Патенты с меткой «профилированных»

Номер патента: 2000191

Опубликовано: 07.09.1993

Авторы: Саражин, Середин

МПК: B23Q 41/00

Метки: линия, поточная, производства, профилированных

...конструкции (например ЦКБ). Станок 6 для односторонней обрдботки также может быть использован любой типовой конструкции, позволяюгцей осуществить обработку одной стороны заготовки.Станок 8 для выборки базовых поверхностей содержит основание 23, нд котором установлена с возможностью продольного перемещения каретка 24 (фиг.2, 3). Этд каретка (фиг.З) перемещается с помощью пр- вода 25 электродвигатель, редуктс р соответствующая кинематическая передача) по калиброванной направляющей 6 несет закрепленные на гебе эджимные устройства 27 и 28, поддерживающие заготовку 29, Зажимные устройства 27 и 28 выполнены самоустанавливдющимся на поверхности заготовки 29, чтобы в процессе выборки базовых поверхностей не изменять естественную форму...

Номер патента: 2001752

Опубликовано: 30.10.1993

Автор: Бирюков

МПК: B27N 5/02

Метки: прессованных, профилированных

...с пустотообраэевателем и привод в виде гидроцилиндров, отличающееся тем, что, с целью увеличения производительности и повышения качества путем исключения холостого хода и запрессовки порций, оно снабжено размещенными зеркально относительно вертикальной плоскости устройства и перпендикулярно оси толкателя дополнительными корпусом, загрузочным бункером и толкателем с пустотоообразователем, а также приспособлением противораспресплечи рычаги 19, а нижние выступы 13 с опорными выступами 16 через тяги 20. На нижних сторонах основного 1 и дополнительного 9 корпусов выполнены прорези 21 5 для заслонок 18.Основной 4 и дополнительный 14 толкатели выполнены на нижних их сторонах 22 с поперечными установочными пазами 23. 10 В загрузочный бункер...

Номер патента: 1313027

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Андреев, Литвинов, Пищик

МПК: C30B 15/34

Метки: внутренней, выращивания, кристаллов, полостью, профилированных

...затягивается в кдпиппярный эдзар 11 между перфорираззанныл 111 кольцам 10 и кольцом 7формообразоодтеля 3. Полость 6 оказываетСЯ ИЗОПИЗОВД Н НОЙ ПЗ 1 ПО 1 лГЗЩИ ТаКОГ 0 ЖИД костного затвора, по мере роста изделия давление о ней падает, Перепад наружного и внутреннего давления приводит к изменению формы вплоть до полного здхлспывания полосги 6, после чего кольцо 10 пооорачиодется таким образом. чтобы отверстия 9 совпадали с перфорацией 12, Открыва,отся отверстия 9, при этом жидкостный затвор перестает действовать. и процесс выращивания повторяется П р и м е р. Выращивают монокристаллические пробирки из корунда наружного диаметра 8 мм, внутреннего 5 мм, длиной 40 мм, Для получения изделий используют молибденовый тигель диаметром 80 мм ц...

Номер патента: 1403684

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Вольф, Генис, Рейн, Свистунов

МПК: D01D 5/04

Метки: нитей, полимера, профилированных, процессом, расплава, формования

...условиях.Причем при каждой конкретной скорости обдува изменение количества об 20 дувочного воздуха приводит к вполнеопределенному изменению коэффициентамодификации В/ поперечного сечения сформованного волокна. Так, например, увеличение количества обдувочного воздуха на 50м /ч при поперечной оптимальной скоростиобдува 0,4 м/с увеличивает Ю на 0,1. Такимобразом, струи расплава 4, выходящие изпрофилированных отверстий фильеры 2, охлаждаются с заданной интенсивностью, вы 30 тягиоаютсл дутьеоым устройством 7 впрофилированные нити 8 с В/э, которые раскладываются в холст 9 волокнистого нетканого материала по поверхности 10приемного устройстоа 11.П р и м е р 1 Требуется получить холстволокнистого нетканого материала из полипропиленовых нитей...

