Неразрушающий способ измерения толщины диэлектрических материалов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
нн 590652 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕИМЯ Света Советека Соииалистичееиии Реелублик(23) Приоритет 1) М. Кл.з 6 01 Ж Государственный комитет Совета Министров СССР ло делам изобретенийи открытий) Опублико опубликования описания 01.02) НЕРАЗРУШАЮЩИЙ СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ДИЗД ЕКГР ИЧ ЕСК ИХ МАТЕРИАЛОВ ЛЩИНЫ еляю ипор толщиДляматери 5 ным сэлектр ческим поверх риала 0 азности ну дпэл измере ала по пособом 1 ческог и пласт ности, и с пласт е и омете иа -- (1)4 )/ -ср (Л Л) 4 т -срЛ Й, - толщина диэлектрическогориала с пластинами;С - скорость распространения электромагнитных колебаний в свободном пространстве;сор - средняя диэлектрическая проницаемость пластин и измеряемогоматериала;- частоты, соответствующие соседним экстремальным значениямкоэффициента отражения суммарного слоя. мате 25Затем кую пласт при облучной диэлс 30 где з и .,дпэлек ащенне терпала й Ла - вующие снимают верхшою;ну и измеряют приренпп позерхности матрпческой пластино- частоты, соответст аст Изобретение относится к радиотехникможет использоваться для измерения герических размеров диэлектрических мат рлов.Известен неразрушающий способ измерения толщины диэлектрических материалов,заключающийся в определении приращениячастот облучающих сверхвысокочастотных колебаний между двумя соседними экстремальными значениями коэффициента отраженияот диэлектрического материала 1.Однако способ не позволяет получить абсолютного значения толщины диэлектрического материала, так как результат измерениязависит от диэлектрических параметров материала,Цель изобретения - исключение влияниядиэлектрических параметров материала нарезультат измерения.Для этого при использовании неразрушающего способа измерения толщины диэлектрических материалов, заключающегося в определении приращения частот облучаюнтихсверхвысокочастотных колебаний между двумя соседними экстремальными значениямикоэффициента отражения от диэлектрического материала, производят два измерения приращения частот - одно через две установлснные на поверхности диэлектрика диэлектрические пластины, другое - через одну из них,приращении частот опред тектрического материала,ння толщины диэлектрическогопредложенному способу обычизмеряют общую толщину дно материала с двумя диэлектриннамн, расположенными на егори этом общая толщина мате1 нами составляетРедактор Н, Суханова Корректор Л, Денискина Заказ 3259/12 Изд.181 Тираж 1,109 НПО Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб. д. 4/5Подписное Типография, пр. Сапунова, 2 иим экстремальным значениям коэффициента отражения.При этом толщина диэлектрического материала с одной диэлектрической пластиной со- ставляет й,=й, - й4 ф асср(Уз - Л)(2)где ЛЙ - толщина одной диэлектрической пластины.Решая уравнения 1 и 2 относительно /еср, находят толщину диэлектрика с двумя пла- стинами Из выражения 3 видно, что расположение на поверхности материала двух диэлектрических пластин с одинаковыми диэлектрическими параметрами и размерами и измерение частоты между двумя соседними экстремальными значениями коэффициента отражения через две диэлектрические пластины и через одну из них исключает влияние диэлектрических параметров материала на результат измерения.При известной толщине диэлектрической пластины толщина диэлектрического материала, измеренного по предложенному способу, будет равна Н=Ь - 2 ЬЬ. Такой способ измерения толщины диэлектрических материалов позволяет исключить влияние диэлектрических параметров материала на результат измерения.5 Неразрушающий способ измерения толщины диэлектрических материалов, заключаю щийся в определении приращения частот облучающих сверхвысокочастотных колебаний между двумя соседними экстремальными значениями коэффициента отражения от диэлектрического материала, о т л и ч а ю щ и й ся тем, что, с целью исключения влияния диэлектрических параметров материала на результат измерения, производят два измерения приращения частот - одно через две установленные на поверхности диэлектрика ди электрические пластины, другое - через однуиз них, и по разности приращений частот определяют толщину диэлектрического материала. Источники информации,25 принятые во внимание при экспертизе1. Зубкович С. Г. Влияние шероховатостиграниц воздух-лед и лед-вода на эффективность радиотехнических интерференционных методов определения толщины льда. - Тру ды ААНИИ. (Радиофизические методы в исследованиях Северного Ледовитого океана и Антарктики), т. 284, 1968, с. 89.
СмотретьЗаявка
2398906, 20.08.1976
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Р-6303
КРЮЧКОВ ЮРИЙ НИКОЛАЕВИЧ, ЛЕПОРСКИЙ АЛЕКСАНДР НИКОЛАЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01N 23/24
Метки: диэлектрических, неразрушающий, толщины
Опубликовано: 30.01.1978
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-590652-nerazrushayushhijj-sposob-izmereniya-tolshhiny-diehlektricheskikh-materialov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Неразрушающий способ измерения толщины диэлектрических материалов</a>
Предыдущий патент: Способ спектрофотометрического определения вольфрама у1
Следующий патент: Структуроскоп
Случайный патент: Способ разделения суспензии