Патенты с меткой «гальванопластического»

Страница 2

Способ изготовления матрицы для гальванопластического получения перфорированных изделий

Загрузка...

Номер патента: 1666582

Опубликовано: 30.07.1991

Авторы: Исаев, Посвольский, Пужливый

МПК: C25D 1/10

Метки: гальванопластического, матрицы, перфорированных

...наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород. ул, Гагарина, 101 методом фотолитографии фоторезистивнуюматрицу из фоторезиста марки СПФВЩ,. На матрицу наращивали изделие иэ сплаваникель-кобальт толщиной 200 мкм в сульфаматном электролите никелирования, Составэлектролита и режим осаждения были следующими:Сульфамат никеля 340 г/лСульфамат кобальта 10 г/лХлорид никеля 5 г/лБорная кислота 30 г/лЛаурилсульфат натрия 0,1 г/лТемпература 45 оСПлотность тока 1 - 2 А/дм2Из указанного электролита выращивают по фоторезистивным матрицам деталидвух типов: первая соответствует толщинеизготавливаемого изделия, вторая - в несколько раз толще в данном случае - 1 мм.Фоторезистивный слой удаляют химическим путем обработкой в ЗОВ-ном...

Способ изготовления матрицы для гальванопластического получения теплообменных систем

Загрузка...

Номер патента: 1768665

Опубликовано: 15.10.1992

Авторы: Говорова, Кочкин, Миловский, Нагирный, Приходько

МПК: C25D 1/08

Метки: гальванопластического, матрицы, систем, теплообменных

...матрицы для галь- Натрий серно-кислый 60 - 80 ванопластического получения теплообменКислота серная 25-35 ных систем, включающий закрепление при температуре . 18-25 С 45 алюминиевых трубок в соответствии с про- рН 5,2 - 5,8 филем теплообменной системы, о тл и ч а юплотности тока 0,8 - 1,0 А/дм щ и й с я тем, что, с целью упрощения в течение 25 - 30 ч. способа, алюминиевые трубки закрепляют с Активируют электрохимически в силь- двух сторон при помощи торцевых оправок нокислом электролите хлорида никеля. 50 и расстоянием между трубками 0,4 - 0,6 иЗаращивают матрицу-каркас никелем 0,3 - 0,5 мм соответственно для прямоугольиз электролита состава (г/л): ного и круглого сечения.Составитель В.НагирныйТехред М.Моргентал Корректор М.Керецман...

Способ изготовления матриц для гальванопластического формирования плоских сложнопрофилированных изделий

Загрузка...

Номер патента: 1810397

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Булгакова, Есин, Зуева, Калашников, Нестерова, Радковский, Розенштейн, Сацкая, Таранец, Треушников

МПК: C25D 1/10

Метки: гальванопластического, матриц, плоских, сложнопрофилированных, формирования

...нижнего слоя, наносили методом центрифугирования на металлическое основание из"0 нержавеющей стали 12 Х 18 Н 10 Т толщиной1 мм и сушили при температуре 50 С втечение 30 мин, Раствор ФПК, приготовленный для верхнего слоя наносили методомцентрифугирования на лавсан толщиной15 30 мкм и сушили при температуре 50 С в(валика) лавсановую пленку с нанесеннымслоем ФПК прикатывали на металлическоеоснование с нанесенным слоем ФПК таким20 образом, чтобы произошло сцепление обоих слоев ФПК (не должно быть защемленных пузырьков воздуха),Экспонирование проводили светомртутной лампы ДРК - 120 через фотошаблонс заданным рисунком в течение 120 с, Интенсивность света падающего на поверхность фотошаблона составляла 100 Вт/м.После экспонирования...

Фотополимеризующаяся композиция для изготовления защитного рельефа матрицы гальванопластического наращивания

Загрузка...

Номер патента: 1632228

Опубликовано: 30.04.1994

Авторы: Есин, Зуева, Калашников, Князева, Модева, Олейник, Семчиков, Таранец, Треушников, Шульпин

МПК: G03F 7/32

Метки: гальванопластического, защитного, композиция, матрицы, наращивания, рельефа, фотополимеризующаяся

...е р 17, Определение средневязкостной молекулярной массы сополимера ММД с МДК и БМД с МДК,Средневяэкостную молекулярную массу Мд сополимеров, синтезированных по(ч) =К 45 50 55 примерам 1-16, определяют вискозиметрическим методом после предварительного метилирования.Метилирование сополимеров проводят по стандартной методике.Для определения характеристической вязкости используют вискозиметр Убеллоде, помещенный в термостатирующую баню 30 С. Последовательно определяют время истечения растворов исследуемого сополимера в ацетоне (концентрации растворов: 10; 5; 2,5; 1,25; 0,6 г/л) и время истечения чистого ацетона.Рассчитывают удельные вязкости ( т/уд) растворов сополимера указанных концентраций сополиЧера (Со) по формулет тотогде 1, то - время...

Фотополимеризующаяся композиция для изготовления защитного рельефа матрицы гальванопластического наращивания

Номер патента: 1342279

Опубликовано: 30.04.1994

Авторы: Александрова, Гусарская, Есин, Калашников, Олейник, Померанцева, Таранец, Треушников

МПК: G03F 7/025

Метки: гальванопластического, защитного, композиция, матрицы, наращивания, рельефа, фотополимеризующаяся

ФОТОПОЛИМЕРИЗУЮЩАЯСЯ КОМПОЗИЦИЯ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАЩИТНОГО РЕЛЬЕФА МАТРИЦЫ ГАЛЬВАНОПЛАСТИЧЕСКОГО НАРАЩИВАНИЯ, включающая сополимер метакриловой кислоты и метилметакрилата формулыдиметакрилаттриэтиленгликоль, изобутиловый эфир бензоина и этиловый спирт, отличающаяся тем, что, с целью повышения разрешающей способности при толщине фотополимерного слоя 150 - 500 мкм, композиция содержит сополимер метакриловой кислоты и метилметакрилата общей формулы 1, где m = 600, n = 450, мол. мас. 90000 - 100000, и дополнительно содержит ингибитор радикальной полимеризации, выбранной из ряда хлоранил, бензохинон 2,2,6,6-тетраметил-4-оксопиперидин при следующем соотношении компонентов, мас. % :Сополимер метакриловой кислоты и метилметакрилата...

Способ гальванопластического изготовления изделий

Номер патента: 1540334

Опубликовано: 30.09.1994

Авторы: Григоришин, Ефремов, Котова

МПК: C25D 1/08

Метки: гальванопластического

СПОСОБ ГАЛЬВАНОПЛАСТИЧЕСКОГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИЗДЕЛИЙ, преимущественно диафрагм для электронных микроскопов, включающий формирование изоляционного слоя по заданному рисунку на электропроводном основании, удаление изоляционного слоя, локальное гальваническое осаждение слоя металла и отделение готового изделия, отличающийся тем, что, с целью повышения качества диафрагм, изоляционный слой формируют анодным окислением алюминия с последующим формированием на нем фотолитографий первой защитной маски по рисунку будущего отверстия и контура диафрагмы и второй защитной маски для формирования утолщенной части диафрагмы, после чего удаляют изоляционный слой в незащищенных местах, гальванически осаждают утолщенную часть диафрагмы, удаляют вторую защитную...