Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках

Номер патента: 714495

Авторы: Арсентьев, Лысый, Штельмахов

ZIP архив

Текст

ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ714495 Союз СоветеиикСон ианистичесиикреспублик(22) Заявлено 29,09.77(21) 2530389/18-24 (5 ) М. Кл. с присоединением заявки Рй(53) УДК 681,327. .6 6 (088. 8) Опубликовано 05,02.80. Бюллетень М 5 Дата опубликования описания 09.02,80.(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАПОМИНАИШИХ . МАТРИЦ НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ПЛЕНКАХ 3 2Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть исполь зовано при построении запоминающихустройств на цилиндрических магнитных пленках (ЦМП).5 Известен способ изготовления запоми-. нающих матриц на ИМП, состоящий втом, что на ткацком станке в качестве основы натягивают технологические струны, в ко 10 торые последовательно вплетают обмотки, в процессе изготовления технологические струны перемешают, а сформоваиные обмотки отделяют от эоны плетения зажимом-разделйтелем, после окончания пле 15 тения заливают обмотки компаундом, а затем извлекают технологические струны, растягивая их за противоположные концыдо разрыва МПри таком способе формовки возникают значительные деформации и утоньшение формуемого проводника, обрыв его, нарушение изоляции и стягивание технологических струн по шагу. Наиболее близким по технической сушности к предложенному изобретению является способ изготовления запомицаюших матриц на БМП, основанныйца натяжении технологических струн, образовании зева между ними, прокладывания в зев проводника адресной обмотки под углом к технологическим струнам, закрывании зева, последовательном формовании струнами проводника, перемешении сформованцого проводника к адресным обмоткам при закрытом зеве, перемещении технологических струн, отделении адресных обмоток от зоны плетения, заливке компаундом и извлечении технологических струн 2.Положение проводника под углом к струнам в момент закрывания зева всеми струнами одновременно дает возможность последовательного формовацця проложенного в зев проводника. Однако с увеличением числа струн, уменьшением их диаметра и шага между ними уменьшается расстояние сближения последующихванин зева 10 между ними, ограничительзева 11, челнок 12 для прокладыванияпроводника адресной обмотки 13 в зеве10, ориентатор-фиксатор 14 для фиксациипроводника 13 по линии формования, батан 15, адресные обмотки 16.Изготовление заполняющих матрицосуществляют следующим образом,Для образования зева 10 между струнами 1-6 перемешают ремизки 8 и 9,Перемещением ремизок 8, например, вверхразводят нечетные струны 1, 3 5, а перемещением ремизок 9 вниз разводятчетные струны 2, 4, 6, В конце перемещения ремизок 8 и 9 нечетные струны1, 3, 5 и четные 2, 4, 6 располагают спревышением друг относительно друга повысоте, начиная от первой струны к пятой и от второй к шестой. Разведенныеструны 3, 3, 5 и 2, 4, 6 образуют поширине зева 10 различные углы наклона(фнг. 1 б), а в сечении зева 10, перпендикулярном плоскости нейтрального положения струн, образуют наклонные подострыми углами СС к этой плоскости ряды (фиг. 2 а, б), Линии продолжения этихрядов сходятся в одной точке на нейтральной плоскости по линии формования проводника адресной обмотки (фиг. 3).Линию формования располагают на заданном расстоянии от ограничителя зева1 1 и фиксируют ее относительно струн,1-6 в этом положении, например, гребенкой 14.Прокладывают проводник 13 в зев 10свободным концом его со стороны крайних струн с меньшим углом раскрытиязева между ними, ориентируют проводник13 вдоль ориентира фиксатора 14 и фиксируют в этом положении на заданномрасстоянии от ограничителя зева 11, после чего закрывают зев, перемещая ре мизки 8. вниз, а ремизки 9 вверх.Прп этом производят последовательноесближение струн 1-6 с проводником 13до полного закрывания зева 10 поочередно каждой струной и одновременное формование из проводника 13 каждого полувиткаацресной обмотки в отдельности, начиная со струн с меньшим .углом между ниследования струн: 6, 5, 4, 3, 2, 1, (фиг. За, б, в, г, д). При этом сохраняют постоянными углы Д наклона рядов етрун в плоскости, перпендикулярной плоскости нейтрального положения струн, перемешают их в сторону свободного конца формуемого провода 7 14 495 4соседних струн с формуемым проводником,.что приводит к необходимости увеличения угла прокладок провода, а это приводит к увеличению длины проводника в зеве, что вызывает дополнительную дефор 5мацию сформованных полуволн при подбивке сформованного провода к адреснымобмоТкам, увеличение толщины сплетенного полотна и нарушение шага между струнами. 1 ОПри этом происходит также сжатиеструнами полуволн этого провода и изменение их формы, что влияет"на амплитуду магнитного поля внутри волувитка;а следовательно, и на величину выходного сигнала, уровень помех и степень влияния адресных обмоток друг на друга.