Патенты с меткой «детекторов»

Страница 3

Способ изготовления сцинтилляционных детекторов на основе монокристаллов n-терфенила и стильбена

Номер патента: 1037773

Опубликовано: 20.06.1998

Авторы: Будаковский, Нагорная

МПК: G01T 1/202

Метки: n-терфенила, детекторов, монокристаллов, основе, стильбена, сцинтилляционных

Способ изготовления сцинтилляционных детекторов на основе монокристаллов п-терфенила и стильбена, включающий выращивание монокристалла, обработку его и контейнеризацию, отличающийся тем, что, с целью улучшения сцинтилляционных характеристик детекторов, перед контейнеризацией обработанные монокристаллы нагревают со скоростью 1 - 2 град/мин до +60 - 80oC и проводят изотермический отжиг в течение 3 - 5 ч с последующим охлаждением со скоростью 1 - 2 град/мин до комнатной температуры.

Способ изготовления сцинтилляционных детекторов

Номер патента: 1563423

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Волчок, Екимов

МПК: G01T 1/20

Метки: детекторов, сцинтилляционных

Способ изготовления сцинтилляционных детекторов, включающий прессование порошкообразного NaI(Tl) в вакууме на предварительно спрессованной подложке из галогенида щелочного металла с последующим отжигом, отличающийся тем, что, с целью улучшения пространственного разрешения детектора, повышения надежности, а также повышения производительности способа, на слое порошкообразного NaI(Tl) перед прессованием размещают плоские каркасы из алюминиевой проволоки, прессование слоя NaI(Tl) осуществляют с давлением 5 - 6 Т/см2 на подложке из КС1, предварительно спрессованной с давлением не менее 10 Т/см2, далее спрессованную пластину нагревают до температуры не менее 60oC...

Способ восстановления погружных полупроводниковых детекторов альфа-частиц

Номер патента: 1079105

Опубликовано: 27.12.2003

Авторы: Анохин, Мишенев, Певцов

МПК: G01T 1/24, H01L 21/02

Метки: альфа-частиц, восстановления, детекторов, погружных, полупроводниковых

1. Способ восстановления погружных полупроводниковых детекторов альфа-частиц, включающий отмывку чувствительной поверхности детектора раствором азотной кислоты, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности удаления радиоактивных нуклидов, перед отмывкой чувствительной поверхности детектора в раствор азотной кислоты добавляют восстановитель.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве восстановителя используют аскорбиновую кислоту в концентрации 0,1-0,2 моль/л.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве восстановителя используют сульфаминат двухвалентного железа в концентрации 0,1-0,2 моль/л.

Способ отбора алмазов для детекторов ядерного излучения

Загрузка...

Номер патента: 644190

Опубликовано: 10.09.2013

Авторы: Гринберг, Клюев, Мейльман

МПК: G01N 21/25, G01N 21/84

Метки: алмазов, детекторов, излучения, отбора, ядерного

Способ отбора алмазов для детекторов ядерного излучения, включающий облучение кристалла алмаза монохроматическим пучком электромагнитных волн и измерение коэффициента поглощения, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности и технологичности процесса, определяют значение коэффициента поглощения К кристалла алмаза в максимуме одной из главных полос поглощения на длине волны 1=8,5 мкм или 2=0,236 мкм и бракуют алмазы с К ( 1)>8 см-1 или с...

Способ отбора алмазов для детекторов ионизирующих излучений

Загрузка...

Номер патента: 1644638

Опубликовано: 10.09.2013

Авторы: Борзенко, Мартынов, Мухачев, Татаринов, Хрунов

МПК: G01T 1/24

Метки: алмазов, детекторов, излучений, ионизирующих, отбора

1. Cпособ отбора алмазов для детекторов ионизирующих излучений, включающий облучение алмаза с электродами в электрическом поле ионизирующим излучением, нагрев образца после снятия электрического поля с одновременной регистрацией тока термостимулированной деполяризации - ТСД, сортировку образцов алмаза по величине пиков тока термостимулированной деполяризации с температурами максимумов в интервалах 400-440 и 460-480 K, отличающийся тем, что, с целью повышения точности отбора, перед облучением алмаза ионизирующим излучением образец предварительно с помощью электродного материала приводят в контакт с теплопроводом, нагревают до 550-600 K и охлаждают до 370-390 K.2. Способ по п.1,...