Устройство управления силовым транзистором

союз соВетскихСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 3 К 1 ТЕТРЫТИЯМ ГОСУДАРСТВЕННЫЙПО ИЗОБРЕТЕНИЯМПРИ ГКНТ СССР и ТЕНИ ИС ОП К 2 в- м уп О- ой инена с его рез резистор РСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ(71) Научно-исследовательский институттоматики и электромеханики при Томскинституте автоматизированных системравления и радиоэлектроники(56) Авторское свидетельство СССРМ 1550615, кл, Н 03 К 17/60, 1987,Патент Великобритании М 2180709,Н 03 К 17/60,(54) УСТРОЙСТВО УПРАВЛЕНИЯ СИЛВЫМ ТРАНЗИСТОРОМ(57) Изобретение относится к импульсн Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в преобразователях энергии. во вторичных источниках электропитания.Цель изобретения . - повышение надежности работы устройства путем подачи напряжения обратного смещения на базу силового транзистора с задержкой после снятйя напряжения прямого смещения.На чертеже приведена схема устройства,Схема содержит силовой транзистор 1, первый и второй транзисторы 2 и 3 прямой проводимости, первый-третий резисторы 4-6, диод 7, конденсатор 8, источники 9 и 10 положительного и отрйцательного напряжения, защитную ВСО-цепь 11,База транзистора 2 соедэмиттером и с источником 9 че Л 217500 технике и может быть использовано в преобразователях энергии, во вторичных источниках питания. Цель изобретения - повышение надежности работы, Оно содержит два транзистора прямой проводимости, три резистора, причем база первого транзистора к его эмиттеру и полюсу источника питания через первый резистор, а коллектор соединен через второй резистор с базой силового транзистора и эмиттером второго транзистора, база которого соединена с его коллектором и минусом источника питания через третий резистор, Дополнительно включены параллельно второму резистору диод и конденсатор, совместная точка соединения которых подключена к базе второго транзистора. 1 ил. 4, а его коллектор соединен через резистор 5 с базой транзистора 1 и с эмиттером транзистора 3, база которого соединена с его коллектором и с источником 10 через резистор 6.Параллельно резистору 5 включены диод 7 и конденсатор 8, совместная точка соединения которых подключена к базе транзистора 3,Устройство работает следующим образом,Когда на выходе транзистора 2 низкий уровень сигнала, он и транзистор 1 открыты. В этом случае конденсатор 8 заряжен, При повышении уровня входного сигнала тран-. зистор 2 запирается и ток базы транзистора 1 прекращается, транзистор 1 выходит из режима насыщения, а эмиттерный ток (ток нагрузки) уменьшается,1750049 Составитель Л.СкобелеваРедактор С.Патрушева Техред М,Моргентал Корректор Э,Лонча аз 2604Тираж ПодписноеОИИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 КНТ СССР Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород. ул,Гагарина,После запирания транзистора 2 конденсатор 8 разряжается по цепи: резистор 6, источник 10, переход эмиттер-база транзистора 1. При заданной величине сопрогивления резистора 6 постоянная разряда конденсатора определяется величиной его емкости. В этом случае он заряжается практически мгновенно через диод 7, что необходимо, так как транзисторы 2 и 1 по условиям работы могут быть открыты и на непродолжительное, короткое время (миллисекунды), При этом величина сопротивления резистора 6 относительно большая по сравнению с величиной резистора 5, а поэтому разрядный ток конденсатора 8 практически не сказывается на процессе рассасывания избыточных зарядов транзистора 1 и он не запирается от этого тока,После разряда конденсатора эмиттерный переход транзистора 3 смещается в прямом найравлении, он открывается, а через эмиттерный переход транзистора 1 от источника 10 кратковременно потечет ток в обратном направлении, прикотором интенсивно рассасывается избыточный заряд в базе силового транзистора, после чего переход смещается в обратном направлении до того, как коллекторное напряжение на транзисторе достигнет максимального значения. Предложенное устройство имеет большую надежность за счет расширения области безопасной работы силовоготранзистора, благодаря уменьшению его5 эмиттерного тока от момента времениуменьшения базового тока до нуля и до момента времени подачи напряжения обратного смещения на базу силовоготранзистора, что повышает его стойкость к10 вторичному пробою,Формула изобретенияУстройствр управления силовым транзистором, содержащее первый и второйтранзисторы, причем база первого транзи 15 стара через первый резистор соединена сэмиттером и плюсом источника питания, аколлектор соединен через второй резисторс базой силового транзистора и с эмиттеромвторого транзистора, база которого соеди 20 нена с его коллектором и минусом источника питания через третий резистор, о т л ич а ю щ е е с я тем, что. с целью увеличениянадежности в работе, введена цепочка последовательно соединенных диода и кон 25 денсатора, анод диода подключен кпервому выводу второго резистора, второйвь 1 вод которого подключен к первой обкладке конденсатора, точка соединения катодадиода и второй обкладки конденсатора под 30 ключена к базе второго транзистора,