Патенты с меткой «магнитооптический»

Номер патента: 1783578

Опубликовано: 23.12.1992

Авторы: Ахуткина, Балбашов, Дидосян, Лыков, Четкин

МПК: G11C 11/14

Метки: магнитооптический, транспарант, управляемый

...правляющей катушки, На противоположную сторону пластинб) эффект "накопления" деформации ДГ 55 ки ортоферрита 1 нане н рпри ее движении, э знацит, ир, з ацит, и уменьшение нальные шины записи 2 (столбцы) инадежности системы, удержания 3 (строки) информации, (Возв) наличие градиентного поля,оля, создаю- можно нанесение структуры шин и магнитовщего одиночную Д, приводящДГ, и иводящее к необхо- отдельно на кварцевые подложки с помещедимости корректировкректировки амплитуды нием пластинки ортоферрита между ними),Расстояние между строками равно периоду страйп-структуры ортоферрита. Стрелками указаны направления намагниченности в магнитах и доменах,На фиг. 2 изображена реальная структура полосовых доменов в пластинке ортоферрита иттрия...

Номер патента: 1793466

Опубликовано: 07.02.1993

Авторы: Богатов, Гресько, Коновалов, Красов, Малышев

МПК: G11B 13/04

Метки: информации, магнитооптический, носитель

...снижением давления от 50 МПа до О. Размеры полученной керамической мишени составляют; диаметр 50 мм, толщина 10 мм, 20 Распыление материала пленки проводят намодернизированной установке УВН 73-1,5- 4 М способом ВЧ-распыления. В качестве подложки поименяют стеклянную основу 1 с нанесенным на нее адгезионным слоем 2 25из кремния толщиной 35,45 нм. Режим напыления магнитооптической пленки следующий; рабочий газ - 50%-ная смесь аргона с кислородом, давление газа 4 10 Па, прикладываемое напряжение к основе, ус тановленной в зоне потока напыляемых атомов, составляет от 0 до 200 В относительно корпуса камеры, прикладываемое к мишени электрическое напряжение составляет 1 кВ относительно корпуса камеры, скорость распыления материала...

Номер патента: 1812465

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Коледов, Моносов, Перов, Сапронов, Тулайкова, Филиппов, Шавров

МПК: G01L 1/12, G01L 1/24, G01L 11/00 ...

Метки: давления, датчик, магнитооптический, цифровой

...зарождения обратно пропорциональна приложенному в этот момент упругому напряжению, Нэ основе этого можно описать изменения, происходящие в клиновидном образце, показанные на фиг.З.В начальный момент, при отсутствии напряжения, в пластине имеет место коттоновская доменная структура (а). При увеличении напряжения наступает момент, когда появляется первый фарадеевский домен (б). Его ширина приблизительно равна максимальной толщине клина. Дальнейшее увеличение напряжения влечет за собой уменьшение ширины первого домена и появление второго (в), ширина которого меньше ширины первого домена и равна толщине пластины в месте появления, Дальнейшее увеличение напряжения ведет к увеличению числа фарадеевских доменов и одновременно к уменьшению...

Номер патента: 1831669

Опубликовано: 30.07.1993

Авторы: Коледов, Моносов, Перов, Сапронов, Тулайкова, Филиппов, Шавров

МПК: G01L 11/00

Метки: давления, датчик, магнитооптический, цифровой

...способом приложения давления к подложке, т,е. площадью контакта между подложкой и объектом, оказывающим давление.П р и м е р, Чувствительный элемент выполнен в виде пластины железо-иттриевого граната, вырезанной в плоскости (1, 1, О) и "неоднородно" приклеенной к стеклянной подложке так, что направление от незакрепленного конца подложки к закрепленному совпадает с направлением кристаллографической оси(1, 1, 0. Размеры пластины; ширина - 2 мм, длина - 2 мм, толщина пластины - 50 мкм, Подложка закреплена одним концом и имеет: длину - 5 см, ширину - 2 см, толщину - 0,2 см. Пластина приклеена на расстоянии 2 см от места закрепления подложки, Коэффициент Пуас.сона стекла - 0,2, модуль Юнга - 5,6 10 бп/см . Давление оказывается путем...

Номер патента: 1836502

Опубликовано: 23.08.1993

Автор: Рандошкин

МПК: C30B 19/02, C30B 29/28

Метки: граната, доменсодержащий, магнитооптический, монокристалл, структурой

...что соответствует 3,25ц3,60, При х0,4 резко ухудшается магнитооптическая добротность монокристалла. При х2,3 не удается получить монокристалл достаточно высокого качества. При содержании висмута 0,4х = 2,3 в состав монокристалла необходимо вводить быстрорелаксирующие редкоземельные ионы с 0,7у2,7.Как следует иэ соотношения (1) и фиг, 1 в прототипе ууо, в то время как в заявляемом изобретении у у Быстродействие доменосодержащего монокристалла определяется скоростью насыщения при движении ДСч =(у/2 А/О) (2) где А - обменная константа, 0 - фактор качества, причем А и 0 должны иметь оптимальные значения. Как показывает опыт, для прототипа чБ10 м/с. Как следует из фиг. 2 при использовании заявляемого монокристалла можно получить ч )10...

Номер патента: 1457624

Опубликовано: 20.08.1996

Авторы: Демьянцева, Табарин

МПК: G02F 1/09

Метки: внутрирезонаторный, магнитооптический, модулятор

Внутрирезонаторный магнитооптический модулятор, содержащий установленные вдоль оптической оси резонатора лазера магнитооптическую ячейку и частичный поляризатор, а также устройство для создания магнитного поля, отличающийся тем, что, с целью уменьшения вносимых в резонатор лазера потерь, модулирующей мощности, габаритов, массы и стоимости модулятора, магнитооптическая ячейка содержит управляемый фарадеевский вращатель с замкнутым магнитопроводом, выполненный в виде диска из магнитооптически активного монокристалла толщинойгде F удельное фарадеевское вращение; k1 и k2 - коэффициенты наибольшего и наименьшего главного пропускания частичного...