Устройство управления силовым транзистором

(53) 621.382 (088.8 орское свидетельство ССкл. Н 03 К 17/60, 198 ское свидетельство СССР 5, кл. Н 02 И 3/335, 19(56) Ав Р 93067Авто Р 10262 ТРОЙСТВО УПРАВЛТОРОИобретениечастностия силовыми ШЯ СИЛОВЫМ(54) УС ТРАНЗИС (57) Из нике, в равлени относится к зл к устройствам транзисторами ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ РНКТ Сои ботакнцими в преобразователях вторичных источников питания. Цель изобре-, тения - увеличение надежности и КПД. устройство содержит силовой транзистор 1, отпирающий и запирающий транзисторы 2 и 3, управляющий трансформатор 4, конденсаторы 7, 8, источник постоянного напряжения с выводами 9, 10 и 11, средним и крайними соответственно, Особенности включения отпираюцего и запирающего транзисторов 2 и 3 и их соединения с силовым транзистором 1 и элементами схемы позволяют снизить время рассасывания носителей силового транзистора 1 и сократить потери в устройстве. 1 ил.16 51366 прямого эмиттерного тока транзистора .1 и вытесняет его в базовую цель. Сэтого момента начинается уменьшениепрямого эмиттерного тока и к моментурассасывания носителей обратное сопротивление перехода эмиттер - базавосстанавливается и ток разряда конденсатора уменьшается. Таким образом,время рассасывания носителей силового транзистора 1 определяется временем включения высокочастотного транзистора 3 и временем восстановленияобратного сопротивления диода 5. Таккак уменьшается время рассасыванияносителей силового транзистора 1,тоувеличивается КПД и надежность устройства. 51015 Формула и з обр ет ения 20 Составитель Л.БагянТехред Л, Сердюкова Редактор Г,Папп Корректор Н.Ревская. Заказ 1610 Тираж 480 . ПодписноеВЧИИПИ Государственного комитетз по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.Ужгород, ул. Гагарина,101 Изобретение относится к областиэлектроники, в частности к устройствам управления ключевыми элементами,работающими в преобразователях вторичных источников питания.Цель изобретения - увеличение надежности и К 1 ЩеНа чертеже представлена принципиальная электрическая схема предлагаемого устройства.Устройство содержит силовой тран, зистор 1, отпирающий и запирающий .транзисторы 2 и 3 соответственно, управляющни трансформатор 4, диод 5,резистор 6 и два конденсатора 7 и 8 .Первые обкладки конденсаторов 7 и8 подключены к среднему выводу 9 источника постоянного напряжения, край, ние выводы 10 и 11 которого соедине.ны с вторыми обкладками конденсаторов7 и 8 Эмиттер отпирающего транзистора 2 соединен с вторым выводом выходной обмотки управляющего трансформатора 4 и второй обкладкой конденсатора 7, а коллектор отпирающего транзистора 2 соединен с базой запирающего транзистора 3 и через обратновключенный диод 5 с эмиттерами транзисторов 3 и 1.При подаче напряжения управленияот широтно-импульсного модулятооа на, база - эмиттер транзистора 2 последний;открывается, конденсатор 7 разряжается через база-эмиттерную цепь силового транзистора 1, диод 5 и коллектор - эмиттер транзистора 2. Транзистор 3 в это время закрыт. После ,окончания отпирающего импульса управления транзистор 2 закрывается, отрицательное напряжение на базе транзистора 3 изменяется на положительное и транзистор 3 открывается, давая путь разрядному току конденсатора 8 через эмиттер - база силового транзистора 1.Приложенное напряжение конденсатора 8 к цепи эмиттер - база силового транзистора 1 закрывает переход для Устройство управления силовымтранзистором, содержащее отпирающийтранзистор, база которого подключенак первому выводу выходной обмоткиуправляющего трансформатора, запирающий транзистор, база которого соединена с первым выводом резистора, дваконденсатора, первые обкладки которыхподключены к среднему выводу источника постоянного напряжения, крайниевыводы которого соединены с вторымиобкладками соответствующих конденсаторов,и диод, о т л и ч.а ю ц е е с ятем, что, с целью увеличения надежности и К 1 Щ, эмиттер отпирающего транзистора соединен с вторым выводом выходной обмотки управляющего трансформатора и второй обкладкой первого 40 конденсатора, коллектор отпирающеготранзистора соединен с базой запирающего транзистора и через обратновклю.ченныйдиод с его эмиттероми эмиттеромсилового транзистора, база которого под 45,ключ ена к среднему выводу источника по-1 стоянного напряжения, а вторая обкладкавторого конденсатора соединена с вторым выводом резистора и коллекторомзапирающего транзистора.