Способ изготовления запоминающей матрицы

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 28 А 1 17 9) 1)5 6 11 С 5/12 Е ИЗОБРЕТЕНИЯ ПИСА ТО МУ СВИД ЬСТВУ изобретения является повышение технологичности способа изготовления запоминающей матрицы и увеличение .плотности информации. Цель достигается тем, что в подложке (из стекла или меди) формируют сквозные отверстия по одному отверстию на каждый микросердечник, при этом диаметр отверстия равен диаметру микросердечника, Через полученное отверстие формируют все проводники записи и,считывания данного микросердечника. Таким образом повышается плотность информации за счет увеличения количества носителей информации на единицу площади. 1 ил. ников записи и считывания соответствующего микросердечника.Для создания проводников записи и считывания, для формирования на поверхностях подложки соединительных проводников на поверхности подложки и на стенки отверстий наносятся изоляционная пленка, металлическая пленка и формируются ме дом фотолитографии на поверхностях подложки соединительные проводники, затем вторично на поверхности подложки и на стенки отверстий наносятся изоляционная пленка, металлическая пленка и формируются на поверхностях подложки также методом фотолитографии соединяющие проводники другого назначения,На чертеже изображена послед ность предлагаемого способа, вид тоователь- А, вид Б и вид В.Способ озом,аествляют следую Создают подложку с пористой структу рой в виде сквозных отверстий одним из известных методов, например меТодом на ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯПРИ ГКНТ СССР(56) Авторское свидетельство СССР М 898500, кл. О 11 С 5/02, 1980,Авторское свидетельство СССР М 896689, кл, 6 11 С 5/12, 1980. (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАПОМИНАЮЩЕЙ.МАТРИЦЫ(57) Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к технологии изготовления запоминающих матриц. Целью Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к технологии изготовления запоминающих матриц.Цель изобретения - повышение технологичности способа изготовления запоминающей матрицы и увеличение плотности информации., Поставленная цель достигается тем, что в подложке (из стекла) пористая структура создается путем формирования в ней сквозных отверстий, где в качестве диэлектрических участков, изолирующих отверстия друг от друга, используется материал подложки. Магнитный материал наносится на внутренние стенки отверстий в виде пленки (например, из пермаллоя) путем напыления. где пленка, напыленная на наружные поверхно,сти подложки, стачивается.Магнитная пленка на стенке отверстия представляет собой один тороидальный микросердечник, который используется как элемент памяти. Оставшийся просвет после напыления магнитной пленки используется в качестве сквозного отверстия для проводФеДеРальнцй и,и;т,ГРОМЫШЛЕННОЙ СббСТВЕНН 0 СТИ Отделение ВПТУ1711228 55 грева материала лучом лазера до 1200 С (а). Напыляют на одну из поверхностей подложки пермаллоевую пленку одновременно с напылением пермаллоевой пленки на стенки сквозных отверстий (б). При напылении подложка устанавливается над ванной М, в которой находится напыляемый материал в расплавленном виде, Частицы напыляемого материала, летящие по стрелке С, пролетают сквозные отверстия. Осаждаться на стенки отверстий могут только частицы, летящие.по стрелке и, Однако их недостаточно для полнога напыления стенок, Для того, чтобы частицы, летящие по стрелке С, осаждались на стенке отверстий, нужно перемещать подложку горизонтально по кругу (как показано стрелками р) без вращения подложки вокруг какой-либо собственной оси, При таком движении подложки частицы, попавшие в просвет отверстий, неминуемо коснутся стенок отверстий и осядут на них, хотя плотность напыления будет уменьшаться по мере удаления от уровня напыляемого материала из-за разных скоростей полета частиц.Напыляют пермаллоевую пленку на обратную поверхность подложки и стенки сквозных отверстий (в). При этом стенки отверстий от двухстороннего напыления становятся напыленными равномерно. Стачивают пермаллоевую пленку с обеих поверхностей подложки (г). Пленка остается только на внутренних стенках отверстий (вид А), представляя собой пермаллоевые тороидальные микросердечники.Напыляют изоляционную пленку (например, из стекла) поочередно (так же, как при операциях б и в) нэ поверхности подложки и на стенки отверстий (д).Напыляют металлическую пленку (например, из алюминия) так же поочередно на поверхности подложки и на стенки отверстий поверх изоляционной пленки (е),Методом фотолитографии (ж) нэ поверхностях подложки из металлической пленки формируют соединяющие проводники (вид Б, где сплошными линиями обозначены проводники на лицевой поверхности подложки, пунктирными линиями - на обратной стороне подложки),Вновь на поверхности подложки и на стенки отверстий поверх уже образованных пленок наносят изоляционную пленку также, как при операциях б и в (3).Поверх изоляционной пленки (так же,как при операциях б и в) на поверхности5 подложки и на стенки отверстий напыляютопять металлическую пленку, например.алюминиевую (и),Методом фотолитографии (к) на поверхностях подложки из металлической пленки10 формируют соединяющие проводники другого назначения (вид В, где сплошными линиями обозначены проводники на лицевойповерхности подложки, пунктирными линиями - на обратной стороне подложки),15 Для получения нужных магнитныхсвойств образованных тороидальных микросердечников из пермаллоевой пленкимагнитное поле задается от внешнего источника или электрическим током по обра 20 зованным . цепям, пронизывающиммикросердечники, Нагрев сердечников донеобходимой температуры может производиться путем подогрева полученной матрицы в камере тепла,25 Формула изобретенияСпособ изготовления запоминающейматрицы, заключающийся в создании пористой структуры в стеклянной подложке, создании в ней диэлектрических участков,вве 30 дении в пористую структуру магнитногоматериала, формировании в полученныхмагнитных объемах сквозных отверстий дляпроводников записи и считывания, создании проводников записи и считывания, фор 35 мировании на поверхностях подложкисоединительных проводников, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью повышениятехнологичности способа и увеличения информационной плотности, после создания40 сквозных отверстий в подложке производятнапыление магнитной пленки внутри отверстий, наносят на поверхности подложки ивнутри отверстий изоляционную пленку, металлическую пленку и формируют методом45 фотолитографии на поверхностях подложкисоединяющие проводники, вторично наносят на поверхности подложки и на стенкиотверстий изоляционную пленку, металлическую пленку и формируют на поверхно 50 стях подложки также методомфотолитографии соединяющие проводникидругого назначения.