Патенты с меткой «детекторов»
Способ изготовления сцинтилляционных детекторов на основе монокристаллов n-терфенила и стильбена
Номер патента: 1037773
Опубликовано: 20.06.1998
Авторы: Будаковский, Нагорная
МПК: G01T 1/202
Метки: n-терфенила, детекторов, монокристаллов, основе, стильбена, сцинтилляционных
Способ изготовления сцинтилляционных детекторов на основе монокристаллов п-терфенила и стильбена, включающий выращивание монокристалла, обработку его и контейнеризацию, отличающийся тем, что, с целью улучшения сцинтилляционных характеристик детекторов, перед контейнеризацией обработанные монокристаллы нагревают со скоростью 1 - 2 град/мин до +60 - 80oC и проводят изотермический отжиг в течение 3 - 5 ч с последующим охлаждением со скоростью 1 - 2 град/мин до комнатной температуры.
Способ изготовления сцинтилляционных детекторов
Номер патента: 1563423
Опубликовано: 20.11.1999
МПК: G01T 1/20
Метки: детекторов, сцинтилляционных
Способ изготовления сцинтилляционных детекторов, включающий прессование порошкообразного NaI(Tl) в вакууме на предварительно спрессованной подложке из галогенида щелочного металла с последующим отжигом, отличающийся тем, что, с целью улучшения пространственного разрешения детектора, повышения надежности, а также повышения производительности способа, на слое порошкообразного NaI(Tl) перед прессованием размещают плоские каркасы из алюминиевой проволоки, прессование слоя NaI(Tl) осуществляют с давлением 5 - 6 Т/см2 на подложке из КС1, предварительно спрессованной с давлением не менее 10 Т/см2, далее спрессованную пластину нагревают до температуры не менее 60oC...
Способ восстановления погружных полупроводниковых детекторов альфа-частиц
Номер патента: 1079105
Опубликовано: 27.12.2003
Авторы: Анохин, Мишенев, Певцов
МПК: G01T 1/24, H01L 21/02
Метки: альфа-частиц, восстановления, детекторов, погружных, полупроводниковых
1. Способ восстановления погружных полупроводниковых детекторов альфа-частиц, включающий отмывку чувствительной поверхности детектора раствором азотной кислоты, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности удаления радиоактивных нуклидов, перед отмывкой чувствительной поверхности детектора в раствор азотной кислоты добавляют восстановитель.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве восстановителя используют аскорбиновую кислоту в концентрации 0,1-0,2 моль/л.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве восстановителя используют сульфаминат двухвалентного железа в концентрации 0,1-0,2 моль/л.
Способ отбора алмазов для детекторов ядерного излучения
Номер патента: 644190
Опубликовано: 10.09.2013
Авторы: Гринберг, Клюев, Мейльман
МПК: G01N 21/25, G01N 21/84
Метки: алмазов, детекторов, излучения, отбора, ядерного
Способ отбора алмазов для детекторов ядерного излучения, включающий облучение кристалла алмаза монохроматическим пучком электромагнитных волн и измерение коэффициента поглощения, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности и технологичности процесса, определяют значение коэффициента поглощения К кристалла алмаза в максимуме одной из главных полос поглощения на длине волны 1=8,5 мкм или 2=0,236 мкм и бракуют алмазы с К ( 1)>8 см-1 или с...
Способ отбора алмазов для детекторов ионизирующих излучений
Номер патента: 1644638
Опубликовано: 10.09.2013
Авторы: Борзенко, Мартынов, Мухачев, Татаринов, Хрунов
МПК: G01T 1/24
Метки: алмазов, детекторов, излучений, ионизирующих, отбора
1. Cпособ отбора алмазов для детекторов ионизирующих излучений, включающий облучение алмаза с электродами в электрическом поле ионизирующим излучением, нагрев образца после снятия электрического поля с одновременной регистрацией тока термостимулированной деполяризации - ТСД, сортировку образцов алмаза по величине пиков тока термостимулированной деполяризации с температурами максимумов в интервалах 400-440 и 460-480 K, отличающийся тем, что, с целью повышения точности отбора, перед облучением алмаза ионизирующим излучением образец предварительно с помощью электродного материала приводят в контакт с теплопроводом, нагревают до 550-600 K и охлаждают до 370-390 K.2. Способ по п.1,...