Патенты с меткой «биаксах»
Устройство для синтеза дискретных систем управления на биаксах
Номер патента: 456272
Опубликовано: 05.01.1975
Автор: Шацилло
Метки: биаксах, дискретных, синтеза, систем
...от программы автоматики в каждый биакс матрицы записывается + или- ,При подаче импульсов считывания с генератора импульсов импульсы в каждой вертикальной шине ряда проходят со сдвигом во времени, благодаря линиям задержки, выполненным по схеме последовательно соединенных индуктивного и активного сопротивлений и параллельно подключенного емкостного сопротивления,Таким обгоризонталтолько с одство реагирует только на +. Если хотя бы один из элементов в горизонтальной строке имеет запись +, срабатывает выходное реле, При этом реле за счет расширения (удлинения) импульса в усилителе-формирователе (задержки во времени) остается в сработанном состоянии до следующего импульса опроса, При подаче постоянно блокирующего сигнала на вертикальную...
Устройство для синтеза дискретных систем управления на биаксах
Номер патента: 505015
Опубликовано: 28.02.1976
Автор: Шацилло
Метки: биаксах, дискретных, синтеза, систем
...входных шин 7, преобразователей 15 8, выходных реле 9, нормально разомкнутыхконтактов 10 выходных реле 9, перекидных контактных групп 11 выходных реле 9, выходных клемм 12, генератора 13 импульсов считывания. Клеммы 1 входных сигналов соеди пены с обмотками реле-повторителей 2. Неподвижные контакты перекидных контактных групп 3 реле-повторителей 2 и контактных групп 11 выходных реле 9 соединены с вертикальными входными шинами 6, прошивающи ми входные отверстия логических биаксов, аподвижные контакты - с выходом генератора 13 импульсов считывания. Каждая пара горизонтальных выходных шин 7, прошивающих выходные отверстия логических биаксов, 30 соединена с преобразователями 8. Нормально-1 ИИПИ ясное Твпогряфия, пр, Сапунояа, 2...
Способ изготовления запоминающей матрицы на биаксах
Номер патента: 987677
Опубликовано: 07.01.1983
Авторы: Авсеев, Бобров, Добролюбов, Милославов
МПК: G11C 5/12
Метки: биаксах, запоминающей, матрицы
....провода второ"го направления, прн этом сначала нанизывают биаксн, расположенные внижнем слое матрицы, а затем биакси,расположенные в верхнем слое матрицы, предварительно разместив их внижнем слое матрицы путем переворачивания координатных проводов первогонаправления с нанизанными на них биаксами, концы каждого координатногопровода второго направления при этомсвивают, укладывая координатный ,провод после нанизывания на него биаксов поверх данных биаксов, а кобр"динатные провода первого направления 1987677 5 Формула изобретения Составитель В. ВакарТехред А.Бабинец Корректор С. ШекмарГ едактор М. Рачкули Тираж 592осударственного комитам изобретений и открыа, Ж, Рауюская наб Заказ 10314/4 ПодписноСССР ВНИИП по 113035, Мо4/5 лиал ППП...
Способ изготовления запоминающей матрицы на биаксах
Номер патента: 1251171
Опубликовано: 15.08.1986
Авторы: Олейник, Сверлов, Толочек, Яблонский
МПК: G11C 5/12
Метки: биаксах, запоминающей, матрицы
...изоляционных ооойм 1 имеются отверстия 4, а на противоположных гранях изоляционных обоймвыполнены параллельно их боковым стенкам сквозные прямоугольные пазы 5. При установке ца изоляционные обоймы 1 крышек 2 образуются прямоугольные пазы 6, открытые со стороны приподнятой нал крышкой 2 половины швеллерообразного упругого фиксирующего элемецта 3 и полузакрытые с противоположной стороны пол. кой жестко закрепленной другой половины того же швеллерообразного элемента 3. Сориентированные в вибролотке 7 биаксы 8 отверстиями 9 считывания налеваются на возвратно-поступательный цток 10 и направляются в прямоугольные пазы 6 ло их полного заполнения биаксами 8, образующими строки 11 считывания из соосцо расположенных отверстий 9 считывания и...
Устройство для изготовления запоминающих матриц на биаксах
Номер патента: 1264238
Опубликовано: 15.10.1986
Авторы: Олейник, Сверлов, Толочек, Яблонский
МПК: G11C 5/02
Метки: биаксах, запоминающих, матриц
...выступами 21. 55 Устройство работает следующим образом. 238 2При откинутых крышках 4 подшипников и снятой рамке 7 обоймы 11 отверстиями 22 в нижних крьппках 23 устанавливаются на пальцы 12 и штифты 17 рамки 6, на которую также укладывается стержень 19 в полукруглый паз, выполненный в выступах 21, На рамку 6 укладывают рамку 7 и их фиксируют защелками 8, при этом пальцы 12 рамки 7 размещаются в отверстиях 22 верхних крьппек 23 обойм 11. Крьппки 4 соединяют с корпусами 3 подшипников при помощи винтов 5, причем при слабой затяжке винтов 5 рамки 6 и 7 могут быть свободно повернуты, а при достаточно сильной затяжке хотя бы одного винта 5 рамки 6 и 7 надежно зафиксированы в неподвижном положении. Поворотом эксцентриков 14 переводят...