Номер патента: 1284281

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Бутинев, Литвинов, Пищик

МПК: C30B 15/34

Метки: выращивания, корунда, кристаллов, профилированных

...соображенийвысота Ь равна 0,150радиус а плоского сечения сегмента раРк - 2 Ьвен, где Ь - ширина капиллярного2канала;2 + Ь 2радиус шара г равенУстройство работает следующим образом,Тигель 1 нагревают до температуры плавления сырья 2050 С, На затравку выращивают кристалл 6,П р и м е р, Выращивание моноблока изсапфира диаметром 14 мм.В тигель 1, выполненный из молибденадиаметр тигля 80 мм, высота 80 мм), поме щают исходное сырье в виде отходов корунда Вернейлевского производства, На верхний торец пучка капилляров 2 помещают капиллярный формообразователь в сборе, элементы которого изготовлены из 10 молибдена, Диаметр наружной обечайки 3равен 14 мм. Внутренний элемент 4 капиллярного формообразователя выполняется в виде шарового сегмента...

Номер патента: 1048859

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Андреев, Литвинов, Пищик

МПК: C30B 15/34, C30B 29/20

Метки: выращивании, затравливания, монокристаллов, профилированных

...АИГ. Данные для. ная ( . 0,5 мм). Поэтому коэффициент расчета шаблонов приведены:в табл.З.уменьшения зазора выбран в данном сЛучае. 20: Расчетные. шаблоны .равным 0,75. Первичные операции выполне- й 1 = 4;41 мм., Ь 2 =. 2,1 мм, Ьз - 1 О 0,51 мм.ны как в примере 1 Данные для расчета. В табл.4 приведены сопоставительныешаблонов приведены в табл,2. данные способов затравливания при выраДалее процесс ведут. аналогично приме- щивании сапфироаых труб диаметром 8,8ру 1. Данйый пример отличается от пред мм,ыдущего величиной коэффициентаДанные табл,4 показьгвают, что предлолинейного расширения затравочного кри-:женный способ обеспечивает упрощениесталла и характером егожбработки; йрбцесса затравливания и повышает выходПоскольку элементы...

Номер патента: 1131259

Опубликовано: 30.01.1994

Авторы: Андреев, Литвинов, Пищик

МПК: C30B 15/34

Метки: выращивания, кристаллов, профилированных

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ПРОФИЛИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ путем вытягивания кристалла на затравку из расплава, подаваемого через систему капилляров и формообразующий элемент при контроле процесса по толщине слоя расплава с регулировкой мощности нагрева, отличающийся тем, что, с целью улучщения качества кристаллов, между системой капилляров и формообразующим элементом создают демпферный слой расплава и контроль процесса ведут по его толщине.

Номер патента: 1591537

Опубликовано: 15.03.1994

Авторы: Литвинов, Пищик, Пузиков

МПК: C30B 15/34

Метки: выращивания, монокристаллов, профилированных

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ ПРОФИЛИРОВАННЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ, включающее камеру роста, тигель для расплава с установленным в нем формообразователем в виде закрепленной на основании насадки, соединенной с вертикальным капиллярным каналом и имеющей на поверхности канавки, и затравкодержатель с затравкой, отличающееся тем, что, с целью увеличения прочностных и оптических характеристик монокристаллов в виде изделий неправильной геометрической формы с удлиненными выступами, насадка имеет выступы, канавки расположены в каждом из выступов в направлении их наибольшей длины и выполнены несквозными.

Номер патента: 1503355

Опубликовано: 30.03.1994

Авторы: Литвинов, Пищик

МПК: C30B 15/34, C30B 29/20

Метки: выращивании, затравления, корунда, методом, монокристаллов, профилированных, степанова

СПОСОБ ЗАТРАВЛЕНИЯ ПРИ ВЫРАЩИВАНИИ ПРОФИЛИРОВАННЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ КОРУНДА МЕТОДОМ СТЕПАНОВА , включающий нагpев pасплава в тигле с фоpмообpазованием, пpиведение установленной над ним на кpисталлодеpжателе затpавки в контакт с pасплавом на тоpце фоpмообpазователя и последующее выpащивание кpисталлов, отличающийся тем, что, с целью повышения стpуктуpного совеpшенства кpисталлов и снижения тpудозатpат, затpавочный кpисталл беpут в виде плоского элемента, а кpисталлодеpжатель - из того же матеpиала и той же оpиентации, что и затpавка, и пеpед затpавлением пpоводят их соединение путем пpиложения сжимающей осевой нагpузки к кpисталлодеpжателю, контактиpующему с затpавкой, pазмещенной на тоpце фоpмообpазователя, пpи 1500 - 1950oС,...

