производственно-полиграфическое предприятие, г.ужгород, ул.Проектная, 4 13542Изобретение относится к автоматике и может быть использовано при считывании информации в устройствах,использующих запоминающие электронно 5лучевые трубки.Цель изобретения - повышение разрешающей способности при считыванииинформации.Предлагаемый способ предназначен 1 пдля использования в запоминающихэлектронно-лучевых трубках (ЗЭЛТ),имеющих матричную мишень, элементпамяти которой состоит из последовательно соединенного элемента с односторонней проводимостью (диода) инеполярного полупроводникового переключателя, т.е, является биполярнымэлементом памяти. Мишень ЗЭЛТ состоитиз отдельных изолированных слоев, 20выводы горизонтальных и вертикальных шин расположены в различных слоях.В применяемой ЗЭЛТ используют несколько электронных прожекторов,Слой мишени, выполненный изматериала с высоким коэффициентом вторичной электронной эмиссии, бомбардируют пучком быстрых электронов и создают положительный заряд, а противоположные стороны биполярных элементов бомбардируют медленными электронами, создавая отрицательный заряд,Заряды увеличивают до такой величины,пока разность потенциалов между нимине достигает значения ниже критического, при которой полупроводниковыйпереключатель с резистивной памятью,соединенный с диодом последовательно,еще не переходит в состояние с низкой проводимостью, прекращают воздействие электронным пучком на время 242релаксации зарядов, затем воздействуют на отрицательный заряд биполярного элемента электронным. пучком с медленными электронами, фиксируют отраженные электроны и формируют информационный сигнал считывания.Предлагаемый способ считывания информации позволяет повысить разрешающую способность при считывании и, вместе с тем, увеличить информационную емкость ЗЭЛТ. Формула изобретения Способ считывания информации с матричной мишени запоминающей электронно-лучевой трубки, основанный на сканировании поверхности. мишени электронным пучком с медленными электронами, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения разрешающей способности, формируют дополнительный электронный пучок с быстрыми электронами, при сканировании воздействуют. одновременно на противоположные стороны биполярных элементов электронными пучками с медленными и быстрыми электронами, накапливают положительные и отрицательные заряды на противоположных сторонах биполярных элементов до разности потенциалов ниже критической, при которой биполярный элемент не переходит в состояние с низкой проводимостью, прекращают сканирование на время релаксации зарядов, воздействуют на отрицательный заряд биполярного элемента электронным пучком с медленными электронами, фиксируют отраженные заряды и формируют информационный сигнал считывания.