Устройство для изготовления запоминающих матриц на биаксах
Номер патента: 1265852
Опубликовано: 23.10.1986
Авторы: Олейник, Толочек, Яблонский
МПК: G11C 5/12
Метки: биаксах, запоминающих, матриц
...28 и 29 вместе с закрепленными в них рейками 26 устанавливаютсяпараллельно рейкам 21, а при крайнихположениях каретки 15, ограниченнойупорами 37 и 38, ветви разрядных проводов 7, закрепленные своими концами на крючках 27 обеих обойм 28 и 29,размещаются вблизи одной плоскости.Каретка 15 снабжена двумя парами роликов 39, с помощью которых перемещается по направляющим 13 и 14,Узел крепления середины разрядныхпроводов содержит скобу 40, жесткоприсоединенную за середину к подвижной полуоси 5, и стержень 41, закрепленный с воэможностью осевого перемещения в скобе 40, Для обеспечения синхронного поворота узлов 6и 8 полуоси 4 и 5 соединены посредством вала (не показан),Устройство работает следующим образом.Разрядные провода 7 с биаксами...
Кассета для двухслойных запоминающих матриц на биаксах
Номер патента: 1290415
Опубликовано: 15.02.1987
Авторы: Олейник, Толочек, Яблонский
МПК: G11C 5/02
Метки: биаксах, двухслойных, запоминающих, кассета, матриц
...ее натяжения. Крышки 2 установлены на полках двутаврообразной изоляционной обоймы 1 и скреплены с ней и друг с другом при помощи П- образных скоб 7 с загнутыми внутрь концами, выполненных из упругого ма териала, причем для скоб 7 на концах крышек 2 предусмотрены прорези 8, позволяющие обеспечить необходимую центровку крышек 2 друг относительно друга. В крышках 2 выполнены также 40 отверстия 9, которые могут быть использованы для закрепления кассеты, заполненной биаксами, в устройстве для прошивки шинами записи и считывания. В полках двутаврообразной изоля ционной обоймы 1 выполнены сквозные отверстия 10, через которые протягивают шины записи (не показано), а на . противоположных гранях ребра выполнены пазы 11 для размещения...
Устройство для изготовления запоминающих матриц на биаксах
Номер патента: 1293756
Опубликовано: 28.02.1987
Авторы: Киселев, Олейник, Толочек
МПК: G11C 5/02
Метки: биаксах, запоминающих, матриц
...выступающий из втулки 26, установлена регулировочная гайка 27. На втулке 26 и полуоси 4 жестко закреплены шестерни 28 и 29, связанные друг с другом жесткой кинематической связью через вал 30 с шестернями 31 и 32 на концах, с которыми входят в зацепление шестерни 33 и 34, закрепленные на валах 35 и 36, на других концах которых закреплены шестерни 37 и 38, взаимодействующие с шестернями 28 и 29. Вал 30 размещен под основанием 1, а валы 35 и 36 - в стойках 2. Баллончики 21 размещены на струнах 19 в шахматном порядке.Устройство работает следующим образом.За рукоятки 14 узлы 5 и 22 поворачивают до горизонтального расположения пол 2зунка 12, который теми же рукоятками 14, отжатыми от направляющих 11, переводят в нижнее положение, В...
Способ записи информации в запоминающее устройство на биаксах
Номер патента: 1374278
Опубликовано: 15.02.1988
Автор: Ермолин
МПК: G11C 17/02
Метки: биаксах, записи, запоминающее, информации
...диаграммы токов Т и 1в шинах Х и У; на фиг.2 - петли гистерезиса материала биакса по разрядному отверстию соответственно при воздействии последовательности из разнополярных импульсов тока на адресное отверстие (а) и до воздействия (б); на фиг.З - схема матрицы запоминающего устройства на биаксах.Сущность способа заключается в том, что разрядный ток подают после того как с помощью последовательности раэнополярных импульсов адресного тока произойдет сужение (стягивание) петли гистерезиса по разрядному отверстию биакса. Оканчиваются токи одновременно. При этом длительность импульсов разрядного тока меньше, чем в способе-прототипе, что обеспечивает уменьшение потребляемой при записи информации мощности. Способ реализуют аналогично...
Способ выборки запоминающего элемента в матричном накопителе на биаксах
Номер патента: 1411822
Опубликовано: 23.07.1988
Автор: Ермолин
МПК: G11C 7/00
Метки: биаксах, выборки, запоминающего, матричном, накопителе, элемента
...формируется лишь в выбранном биаксе, способ может быть использован в накопителях системы ЗД на биаксах. С 2 ил.14822 Сос Тех витель Ю,Розенталд М,Дидык Редакто Корректор М.Демч атруше Заказ 3665/48 Подписное 1 омитета СССР открь ая на 4/ водственно-полиграфическое предприятие роектная, 4 жгород,Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении долговременных запоминающих устройств на би 5аксах.Цель изобретения - расширениеобласти применения способа путем выборки запоминающих элементов в накопителях системы ЗД. 10На фиг. 1 изображена схема прошивки биаксов в накопителе; на фиг.2временная диаграмма токов.В соответствии с предложенным способом выборку запоминающего элемен" ,15та в накопителе на...
Способ прошивки двухслойной запоминающей матрицы на биаксах
Номер патента: 1443028
Опубликовано: 07.12.1988
МПК: G11C 5/12
Метки: биаксах, двухслойной, запоминающей, матрицы, прошивки
...4 досоосного расположения отверстий 5биаксов нижних слоев б нечетныхстолбцов и верхних слоев 7 четныхстолбцов. Прошивают соосно расположенные отверстия 5 проводом 8 считывания в прямом направлении, обеспечивая запас провода 9 для прошивкибиаксов в обратном направлении, Далее с одного конца ряда провод фиксируют на валике 10 в месте выхода его из отверстия биакса, а с другого конца провода обеспечивают натяжение в осевом направлении, например, с помощью противовеса 11, перекинутого через блок 12 (фиг.1). Затем производят поочередное смещение четных столбцов 3 со стороны зафиксированного конца провода до соосного.расположения оставшихся не прошитыми отверстий биаксов (фиг,2 и 3). После этого провод огибают вокруг валика 10 и прошивают...