Способ гранулирования расплава удобрений

Номер патента: 687652

Авторы: Вильдавский, Кремер, Шенкин

ZIP архив

Текст

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 5 9 (11) 01,Х 2/04 05 С 1/02 5 В 19/00,ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ АВТОРСКОМУ С ЕПЬСТВ 3 (54)(57) СПОСОВПЛАВА УДОБРЕНИЙгивание расплавгрануляционнойкапель хладагенния и образованч а ю щ и й с яповышения прочнразбрызгиваниемют переменным илным полем. РАНУЛИРОВАНИЯ РАСвключающий разбрызна капли в объеме Бюл, Уьдавский,24А.И. Кремер 088,8) зводство амс. 106. 1968,ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТ(56) Миниовичмиачной селит ашни, охлаждение ом до их затвердея гранул, о т л и - тем, что, с целью сти гранул, перед расплав обрабатываи постоянным магнит1 68Изобретение относится к области химической технологии удобрений, в частности к производству удобрений в гранулированном виде и может быть использовано при обработке плава удобрений в грануляционной башне.Процесс грануляции плава в гран- башне состоит в следующем. Плав, например, нитроаммофоса, с температурой 175-180 С и концентрацией 98,3-98,87. основного вещества поступает в гранулятор. Здесь происходит истечение плава через отверстия корзины гранулятора.Навстречу струям плава через башню проходит охлаждающий воздух, который дробит струи и охлаждает образующиеся частицы. Последние под действием сил гравитации принимают шарообразную форму (Форма гранул), При охлаждении вещество гранулы кристаллизуется как в полете (нитроаммофос и аммиачная селитра), так и в кипящем слое (низ башни; аммиачная селит ра), где происходит окончательное охлаждение.Начальная температура гранулы в кипящем слое 85-100 С, конечнаяо35-45 С.Если в полете гранула не достигла определенной прочности (по целому ря. ду причин), то при попадании гранулы на конус башни (нитроаммофос) происходит слипание с другими и налипание их на конус. При попадании в кипящий слой такая гранула,реформируется и слипается с себе подобными, а в дальнейшем может полностью или частично разрушаться.Известный способ гранулирования расплава удобрений не позволяет получать гранулы необходимой прочности (прочность не более 400-. 600 г/гранул), что характеризует качество удобрения.Полученные известным способомгранулы в процессе транспортировки ихранения слеживаются.Решить вопрос упрочнения гранул на существующем оборудовании при известных параметрах путем увеличения скорости процесса кристаллизации, определяемой (скорости) как отношение разности температур начала и конца кристаллизации ко времени этого процесса при температуре окружающей.среды не представляется возмож 7652 1ным. В противном случае требует увеличение габаритов гранбашни и количество хладагента, что нецелесообразно.л5Цель изобретения - повышение прочности гранул при прочих равных известных технологических параметрах.Цель достигается тем, что в известном способе гранулирования перед разбрызгиванием расплава обрабатывают переменным или постоянным магнитным полем.В результате обработки потока расплава соли (удобрения) перед разбрызгиванием переменным или постоянным магнитным полем увеличивается количество центров кристаллизации, в результате чего изменяется структура вещества гранулы (становится, например, более упорядоченной).На фиг. 1 представлена схема установки для осуществления предложенного способа; на фиг. 2 - зависимость прочности нитроаммофоса от напряженности магнитного поля.Плав удобрения иэ выпарного аппарата пбступаетв буферныйбак 1 и да 30 лее через диамагнитную вставку аппарата магнитной обработки 2 в гранулятор 3; который раэбрызгивавт плавнавстречу охлаждающему воздуху в грануляционную башню 4. Охлажденные гранулы с конусов 5 (или из устройства .скипящим слоем) башни попадают начранспортер 6 и далее поступают наэатаривание,Зависимость прочности полиэкстремальна, то есть эффект прочности,гранул может .проявлятьсямногократно(и даже одинакво) при разных значениях напряженности, Например, увеличение прочности у нитроаммофоса наблюдается и при 300-400 Э, при 900 -1150 Э и т.п.Величины напряженности для различных веществ разные: для нитроаммофосамарки Б и отчасти А,09-0,12 Тл(900-1200 Э), для амселитры - 0,17 ф 035 Тп,Более конкретно напряженность магнитного поля приведена в примерах.П р и м е р 1.Проводят гранулироф вание расплава нитроаммофоса. Втабл, 1 представлены данные по гранулированию нитроаммофоса известным и предложенным способами.4Таблица 1 687652 Предлагаемый способ Известный способНаименование параметров 29 Расход нитроаммофоса, т ающего возасход охл уха, м/ч 0000 0000 170-180 мпература плана, Со 170-180 Температуравоздуха, Со ающег63-70 Слеживаемость, Й Прочность гран сследованном д нитроаммофосапазоне напряже промьдпле нных нос25ях: ови 0,049 0,06 0,07 8 0,087 0,105 0,12. 0 0,575 0)580 0,774 0,546 О, 5Проводят гранулелитры. В табл. 2гранулирован вестныйспособ Новый спосо аименование параметров 30 Расход аммиачной селитры, т/ч асход охлаждающего воздуха,м /ч 120000168-170 120 168-170 емпература плава,щего 30-(+35) -ЭО-(+ на кону 45 Прочность гранул,7 г/гранулуг/мм 2 8-1, 1 вердость гранул,Магии Т ая индукция нность маги тного поля, Э апря Магнитнаяиндукция,Темпер воздух Темперо сах, С тура охлСтура про 0,700 0,893 0,820редставлены данные поаммиачной селитры.блица 2 9-10, 6 0,2-0,3 2000-30005 687652Микротвердость образцов амми- диапазоне ачнойселитры в йсследованном обработки:Магнитная индукция, Тл 0 0,1 напряженностей поля Микротвердость, кг/мм 6,6 5,9 в промышленных гранбашнях позволяетувеличить прочность гранул,Использование предложенного способа гранулирования планов удобрений ЙЯ 7 ЯЮ Н Составитель Р. Г Техред М.Ходанич нова Корректор М Макси-35, Раушская наб д з 3624/ писно роизводственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. ная,Ти ВНИИПИ Государ по делам изо 3035, Москва, 0,2 . 0,39,0 10,6,

Смотреть

Заявка

1668779, 07.06.1971

ВИЛЬДАВСКИЙ В. З, КРЕМЕР А. И, ШЕНКИН Я. С

МПК / Метки

МПК: B01J 2/04, C05B 19/00, C05C 1/02

Метки: гранулирования, расплава, удобрений

Опубликовано: 30.06.1986

Код ссылки

<a href="https://patents.su/4-687652-sposob-granulirovaniya-rasplava-udobrenijj.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ гранулирования расплава удобрений</a>

Похожие патенты