Патенты с меткой «высокочистых»

Номер патента: 203337

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Мараев, Меркулов, Яковлев

МПК: G01N 29/20

Метки: высокочистых, металлах, примесей, содержания, ультразвуковой

...дислокаций ,. В кубическом кристалле для приб 2 лиженной оценки можно принять И.у 3. При плотностях дислокаций порядка 10 з и ниже, получающихся в процессе зонной очистки алюминия, первым членом в формуле (3) можно пренебречь и(5)А,Таким образом, измерив частоту максимума ультразвукового поглощения и зная коэффициент А; (постоянный для данного материала), из формулы (5) легко определить суммарную концентрацию примесей. Важным преимуществом ультразвукового способа контроля чистоты является то, что его чувствительность возрастает при уменьшений содержания примесей. Поэтому он оказывается наиболее эффективным именно в области малых концентраций примесей, гдедругие способы анализа очень сложны и малонадежны, Для сильно загрязненного...

Номер патента: 409131

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: G01N 33/20

Метки: высокочистых, г5ах, гле, ентраци, конь, примрсгй, сплавах, тлл

...и/) Зс. 111)1 сгм 01)с сН 1:)Г 3 О жд 1(тси и (0ст 3(ии 01 Ча( ТОТ,:сВИС ЯИс,: Т ГГ )ЗМ( )В И,11С 1)3 И ;11;.,.ГИ:51 ПРОВОДЯТ СЛСДСОпИ ООРс);3 Л.В; агревсТсгВио устройстве доводят тс.1 сра"." р, медноо Образца до 200"С, измеряют логаоифмичсский дскремент при времени, павиям О, а затем через каждые 2 )игн, В теЗи(, Всего процесса в образце поддерживают (,И)т Хс(;(ПИС КОГЕОВНП 51 Г а.ПГитуДО Ис) Г )ОВ) Ис " ВЛ с 1 .)Л Т )ДИОЙ 3 аГПСИ ЪОСТИ Вп("- ,)Г. 0 ТРСН 31, 1 с(ЗИОГТЬ;С)1,1 В,"Лп 1 И 11: Зо дскрсмгита:ри замерах через каждыеЗаказ 1670 Изд, Мз 1146 Тираж 755 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж-Зб, Раушская наб., д. 4/5Череповецкая городская типография 2...

Номер патента: 382514

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: B28B 21/00

Метки: высокочистых, изготовлеиия, огнеупорныхи, окислов, тугоплавких

...инуюсторону по сюиту 20 цлц 21 и направляющей26 или 27 приводит к такому же 11 е 1)еиссцссци 1 о25 всей системы: гайка 25 - плита 12 - цапфа 29 -горелка 14.Исходный материал равномерно подаетсяцз буцксров 80 дозцрующцмц устройствами 81в вороцкц 82, герметично соединенные с го 30 релкамц И ц 15,3Бункера с дозирующими устройствами синхронно перемещаются с горелками 14 и 15 в поперечном и продольном направлениях па шариковых опорах 33 относительно кронштейнов 34 и направляющих 35, укрепленных на этом кронштейне.Кронштейны 34 поворачиваются относительно неподвижных стоек 36 (условно развернутых на 90), которые укреплены на кронштейне 2. Винтами 37, опирающимися на шарики 38 и ввернутыми в гайку 39 кронштейна 34, изменяют высоту...

Номер патента: 653243

Опубликовано: 25.03.1979

Авторы: Косенков, Широков

МПК: C07C 7/04

Метки: выделения, высокочистых, газовых, пропилена, смесей, этилена

...проводят при 52-60 С.Отличительными признаками способа являются проведение процесса выделения целевых продуктов путем деметанизации предварительно очищенного от ацэтиленистых продуктов сырья, ректификации продуктов после стадии деметанизации, последующее последовательное выделение иэ продуктов ректификации этапа и пропилена, а татцке проведение процесса ректификации в вышеописанных условиях, Выделение этилена проводится при температуре достаточно низкой, чтобы полностью исключить побочную реакцию полимериэации этилена. Полностью исключаются операции выделения этан-этиле653243 Продолжение табл. 3. верхнейи ("16:) рошенне16 С) с вес.% к 29 134 1 2 256 3,41 10 70 0,93. 0,7 00 00,0 1199 0 7497 100,0 95 общ.вин " 1бакр,мын 5-,33 б;...

Номер патента: 740814

Опубликовано: 15.06.1980

Авторы: Борисова, Зубарева, Фрид

МПК: C10G 43/04

Метки: высокочистых, жидких, нормального, парафинов, строения

...парафинами продувают от неадсорбированного сырья, Затем цеолит иэ адсорбера 4 транспортируют н десорбер 11, где происходит вытеснение параФинов водяным паром. Водяной пар по линии 12 подают в печь 13, нагренают и разделяют на 2 потока; первый направляют на десорбцию парафинов стадии их выделения в десорбер 11, второй на стадию очистки.После десорбции в десорбере 11цеолит отдувают от водяного пара продувочным газом, поступающим иэ печи 13, и возвращают цеолит в адсорбер 4.Поток Н -парафинов вместе с водяным паром и продувочным газом ныводят из десорбера 11 по линии 14,охлаждают в теплообменнике 15, затемв холодильнике 16 и разделяют в газо- сепараторе 17. Газ по линии 9 направляют на прием компрессора 10. Нормальные парафины насосом...