Цель изобретения - повышение технологичности изготовления запоминающихматриц. 20Поставленная цель достигается путемтого, что в известном способе располагают технологические струны с превышениемпо высоте друг относительно друга, ориентируют проводник адресной обмотки по 25линии его формования относительно технологических струн и фиксируют его в заданном положении, закрывают зев поочередно каждой разведенной при образовании зева технологической струной и фор- ЗОмуют каждый полувиток адресной обмотки, перемещают технологические струныв сторону свободного конца формуемогопровода до полного закрывания зева, сохраняя при этом постоянные углы накло- з 5на технологических струн,Сущность предложенного изобретенияпоясняется чертежами, где на фиг, 1 аизображено устройство для изготовлейиязапоминающих матриц на ЦМП в соответ ствии с предложенным способом; на фиг.1 б - разрез А-А фиг. 1 а расположение четных и нечетных технологическихструн с превышением друг относительно друга по высоте); на фиг. 2 а - разрез Б-Б фиг. 1 (расположение четныхи нечетных технологических струн в сечении зева, перпендикулярном плоскостинейтрального положения); на фиг, 2 б - тоже при смене положения четных и нечетных струн в зеве; на фиг. За, б, в, г, д-, ми (в начальном положении) в порядкепоследовательное закрывание зева и фор:мование проводника,Устройство для изготовления матриц(фиг. 1 а) содержит технологические струны 1, 2, 3, 4, 5, 6, натянутые на рамустанка 7 в качестве основыремизки 8и 9, для разведения струн 1-6 при образо5 7144 до полного закрывания зева (фиг. За, б, в,г,д).После формирования проводника ориентатор-фиксатор 14 выводят из плоскости проводникаа полувиток обмотки сдвигают 5 батаном 15 при закрытом зеве к пакеру обмоток 16. Затем прижимы ограничителя зева 11 разводят, перемешают стру- . ны 1-6 и отделяют адресные обмотки 16 от зоны плетения, оЗатем прижимы ограничителя зева 11 сводят, производят очередное раскрытие зева 10, меняя направления разведения четных 2, 4, 6 и нечетных 1, 3, 5 струн 15 и направления наклонов их рядов (фиг. 2 б) в плоскости, перпендикулярной плоскости нейтрального положения струн, проводник 13 прокладывают челноком 12 в.противоположном направлении, и все дальнейщие 0 операции формирования полувятка адрес. ной обмотки из проводника 13 повторяются до получения адресной обмотки 16.Использорание. предложенного способа изготовлеяия запоминающих матриц на Ш 1 П обеспечивает по сравнению с сУ- шествующими способами следующие пре- имущества:,- повышение геометрической точности и идентичности размеров адресных обмоток, шага между разрядными обмоткамии повышение однородности электрических и магнитных параметров адресных обмоток;- стабилизацию натяжения проводников З 5 адресных обмоток при плетении, снижениег ,количества обрывов и нарушения изоляции проводников;.- возможность автоматизации трудо 40 емкого процесса плетения адресных обмо 95 6ток малогабаритных запоминающих матриц на БМП. формула изобретения Способ изготовления запоминающихматриц на цилиндрических магнитных пленках, основанный на натяжении технологических струн, образовании зева между ними, прокладывании в зев проводника адресной обмотки, перемещении сформованногопроводника к адресйым обмоткам, перемещении технологических струн, отделенииадресных обмоток от зоны плетения, заливке компаундом и извлечении технологических струн, о т л и ч а ю щ и й с ятем, что, с целью повьпцения технологичности. изготовления запоминающих матриц,располагают технологические струны спревьппением по высоте друг относительно друга, ориентйруют проводник адресной обмотки йо линии его формования относительно технологических струн и фиксируют его в задайном попожении, закрывают зев поочередно каждой разведеннойпри образовании зеЬа .технологическойструной и формуют каждый полувиток адресной обмотки, перемещают технологические струны в сторону свободного концеформуемого провода до полного закрывания зева, сохраняя при этом постоянныеуглы наклона технологических струн,Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Авторское свидетельство СССР282428, кл. 0 11 С 11/14, 1971.2. Авторское свидетельство СССР474842, кл. О 11 С 5102, 1975, Ж, Раущска нт", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 илиал ППП Пате Подписита СССРтийнаб., д. 4

Смотреть

Заявка

2530389, 29.09.1977

ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Р-6668

АРСЕНТЬЕВ ВАСИЛИЙ АНДРЕЕВИЧ, ШТЕЛЬМАХОВ МИХАИЛ СТЕПАНОВИЧ, ЛЫСЫЙ ЛЕОНИД ТИМОФЕЕВИЧ

МПК / Метки

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающих, магнитных, матриц, пленках, цилиндрических

Опубликовано: 05.02.1980

Код ссылки

<a href="https://patents.su/5-714495-sposob-izgotovleniya-zapominayushhikh-matric-na-cilindricheskikh-magnitnykh-plenkakh.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках</a>

Похожие патенты