Номер патента: 1466132

Опубликовано: 15.12.1994

Авторы: Лазариди, Миллер, Нестеренко

МПК: B23K 20/08

Метки: биметаллических, взрывом, корпусов, профилированных

1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВЗРЫВОМ БИМЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПРОФИЛИРОВАННЫХ КОРПУСОВ установок для плазменных исследований, преимущественно сталемедных, включающий сборку составной заготовки из плакируемого и плакирующих слоев, ее деормацию энергией взрыва и предварительную штамповку, термообработку полученного полуфабриката и окончательную штамповку, отличающийся тем, что, с целью повышения качества корпусов за счет повышения прочности соединения слоев и равномерной толщины плакирующего слоя, до сборки составной заготовки производят предварительную осадку плакируемой заготовки на оправку энергией взрыва, удаляют оправку, термообрабатывают осаженную заготовку, протачивают плакирующую заготовку до требуемой начальной разнотолщинности, производят сборку...

Номер патента: 1630121

Опубликовано: 09.08.1995

Авторы: Блудов, Коротков

МПК: B21D 22/10

Метки: листа, п-образного, профилированных, сечения

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПРОФИЛИРОВАННЫХ ИЗДЕЛИЙ П-ОБРАЗНОГО СЕЧЕНИЯ ИЗ ЛИСТА с криволинейным в продольном направлении контуром путем гибки-формовки бортов эластичной средой, отличающийся тем, что, с целью повышения качества за счет исключения складкообразования при получении изделий с увеличенной высотой бортов, гибку-формовку бортов эластичной средой выполняют в два перехода, при этом на первом переходе отгибают краевые участки в противоположном по отношению к направлению бортов изделия направлении, выполняют эквидистантные отогнутым краевым участком рифты и гнут угловые части профиля, а на втором переходе выполняют разглаживание рифтов с разворотом краевых участков на 180o.

Номер патента: 1820638

Опубликовано: 27.10.1996

Авторы: Корчунов, Костыгов, Пеллер

МПК: C30B 15/34

Метки: кристаллических, непрерывного, профилированных, расплава

...на вытягивание - в определенный период времени с постоянным отношением упомянутых скоростей.Для повышения стабильности процесса с улучшенным качеством изделий и увеличением выхода годных за счет этого согласноп, 6 формулы изобретения в течение процесса поддерживают постоянной результирующую скорость Чр получения изделия (фиг. 1). При этом в случае выращивания участков изделия с прямолинейным продольным профилем скорости движения столба расплава в горизонтальной плоскости и перемещения затравки также поддерживают постоянными, при получении участков изделия с криволинейным продольным профилем обе указанные скорости изменяют по определенному закону, сохраняя постоянной Чр. Так при получении участка изделия, продольный профиль...

Номер патента: 1342056

Опубликовано: 10.12.1996

Авторы: Бредихин, Быстров, Ершов, Кацман, Лавров

МПК: C30B 7/00

Метки: выращивания, кристаллов, профилированных, раствора

1. Устройство для выращивания профилированных кристаллов из раствора, содержащее герметичный кристаллизатор с крышкой, установленную внутри него камеру роста с затравочным кристаллом, погружной насос, имеющий выходное сопло, направленное на растущий кристалл, и жестко связанный с приводом, установленным на крышке, и нагреватель, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности, устройства и качества кристалла, устройство снабжено механизмами перемещения насоса и вертикального перемещения камеры роста, соединенными с индуктивными приводами, размещенными на крышке, датчиком роста кристалла, электрически связанным с приводом перемещения камеры, а выходное отверстие сопла выполнено в виде щели.2. Устройство по п. 1,...

Номер патента: 1513792

Опубликовано: 20.07.2006

Авторы: Бабенков, Блинов, Вакуленко, Гудимов, Ефремов, Жульков, Зимин, Осипов, Сентюрин, Стрельникова, Сытый

МПК: B29C 51/10, C08G 73/10

Метки: мембран, полиимидных, профилированных

Способ получения профилированных полиимидных мембран, включающий прижатие полиимидной пленки к форме по периферии, радиационный нагрев, вакуумирование и снятие отформованной мембраны с формы, отличающийся тем, что, с целью обеспечения стабильной формоустойчивости мембран в процессе эксплуатации, перед радиационным нагревом проводят обдув пленки со стороны, обращенной к форме, при 300-320°C в течение 10-30 с путем кондуктивного подвода тепла к форме, радиационный нагрев осуществляют до 340-355°C в течение 40-75 с и вакуумирование осуществляют с одновременным охлаждением до 300-320°C в течение 60-100 с.