Диодно-транзисторная схема

Номер патента: 319156

Авторы: Германска, Иностранец

ZIP архив

Текст

319156 ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИяК ПАТЕНТУ Союз Советских Социалистических Республикоритет 08,1 Х.1967,Комитет по дспа,з забретеиий и аткаытп;"; паи Совета Мииистаоа СййРУДК 681.325.65(088.8 бликовацо 28,Х.1971. Бюллетень32 Дата опубликования описания 20.1.197 Автор зобретеци Иностранецрген Тайхманнмократическая Гермацска спублика)аявите ДНО-ТРАНЗИСТОРНАЯ СХЕМ пульснои техо в качестве лвах, предназьсных сигналторные схет с диодом 3яжений помина последнрабочего нап а- в. ы 5 Кроме того, известны схемы включения с зависимыми от направления характеристиками передачи, которые имеют очень высокую чувствительность к помехам, но они предназ начены для иных целей. Таким схемы имеют либо низкое значение напряжения помех по сравнению с напряжением питания, либо ограниченные допустимые отклонения параметров применяемых элементов. 2Цель изобретения - повысить помехоустойчивость схемы и снизить требования к допускам используемых элементов. Это достигается тем, что к выходу схемы подключена база транзистора инвертора, коллектор которого 2 соединен с базой дополнительного транзистора, коллектор дополнительного транзистора подключен к точке соединения диодной схемы И и стабилитрона, а эмиттер - к эмиттеру эмиттерного повторителя. 3 Изобретение относится к им ке и может быть использован гического элемента в устройст ченных для обработки импулИзвестны диодно-тр анаис включения, которые допускаю нера высокие значения напр Однако максимальная велич достигает только половицы жения. На чертеже приведена принципиальная электрическая схема предлагаемого устройства. Входы 1, 2 и 3 через схему И на диодах 4, б и б связаны с узловой точкой 7, которая через резистор 8 соединена с зажимом 9 питания и через стабилитрон 10 - с базой транзистора 11 эмиттерного повторителя. Коллектор транзистора 11 подключен к зажиму 9, а эмиттер включен на диод 12, смещенный в прямом направлении, катод которого соединен с базой транзистора 13 усилителя. Участок база - эмиттер транзистора 13 шунтировац резистором 14, а коллектор подключен к зажиму 9 через резистор 15 нагрузки.Выходное напряжение снимается с зажимов 1 б и 17, а входное подается на вход 3 и зажим 18. Выходной зажим 1 б связан через резистор 19 с базой транзистора 20, участок база - эмиттер которого шунтирован резистором 21, а коллектор соединен с зажимом 9 через резистор 22 нагрузки и с базой дополнительного транзистора 23, Коллектор последнего подключен к точке соединения диодной схемы И и стабилитроца 10, а его эмиттер - к аноду диода 12 и к эмиттеру транзи. стора 11,Схема работает следующим образом.Если напряжение, поступающее на входы 1, 2 и 3, больше падения напряжения на ста.319156 Предмет изобретения Диодно-транзисторная схема, содержащаядиодную схему И, подключенную через стабилитрон к базе эмиттерного повторителя, в эмиттерной цепи которого включен диод в прямом направлении и сопротивление, к точке соединения диода и сопротивления подключена база выходного усилителя, отличаю и 1 аяся тем, что, с целью повышения помехоустойчивости схемы и снижения требований к допускам используемых элементов, к выходу схемы подключена база транзистора инвертора, коллектор которого соединен с базой дополнительного транзистора, коллектор дополнительного транзистора подключен к точке соединения диодной схемы И и стаби.литрона, а эмиттер - к эмиттеру эмиттерного повторителя. Составитель Н. Степанов Юрчикова Текред Л. Куклина Корректоры: Е. Усова и О, Волковаедак ака з 3845/14 Изд, Лов 1510ЦНИИПИ Комитета по делам изобретенийМосква, Ж, Рау пография, пр. Сапунова,билитроне 10 и эмиттерном переходе транзистора 11, то ток, усиленный последним, подводится к базе транзистора 18 и приводит его к насыщению. Вследствие этого запирается транзистор 20 и насыщается дополнительный транзистор 28. Ток протекает через резистор 8 без усиления непосредственно к базе транзистора 18, Теперь напряжением смещения служит не падение напряжения на стабилитроне 10, а остаточное напряжение транзистора 28. Чтобы изменить состояние на выходе - зажимах 1 б и 17, входное напряжение, например, на входе 8 и зажиме 18 должно быть приблизительно меньше, чем пропускаемое напряжение диода. Тогда ток протекает от резистора 8 через входной диод 6. Транзистор 18 запирается, а транзистор 20 отпирается через резистор 19 и тем самым запирается дополнительный транзистор 28,Тираж 473 Подписно открытий при Совете Министров ССС кая наб., д. 475

Смотреть

Заявка

1262991

Иностранец Юрген Тайхманн, Германска Демократическа Республика

МПК / Метки

МПК: H03K 17/60

Метки: диодно-транзисторная, схема

Опубликовано: 01.01.1971

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-319156-diodno-tranzistornaya-skhema.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Диодно-транзисторная схема</a>

Похожие патенты