Номер патента: 1019309

Опубликовано: 23.05.1983

Авторы: Глазман, Левин, Новиков, Проскурин

МПК: G01N 29/00

Метки: высокочистых, концентрации, металлах, примесей, ультразвуковой

...параметра выбирают изменение скорости ультразвука фиксированной частоты в процессе нагружения,Способ осуществляется следующим об разом.40Предварительно отожженный образец из контролируемого металла прозвучивают ультразвуковыми колебаниями фиксированной частоты и регистрируют скорость их распространения в образце. Измерения проводят с помощью стандартной ультразву ковой аппаратуры, включающей генератор радиоимпульсов, пьезопреобразователи, приемник радиоимпульсов, регистратор. Од.новременно с прозвучиванием образец подвергают ступенчатому механическому нагружению, которое вызывает скачкообразное уменьшение скорости ультразвука до величины Ч за счет отрыва дислокационных петель от точечных дефектов и увеличение длины петель 1. до...

Номер патента: 1320745

Опубликовано: 30.06.1987

Авторы: Выбойщик, Кришталь, Мерсон

МПК: G01N 33/20

Метки: высокочистых, концентрации, металлах, примесей

...длины дислокации. Поскольку число точек закрепления определенным образом зависит от концентрации примесных атомов в области дислокации, то между указанной концентрацией и мощностью сигналов акустической эмиссии должна существовать строгая закономерность. Однако концентрация примесей в области дислокации определяется энергией связи примесный атом - дислокация, и, в общем случае, для различных примесей неодинакова, поэтому для уравнивания концентраций примесных атомов в объеме кристалла и в области дислокации предлагается образцы исследуемого металла закалять.Изобретение иллюстрируется следующим примером.Требуется определить концентрацию примесей в высокочистой меди. 2Для этого из указанной меди изготавливают образцы диаметром 4 мм и...

Номер патента: 1562799

Опубликовано: 07.05.1990

Авторы: Гордеев, Гришнова, Моисеев, Салганский, Шишов

МПК: G01N 21/67

Метки: алкильных, анализа, высокочистых, группы, металлов, соединений

...охлаждения. Углеводороды через патрубок 11 удалялись из зоны реакции. Поскольку упру."5 1562799 6 гость пара примесных металлов значи- вестным, следует, что содержа ние алютегьно ниже, чем у цинка, они кон- миния и магния, определяемых предла-". центрировались на графитовом коллек- гаемым способом, в 1 О раз превышает торе 12. После отгонки через деструк- концентрацию тех же примесей, опретор-концентратор 1 г диэтилцинка кон деленных известным способом. Анализ центраты примесей из ампул 1 и 4, по- известным способом дает заниженные лученные в результате двухстадийно- результаты по содержанию примесей го концентрирования, извлекали и ана- алюминия и магния в образце диметиллизировали атомно-эмиссионным мето" кадмия. Пределы обнаружения...

Номер патента: 1575379

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Аглиулов, Варгин, Девятых, Качемцев, Логинов, Мурский, Родченков

МПК: B01D 3/00, B01D 5/00

Метки: веществ, высокочистых, расфасовки

...в контейнере,Способ обеспечивает снижение загрязнения высокочистых веществ приих хранении и транспортировке в контейнерах,Способ расФасовки высокочистыхвеществ, включающий подсоединениеконтейнера для хранения и транспортировки веществ и резервуара с очищаемым веществом к технологическойсхеме ректификационной колонны, подачу в контейнер из колонны пара высокочистого вещества, промывку контейнера конденсатом очищаемого вещества и последующее заполнение контейнера веществом, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью снижения з грязнения вещества, резервуар с очищаемым веществом и контейнер подсоединяют к средней части ректиФикационной колонны, промывку контейнераосуществляют частью парового потока,составляющей 20-404 от...

Номер патента: 1757964

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Дымковец, Ивко, Космачев, Кулинич, Плотник, Ребров, Цветков

МПК: B65D 85/84

Метки: агрессивных, высокочистых, жидкостей, контейнер, транспортирования

...ограничениявыполняются одезическими линиями наружного профиля 10 йри соотноиейии высот буртов:и выстуйа в внутреннего резервуара и снабжены укреп- .соответствии с вышеприведенной формулой, ленными в торцевой частикаждого ложе-для использованиякоторой предварительно мента кольцевыми слоями стеклоленты 17. определяется величиназазорамежду вйстуНа уровне размещения одного (верхнегб) пом и кольцевым фланцем без:выступа. слоя ленточного армирования укреплены 15 Порядок расчета фланцевыхзатворовкольцевые слои тканеваго наполнителя 18 . контейнера выглядитсдедующйм образом. по всей длине стенки внутреннЕго резерву- рассчитать макСймальный допустимый уго ара, .: ";, . " ;,:,;:.,:".:.: поворота йринагру)кенийкольцевых фланТаким образом, стенки...

Номер патента: 1763307

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Галимов, Лобанов, Миденко, Ненашев, Попов, Шестакова

МПК: B65D 13/02, B65D 17/00, B65D 85/00 ...

Метки: веществ, высокочистых, контейнер, образцов, твердых

...виде 50 кусочков или порошка, т.к. осколки ампулы могут затеряться среди порошка или кусочков вещества.Целью настоящего изобретения является снижение загрязнения образцов при 55 транспортировании и вскрытии ампулы,Поставленная цель достигается тем, что в известную конструкцию контейнера, представляющую собой ампулу, выполненную с возможностью герметичной запайки, и гичные недостатки присущи упаковке высо- . 10 размещенную в ней вставку, помещен стакан для образцов, расположенный подвставкой и имеющий свободно установленную крышку. Контейнер дополнительноснабжен прижимным вкладышем, установленным в стакане с воэможностью контактирования с крышкой.На фиг. 1 изображена конструкция контейнера:1. - высокочистое вещество;2. - стакан;3. -...